KR960043371A - 단파 수직 캐비티면 방출 레이저 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

단파 수직 캐비티면 방출 레이저 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 단파 수직 캐비티면 방출 레이저 장치(101)에 관한 것으로, 표면(103)을 가지고 갈륨 비소 인를 포함하는 기판(102)이 형성되고, 기판(102)의 제1표면(103)상에 놓이는 제1미러 스택(106)이 형성되고, 제1미러 스택(106)상에 제1클래딩 영역(107)이 형성되고, 제1클래딩 영역(107)상에 활성 영역(108)이 형성되고, 활성 영역(108)상에 제2클래딩 영역(109)이 형성되고, 제2미러 스택(110)상에 접촉 영역(126)이 형성되어 있다.

Description

단파 수직 캐비티면 방출 레이저 장치 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 수직 캐비티면 방출 레이저를 개략적으로 나타낸 단면도.

Claims (4)

  1. 단파 수직 캐비티면 방출 레이저 장치에 있어서: 표면을 가지는 갈륨 비소 인 기판과; 상기 갈륨 비소 인 기판상의 표면에 배치된 제1미러 스택(a first stack of mirrors)과; 상기 제1미러 스택상에 배치된 제1클래딩 영역(cladding region)과, 상기 클래딩 영역 상부에 배치된 활성 영역(active region)과; 상기 활성 영역 상부에 배치된 제2클래딩 영역과; 상기 제2클래딩 영역 상부에 배치된 제2미러 스택 및; 상기 제2미러 스택상에 배치된 접촉 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 단파 수직 캐비티면 방출 레이저 장치.
  2. 단파 수직 캐비티면 방출 레이저 장치에 있어서: 제1표면을 가지는 반도체 기판과; 상기 반도체 기판의 표면 상부에 배치된 갈륨 비소 인층과; 상기 반도체 기판의 제1표면 상부에 위치되는 제1미러 스택과; 상기 제1미러 스택 상부에 위치되는 제1클래딩 영역과; 상기 제1클래딩 영역 내부에 위치되는 활성 영역과; 상기 활성 영역 상부에 위치되는 제2클래딩 영역과; 상기 제2클래딩 영역 상부에 위치되는 제2미러 스택 및; 상기 제2미러 스택의 상부에 위치되는 접촉 영역(contact region)을 포함하는 것을 특징으로 하는 단파 수직 캐비티면 방출 레이저 장치.
  3. 모조 기판을 지닌 단파 수직 캐비티면 방출 레이저 장치에 있어서; 제1표면을 가지는 반도체 기판과; 상기 반도체 기판의 표면에 배치된 표면을 가지는 그래드된층(graded layer)과; 상기 그래드된 층의 표면에 배치된 모조 기판(pseudo-substrate)과; 상기 반도체 기판의 제1표면 상부에 위치되는 제1미러 스택과; 제1미러 스택 상부에 위치되는 제1클래딩 영역과; 상기 제1클래딩 영역 상부에 위치되는 활성 영역과; 상기 활성 영역 상부에 위치되는 제2클래딩 영역과; 상기 제2크래딩 영역 상부에 위치되는 제2미러 스택 및; 상기 제2미러 스택의 상부에 위치되는 접촉 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 단파 수직 캐비티면 방출 레이저 장치.
  4. 단파 수직 캐비티면 방출 레이저 장치를 제조하는 방법에 있어서: 제1표면을 가진 반도체 기판을 제공하는 단계와; 상기 반도체 기판의 제1표면에 그래드된 층을 형성하는 단계와; 상기 반도체 기판의 제1표면 상부에 제1미러 스택을 형성하는 단계와; 상기 제1미러 스택 상부에 제1클래딩 영역을 형성하는 단계와; 상기 제1클래딩 영역 상부에 활성 영역을 형성하는 단계와; 상기 활성 영역 상부에 제2클래딩 영역을 형성하는 단계와; 상기 제2클래딩 영역 상부에 제2미러 스택을 형성하는 단계 및; 상기 제2미러 스택 상부에 접촉 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단파 수직 캐비티면 방출 레이저 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960016072A 1995-05-15 1996-05-10 단파 수직 캐비티면 방출 레이저 장치 및 그 제조 방법 KR960043371A (ko)

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