JP3966067B2 - 表面発光型半導体レーザ素子およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光情報処理や光通信用の光源として用いられる表面発光型半導体レーザに関し、特に、ボンディング配線用の電極パッド部の構造およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、光通信や光インターコネクション等の技術分野において、光源のアレイ化が容易な表面発光型半導体レーザ(以下、面発光レーザと略すが、面発光レーザというときは、面発光レーザ素子および面発光レーザ装置の双方を含む)への需要が増している。光源を多重化することでデータのパラレル転送(並列処理)が可能となり、飛躍的な大容量化、あるいは通信速度の向上が期待できる。
【0003】
面発光レーザにおいては、電流を効率良く活性層に閉じ込めるための電流狭窄構造が必要である。電流狭窄化の方法として、アルミニウムを含む半導体層を選択的に酸化させる方法が知られている。
【0004】
屈折率導波構造を有するこのタイプのレーザは、活性層近傍の半導体多層反射膜の一部を選択的に酸化させ高抵抗領域を形成すると同時に、この部位の屈折率を低下させ光導波路を構成する。この強い光閉じ込め効果も相俟って、しきい値電流が低く、しかも応答性が速いという優れた特性を示す。
【0005】
このような選択酸化型面発光レーザとして、レーザ素子部の周囲を除去した円柱や角柱を含むメサ形状などのポスト構造によりレーザ素子を形成した一般的な従来例を図8に示す。図8(a)は面発光レーザの断面構造を示し、同図(b)はその上面図である。面発光レーザ100は、半導体基板101上に選択酸化領域110を含むポスト構造の上面放出型レーザ素子部102を有し、その頂部のコンタクト領域103に接続された金属層104がそのまま引き出し配線106を介して電極パッド部105まで延在される。そして、金属層104が電極パッド部105において矩形状のボンディングパッド面107を形成し、ボンディングパッド面107上にボンディング配線108の端部に形成された金属ボール109が接着される。
【0006】
レーザ素子部102と離間した基板上のポスト底部の平面内に電極パッド部105を設けていることから、素子部102に生ずる静電容量に加え、電極パッド部105に起因する静電容量(浮遊容量)が発生する。レーザ素子を高速で動作(変調)させようとすると、RC時定数に応じて応答性が低下する。
【0007】
さらに図8の従来例に示す面発光レーザは、半導体基板101上に積層された半導体層をエッチングしてポスト構造を形成するとき、半導体基板101上に、AlGaAsの半導体層111が露出されている。ポスト構造に含まれるAlAs半導体層をポスト側面から酸化し電流狭窄層を形成するが、同時に露出されたAlGaAs層の一部が酸化されてしまう。その後にSiNx等の層間絶縁膜112を堆積し、さらにボンディング電極となる金属層104を蒸着することになるが、エッチング後の半導体表面(AlGaAs層)とその上に堆積した層間絶縁膜112との密着性が不十分で、金属との界面ではがれ易く、例えばボンディングパッド電極としての強度に問題があった。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
以上のような構造上の課題を解決する手段として、エッチングした領域をポリイミドで埋め込み、金属電極と基板表面との距離を広げ、電極パッド部105に起因する静電容量を減らす方法が広く利用されている。ポリイミドの半導体材料との間の密着性は必ずしも十分ではないが、材料の性質として粘性を有するため、相対する材料の表面状態や組成の影響を受けにくいという利点もある。
【0009】
