KR950012892A - 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체 레이저 소자 및 그 제조방법 Download PDF

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KR950012892A
KR950012892A KR1019930021789A KR930021789A KR950012892A KR 950012892 A KR950012892 A KR 950012892A KR 1019930021789 A KR1019930021789 A KR 1019930021789A KR 930021789 A KR930021789 A KR 930021789A KR 950012892 A KR950012892 A KR 950012892A
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KR1019930021789A
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김종렬
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

고출력동작과 비점수차 거리가 단축된 반도체 레이저 소자와 그 제조방법을 개시한다. 기판상에 형성된 활성층과, 상기 활성층의 상,하부에 마련되는 상,하부클래드층과, 상기 활성층에 전류를 제한적으로 공급하는 전류제한층과, 상기 층들의 직각방향인 레이저 출사 전후방에 벽개면을 구비한다. 또한 상기 기판에는 중앙 상부 영역에 상기 벽개면에서 일정거리 떨어져서 상기 벽개면에 수직인 방향에 평행한 두개의 채널이 형성되고, 상기 전류제한층에는 상기 벽개면에서 일정거리 떨어진 기판의 중앙 부위에, 상기 두개의 채널사이의 돌출부의 상부를 노출시키는 U자형의 웰을 갖는다. 본 발명은 내측영역에만 전류주입이 이루어지는 구조에 의해 고출력 특성이 향상되고 COD(Catastrohic Optical Damage)수준을 높일 수 있다.

Description

반도체 레이저 소자 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도 및 제7도는 본 발명에 따른 반도체 레이저소자의 제작단계별 가공상태를 도시한 사시도.

Claims (5)

  1. 기판 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층의 상,하부에 마련되는 상,하부클래드층과, 상기 활성층에 전류를 제한적으로 공급하는 전류제한층과, 상기 층들의 직각방향인 레이저 출사 전후방에 벽개면을 구비한 반도체 레이저 소자에 있어서, 상기 기판에는 중앙 상부 영역에 상기 벽개면에서 일정거리 떨어져서 상기 벽개면에 수직인 방향에 평행한 두개의 채널이 형성되고, 상기 전류제한층에는 상기 벽개면에서 일정거리 떨어진 기판의 중앙 부위에, 상기 두개의 채널사이의 돌출부의 상부를 노출시키는 U자형의 웰을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 웰의 폭은 상기 돌출부를 중심으로 형성되고 상기 채널의 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판의 중앙 부위는 상기 벽개면에서 10-20㎛ 떨어진 내측영역인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
  4. 제1항에 있어서, 기판은 GaAs, 하부클래드층은 InGaAlP, 활성층은 GaInP, 상부클래드층은 InGaAlP인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
  5. 기판의 중앙상부에 벽개면으로부터 일정거리 떨어져서 상기 벽개면의 수직 방향에 평행한 2개의 U자형 채널을 형성하는 단계; 상기 기판상에 전류제한층을 성장시켜 상기 채널을 채우는 단계; 상기 전류제한층에 상기 2개의 채널사이의 돌출부를 노출시키는 U자형 웰을 형성하는 단계; 및 상기 기판과 상기 전류제한층상에 하부클래드층, 활성층 및 상부 클래드층을 순차적으로 적층하여 성장시키는 단계를 포함하는 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930021789A 1993-10-20 1993-10-20 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법 KR950012892A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100401940B1 (ko) * 2001-06-20 2003-10-17 (주)한프로덕스 전기 밥솥 내통의 면취가공 장치 및 방법

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