しかしながら、段差が数ミクロンメータにおよぶ凹凸形状を有する面発光レーザの作製工程においては、埋め込んだポリイミド表面の平坦性を保つことが難しく、基板上の場所によって膜厚分布を生じ、均一な動作特性を持った素子を作製するのが難しいという欠点があった。また、浮遊容量をできるだけ減らすにはポリイミドの厚みを増やすことが必要だが、厚くし過ぎると出射口が形成されている素子部の周辺に材料が集まりやすくなり、コンタクト部の金属段切れや出射表面の汚染が生じて、歩留りを劣化させることが知られている。さらに言えば、ポリイミドと面発光レーザを構成する半導体材料とでは熱膨張係数の違いから動作時の発熱により界面付近にストレス(応力)を生じ、素子特性を変化させてしまうという問題があった。ポリイミドによる埋め込みという工程が増えて手間やコストがかかることも、研究開発段階ならともかく、量産段階では敬遠される一因となっていた。このように、高度で手間のかかる半導体プロセスを要求する割に、再現性に乏しく特性のばらつきが生じ易いという課題を有している。
【0010】
他方、レーザ素子部の周囲の一部に複数の穴または溝を形成するトレンチ構造を持つ面発光レーザとして例えば特開平9−223841号がある。該公報に記載の面発光レーザは、歩留まり向上のためレーザ素子部から延びた電極引き出し部の両側に溝を形成し、レーザ素子部のAlAsを選択酸化させるときに電極引き出し部のAlAsを完全に酸化させる技術を開示する。
【0011】
しかしながら、上記公報に記載の面発光レーザは、依然として電極パッド部に起因する静電容量の問題を抱えており、レーザ素子を高速動作させるには不適である。
【0012】
本発明は上記従来技術に鑑み、単純な構造ながら電極パッド部に起因する浮遊容量を低減する効果を発揮し、かつ特性の均一性や歩留りを向上させたポスト構造を持つ表面発光型半導体レーザ素子を得ることを目的とする。
さらに本発明は、電極部の構造を改良し、ワイヤボンディング等に要求される電極構造としての強度を改善させたポスト構造を持つ表面発光型半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
さらに本発明は、上記新規な表面発光型半導体レーザ素子を製造するための簡便で再現性が高いという製造方法を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
第1の発明に係る表面発光型半導体レーザ素子は、基板と、前記基板上に形成される頂部にコンタクト領域を持つ第1のポスト構造を含むレーザ素子部と、前記基板上に形成される第2のポスト構造を含む電極部とを有し、前記電極部は、前記コンタクト領域に電気的に接続されかつ前記コンタクト領域から延在する導体層を含むものである。電極部をポスト構造とし、そのポスト構造に導体層を延在させるようにしたので、電極部に起因する浮遊容量を低減することが可能となり、レーザ素子の高速変調特性を向上させることができる。また、電極部をポスト構造にしそこに導体層を延在させたことで、ポスト形成時のエッチング液に晒されないポスト構造の頂部に電極面を形成することができ、電極面としての一定の強度を保つことができる。好ましくは、その電極面をボンディングパッド面として用いることができる。
【0014】
好ましくは、前記第1のポスト構造は、前記基板上に第1、第2の半導体多層反射膜と、該第1、第2の半導体多層反射膜との間に活性層とを含み、前記第2のポスト構造は、前記第1、第2の半導体多層反射膜および前記活性領域と同一組成の半導体層を含む。また、前記第2のポスト構造は絶縁膜によって覆われ、前記第2のポスト構造の頂部において前記絶縁膜上に前記導体層が形成されるようにしてもよい。さらに好ましくは、前記レーザ素子部は、前記第1のポスト構造内に半導体層の一部を酸化させた電流狭窄層を有し、前記電極部は、前記第2のポスト構造内に前記半導体層の少なくとも一部を酸化した半導体層を含む。上記好ましい態様を用いることで、電極部の浮遊容量をより低減することが可能となる。また、前記第1の半導体多層反射膜は第1の導電型のAlGaAs層を含み、前記第2の半導体多層反射膜は第2の導電型のAlGaAs層を含むものであってもよい。さらに、ポスト構造は、互いに分離していることが望ましく、言い換えれば、各ポスト構造は互いに独立していることが望ましい。
【0015】
第2の発明に係る表面発光型半導体レーザ素子は、第1の多層反射膜、酸化制御層、活性層及び第2の多層反射膜が積層されて成る表面発光型半導体レーザ素子において以下の構成を有する。少なくとも第1の多層反射膜から酸化制御層(半導体層の一部に酸化領域が形成された電流狭窄部のこと)まで周囲が除去され、かつ第1の多層反射膜の頂部に形成される第1導電型のコンタクト領域を含む第1のポスト構造を持つレーザ素子部と、少なくとも第1の多層反射膜から酸化制御層まで周囲が除去され、かつ第1の多層反射膜の頂部に絶縁膜を介して形成される第1のコンタクト領域に接続される電極層を含む第2のポスト構造を持つ電極部とを具備する。電極部がポスト構造を有することにより、電極部の浮遊容量を低減することおよび電極部の強度を向上することが可能となる。また、好ましくは前記電極部が、電極層を分割するように複数のポスト構造から成るようにしても良い。電極部を複数のポスト構造に分割することで、ポスト構造内の浮遊容量をより一層低減することができる。なお、上記第2のポスト構造を含む電極部は、多層反射膜や酸化制御層を含むが、この意図するところは、これら各半導体層がそのように機能するのではなく、レーザ素子部の多層反射膜や酸化制御層と同一の構成を有しているということである。
【0016】
第3の発明に係る表面発光型半導体レーザ素子は、半導体基板上のアルミニウムを含む半導体層の一部を選択的に酸化してなる電流狭窄部を備えたレーザ素子部と、前記レーザ素子部に電流注入のため用いられる電極部とを有し、さらに前記電極部は半導体基板上のアルミニウムを含む半導体層の少なくとも一部を酸化してなる半導体酸化領域部を備え、前記電流狭窄部と前記半導体酸化領域部とが分離されていることを特徴とする。このように、電極部が半導体酸化領域部を備え、かつ電流狭窄部と分離されていることで、電極部の静電容量を低減することができ、レーザ素子の高速動作を行うことができる。
【0017】
好ましくは、前記電極部は前記レーザ素子部から分離溝によって離間されている。あるいは、前記電極部は前記レーザ素子部から独立されている。好ましくは、前記導体層は金属層であって、ボンディング配線用の電極パッドを含む。
【0018】
第4の発明に係る表面発光型半導体レーザ素子は、第1の多層反射膜、酸化制御層、活性層及び第2の多層反射膜が積層されて成る表面発光型半導体レーザ素子において以下の構成を有する。少なくとも第1の多層反射膜から酸化制御層まで周囲が除去され、かつ第1の多層反射膜の頂部に形成される第1導電型のコンタクト領域を含む第1のポスト構造を持つレーザ素子部と、少なくとも第1の多層反射膜から酸化制御層まで周囲が除去され、かつ第1の多層反射膜の頂部に絶縁膜を介して形成されると共に第1導電型コンタクト領域に接続される電極層を含む第2のポスト構造を持つ第1の電極部と、第2の多層反射膜側に形成される第2導電型のコンタクト領域と、少なくとも第1の多層反射膜から酸化制御層まで周囲が除去され、かつ第1の多層反射膜の頂部に絶縁膜を介して形成されると共に前記第2導電型コンタクト領域に接続される電極層を含む第3のポスト構造を持つ第2の電極部とを具備する。このような構成により第1、第2の電極部に起因する浮遊容量を低減することができる。また、第1、第2の電極部を同一面側に配することで、電極の形成を容易に行うことができ、電極形成面と反対側の基板からレーザ出射口を形成することも可能となる。
【0019】
好ましくは、前記第1、第2の電極部の電極層は、ボンディング配線に接続される電極パッド面を有するようにしても良い。この場合、ポンディングパッド面が同一平面にあるためボンディング作業の効率化や信頼性を向上させることができる。また、前記第1、第2の電極部の電極層は、バンプ金属に接続されてもよい。こうすることで表面発光型半導体レーザ素子をフリップチップとして基板等に接続することができる。
【0020】
第5の発明に係る表面発光型半導体レーザ素子の製造方法は、アルミニウムを含む半導体層および第1、第2導電型の半導体層を含む複数の半導体層を基板上に形成し、パターン形成されたマスクを用いて前記アルミニウムを含む半導体層の側面が露出されるように前記複数の半導体層をエッチングし、前記基板上に少なくとも第1、第2のポスト構造を形成し、前記第1、第2のポスト構造の前記アルミニウムを有する半導体層をポスト構造の側面より酸化させ、前記第1、第2のポスト構造を含む前記基板上に絶縁膜を形成し、前記第1のポスト構造の上面より前記絶縁膜を除去し、前記第1のポスト構造から第1導電型の半導体層の少なくとも一部を露出させ、前記第1のポスト構造の露出された半導体層から前記第2のポスト構造の頂部まで金属層を付着させる工程を含む。
【0021】
好ましくは前記方法は、前記第2のポスト構造の頂部に延在する金属層上にボンディング配線を行う工程を含む。さらに好ましくは前記製造方法は、前記第2のポスト構造の頂部に延在する金属層上にバンプ金属を形成する工程を含むものであっても良い。
【0022】
以上のように本発明によれば、電極部をレーザ素子部と同様の構成を含むポスト構造としたため、電極部はレーザ素子部の形成と同時に形成される半導体酸化物領域を含み、これによって電極部に起因する静電容量を低減させることができる。特に、第2のポスト構造に絶縁膜およびその下方にAlAs酸化物等の半導体酸化物層が置かれているため、両者の合成容量は絶縁膜単層の場合に比べ低下する。
【0023】
さらに本発明によれば、電極部がポスト構造を含み、ポスト構造が、ポスト構造を形成する際のエッチング液等に曝されない清浄な頂部を有しているため、かかる頂部上に絶縁膜を形成すれば絶縁膜の密着性が向上され、絶縁膜上にボンディングパッド等の電極面を形成しても、電極面が剥離してしまうような不良の発生を抑制することができる。
【0024】
【発明の実施の形態】
本発明の表面発光型半導体レーザ素子は、いわゆる酸化型VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser Diode)である。レーザ素子部および電極部はポスト構造を含み、ポスト構造はメサ状であってもよい。ポスト構造とは、その周囲を除去された構造をいい、物理的に周囲から分離もしくは離間された構造である。ポスト構造の形成により結果的に周囲に溝あるいは堀等が形成されてもよく、それらの溝あるいは堀の大きさ、形状、あるいは深さについて特に制限するものではない。
【0025】
基板は、半導体基板であることが望ましいが、絶縁基板を用いることも可能である。絶縁基板を用いる場合には、基板の裏面にコンタクト層を設けるのではなく、基板の表面からコンタクトを取る必要がある。この場合、レーザの出射出口を基板裏面から取るようにしても良い。半導体基板は、例えば、GaAs、InP、AlGaAs等を用いることができる。
【0026】
レーザ素子部および電極部の各ポスト構造は、基板上に積層された複数の半導体層を互いに共通に含む。電極部のポスト構造は、SiNx、SiO2等の絶縁膜によって覆われ、ポスト構造の頂部において絶縁膜上に電極パッド面を形成する。レーザ素子部のAlAs層を選択酸化して電流狭窄部を形成するとき、電極部のAlAs層も同時に酸化され、この酸化領域が電極部の静電容量の低減に寄与する。
【0027】
電極部の第2のポスト構造は、複数に分割されたポスト構造であってもよい。ポスト構造を適当な幅の複数のポストに分割することで、各ポストに含まれるAlAs層を好ましくは完全に酸化させることができ、より静電容量を低減させることが可能である。また、電極部のポスト構造上に配される金属層は、ボンディング配線に接続される電極パッド面でもよいし、バンプ金属に接続される電極面でもよい。
【0028】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。図1は本発明に係る面発光レーザの断面図である。1はn型のGaAs基板、2はn型の下部多層半導体反射膜、3はアンドープのスペーサ層とアンドープの量子井戸層とアンドープの障壁層との複数層積層体よりなる活性領域、4はAlAs酸化物よりなる電流狭窄部および浮遊容量低減部、5はp型の上部多層反射膜、6はp型のコンタクト層、7は層間絶縁膜、9はp側環状電極、10は環状電極9から引き出される引き出し配線、11は引き出し配線10から延在する電極パッド、12はn側全面電極、13は金属ボール、14は金属ボール13から引き出されたボンディングワイヤ、15は光出射口である。
【0029】
面発光レーザのレーザ素子部20は、半導体基板1上に積層された半導体層をエッチングすることにより形成された半導体柱(ポスト形状またはポスト構造、あるいはメサ、メサ型と呼ばれることもある)を有する、いわゆる選択酸化型の面発光レーザを構成する。AlAs半導体層の一部を選択酸化し、この酸化物により形成された電流狭窄部4が設けられているため効率の良い電流及び光閉じ込めが実現され、低しきい値電流かつ横モードの安定したレーザ発振が得られる。その反面、電流狭窄部4は等価回路的に素子部に寄生した(parasitic)静電容量を与える要因ともなっているから、過度に大きいと電極パッド部30に起因する浮遊容量と共に素子の高速変調を阻害する働きをしてしまう。
【0030】
レーザ素子部20に電流を注入するためのコンタクト(環状)電極9は素子頂部のp型のコンタクト層6に接続される。実用のため素子をステム等の保持具に実装する際、素子の頂部に設けられたコンタクト電極9に直接ボンディングワイヤを取り付けることも考えられるが、そのためにはコンタクト電極9の領域面積を十分広く取らなければならず、作製工程的にも特性的にも現実的でない。
【0031】
そこで本発明では、レーザ素子部20とは別に、ボンディングワイヤを取り付けるための電極パッド部30を採用する。電極パッド部30は、レーザ素子部20と同様のポスト構造を有し、当然ながらレーザ素子部20と全く同じ半導体積層構造を有している。従って、電極パッド部30のポスト構造は、AlAs半導体層の一部を酸化させた酸化物領域4を含み、これはレーザ素子部20の電流狭窄層部4に対応する。またこの酸化物領域4はポスト頂部が層間絶縁膜7により全面覆われているから電流非注入領域である。したがって電極パッド部30に設けられたAlAs酸化物領域4は電流狭窄には関与しないが、ポスト頂部を覆う層間絶縁膜7と共に静電容量を生ずる。
【0032】
電気回路理論が教えるところによれば、直列接続された静電容量C1、C2の容量性リアクタンスを有する素子の合成容量Cは次式で与えられる。
1/C=1/C1+1/C2
これより有限のC1並びにC2を与えれば、必ずC<C1,C2が成り立つから、ある容量性素子に対し直列に別の容量性素子を付加すると、合成容量はいずれの素子単体の値よりも低下することがわかる。
【0033】
このような原理に基づき本発明は、電極パッド部30において層間絶縁膜7に加えこれに直列となるAlAs酸化物領域4aを設け、AlAs酸化物領域4aを浮遊容量低減部として機能させ、ボンディング配線のため用いられる電極パッド部に起因する浮遊容量を低減させている。さらに、電極パッド部30のポスト構造をレーザ素子部20のポスト構造と分離させることにより以下のような新たな利点があることも確認された。
【0034】
レーザ素子部20の形成にはエッチングと熱処理の各工程を行うが、その際、エッチングして露出した半導体表面はAlGaAs(面発光レーザの作製に用いられる典型的な材料)である場合が多く、Alを含んだ半導体層は熱処理時に酸化されやすい。従来の電極パッド部は、実質的にこの酸化された半導体表面上に確保されており、エッチング時に露出された半導体層上に層間絶縁膜を堆積した後、金属電極を蒸着して電極パッドとしていた。
【0035】
しかし、酸化された半導体表面(AlGaAs)とその上に堆積された層間絶縁膜(SiNx等)との密着性が悪く、電極パッドに金属ワイヤをボンディングする際、層間絶縁膜が引っ張られ半導体表面と乖離し、その結果、層間絶縁膜自体がはがれるか、あるいは層間絶縁膜の変形に伴って電極パッドがはがれてしまうという不具合がしばしば発生した。
【0036】
本発明に係る電極パッド部30は、従来の電極パッド部の構造と異なり、レーザ素子部20とは離間した位置に配置された第2のポスト構造を含み、第2のポスト構造の頂部はエッチング処理されずに残されたGaAsのp型コンタクト層6のままである。このコンタクト層6は、レーザ素子部20のコンタクト層6と同じであり、エッチング時も熱処理時も保護膜で覆われている関係で表面酸化はもちろんのこと、化学的な変性を受けることがない清浄な表面を維持している。このコンタクト層6に層間絶縁膜7と電極パッド11を設けることで、両者の密着性は格段に向上し、ワイヤボンディング等によるはがれの問題は解消された。
【0037】
【実施例】
次に、第1の実施の形態に係る面発光レーザの製造方法について図2および図3を参照して説明する。これらの図は本発明により作製された850nm帯面発光レーザの製造工程を説明するための工程断面図である。
【0038】
有機金属気相成長法(MOCVD法)によりn型のGaAs基板1の(100)面上に、n型の下部多層反射膜2と、アンドープの活性領域3と、p型の上部多層反射膜5と、p型のコンタクト層6とを順積層する(図2(a)参照)。
【0039】
下部多層反射膜2は、n型のAl0.9Ga0.1As層とn型のAl0.15Ga0.85As層との複数層積層体よりなるが、各層の厚さはλ/4nr(但し、λは発振波長、nrは媒質の屈折率)であり、混晶比の異なる層を交互に40.5周期積層してある。n型不純物であるシリコンをドーピングした後のキャリア濃度は3×1018cm-3である。
【0040】
上部多層反射膜5は、p型のAl0.9Ga0.1As層とp型のAl0.15Ga0.85As層との積層体であるが、各層の厚さはλ/4nr(但し、λは発振波長、nrは媒質の屈折率)であり、混晶比の異なる層を交互に24周期積層してある。p型不純物である炭素をドーピングした後のキャリア濃度は5×1018cm-3である。上部多層反射膜5の最下層5aは後にその一部を電流狭窄部4および浮遊容量低減部4aとするためAl0.9Ga0.1Asに代わりAlAsを用いている。
【0041】
上部多層反射膜5の周期数(層数)を下部多層反射膜2のそれよりも少なくしてある理由は、反射率に差をつけて出射光を基板上面より取り出すためである。また、ここでは詳しくは述べないが、素子の直列抵抗を下げるために、上部多層反射膜5中には、Al0.9Ga0.1As層とAl0.15Ga0.85As層との間に、その中間のアルミニウム混晶比を有する中間(グレーデッド)層が介在している。
【0042】
活性領域3は厚さが8nmのアンドープGaAs層よりなる量子井戸層と厚さが5nmのアンドープAl0.3Ga0.7As層よりなる障壁層とを交互に積層した量子井戸構造を含み、波長850nm帯の発光が得られるよう設計されている。
【0043】
同じく活性領域3を構成するアンドープAl0.6Ga0.4As層よりなるスペーサ層はその中央部に量子井戸構造を含み、スペーサ層全体の膜厚はλ/nr(但し、λは発振波長、nrは媒質の屈折率)の整数倍である。これにより活性領域3内に定在波が立つようにして、光強度の最も強い所謂「腹」の部分が量子井戸層の位置に来るようにしてある。
【0044】
p型のGaAs層よるなるコンタクト層6は厚さが20nmの薄い層であるが、p型不純物である炭素をドーピングした後のキャリア濃度は1×1020cm-3である。GaAsはエネルギーバンドギャップがおよそ1.4eVで活性層から放射される850nm帯の光を吸収するが、膜厚が十分薄いため特に問題とならない。
【0045】
基板を成長室から取り出し、RFスパッタリング法を用いてp型のGaAs層からなるコンタクト層6の上部を含む基板全面に窒化シリコン(SiNx)膜を形成する。
【0046】
フォトリソグラフィ技術を使って窒化シリコン膜を直径30μmの円形41と、それと中心間距離が50μm離れた一辺100μmの正方形42の2つのマスク形状に加工する(図2(b)参照)。
【0047】
窒化シリコン膜41、42をエッチングマスクとして塩素系のガスを用いて異方性ドライエッチングを行い、p型のGaAsからなるコンタクト層6、およびp型のAl0.9Ga0.1As層とp型のAl0.15Ga0.85As層との複数層積層体よりなる上部多層反射膜5をエッチング除去して第1、第2の2つのポスト構造(円柱43、および四角柱44)を形成する。この時エッチングは、少なくとも上部多層反射膜5の最下層に位置するAlAs層を露出させる必要がある。
【0048】
残留された2つの構造物43、44を350℃の水蒸気に約20分間接触させて、いわゆるウェット酸化を実施する。この工程により上部多層反射膜5中のAlAs層は外周部(ポスト側面)から酸化されてAl2O3が生成し、ポストの一部に絶縁領域(選択酸化層)が形成される。これによって、ポスト43に電流狭窄部4が形成され、ポスト44に浮遊容量低減部4aが同時に形成される(図3(a)参照)。
【0049】
次に、RFスパッタリング法を用いて露出したポスト43、44の側面を含む基板全面を再び窒化シリコン膜7で覆ってから、フォトリソグラフィ技術を使って円柱状のポスト頂部43の窒化シリコン膜7をエッチング加工して、直径20μmの開口45を形成する。この時四角柱状のポスト44の頂部については加工を要しない(図3(b)参照)。
【0050】
次に、p型のGaAsからなるコンタクト層6と電気的接触を取るよう円柱状のポスト43の頂部の開口45付近に導電性の高い材料からなる金属膜(Ti/Au等)を堆積してp側環状電極9、ポスト側面部から底部にかけては引き出し配線10、四角柱状のポスト44の頂部の窒化シリコン膜7上の電極パッド11をそれぞれ形成する(図3(c)参照)。
【0051】
最後に基板1の裏面に同じく導電性の高い材料からなる金属膜(AuGe/Ni/Au等)を堆積してn側全面電極12とすれば、図1に示す構成の発振波長850nmの表面発光型半導体レーザ素子を得ることができる。
【0052】
さらに実装工程へ進み、電極パッド11に金属ボール13を融着し、そこからボンディングワイヤ14を引き出す。図1に示す実施の形態に係る表面発光型半導体レーザ素子と図7に示す従来の表面発光型半導体レーザ素子との間でボンディングワイヤのプルテスト(引っ張りテスト)を10回を行ったところ、ポスト底部に電極パッドを配置した従来構造のものは強度6.9g/標準偏差0.62gであるのに対し、ポスト構造44の頂部に電極パッド11を配置した本実施の形態に係るものは強度8.8g/標準偏差1.17gを得ることができ、約30%の強度の向上が確認された。
【0053】
上記実施例では電流注入のため用いられる電極パッド部30のポスト構造を正方形としたが、必ずしもこれに限定されることない。これ以外の形状、例えば、円形状、矩形状であっても良い。さらに、電極パッド部30のポスト構造を上方から俯瞰した平面内に分離溝が形成されるような形態としても良い。
【0054】
図4にその具体的構成の上面図を示す。同図(a)は、複数のストライプ状に分割されたポスト構造51を示し、同図(b)は複数のグリッド状に分割されたポスト構造52を示し、同図(c)は放射状に分割されたポスト構造53を示す。同図(d)は、ストライプ状のポスト構造51の断面構成を示し、基板上に3列のポスト部54、55、56を形成し、これらのポスト部は層間絶縁膜7によって覆われ、さらに層間絶縁膜7上に金属層57が堆積させる。金属層57は、レーザ素子部20のコンタクト層6に接続され、ポスト構造51の頂部において電極パッド面を形成する。この例では、金属層57はポスト構造51の頂部にのみ形成されているが、ポスト構造51のポスト部54、55、56の側面に付着されてもよい。
【0055】
電極パッド部30のポスト構造を図4に示すように複数に分割した場合、ポスト頂部の正味の面積の総計が上記第1の実施の形態の構造と同じであったとしても、ポストの周囲長が長くなるから熱処理時に酸化を受けるAlAs層58の面積が増える。分割されたポスト部の径(あるいは幅)がレーザ素子部20の径より小さければ、ポスト部のAlAs層58を完全に酸化させることが可能である。これにより電極パッド部30における合成容量が低減され、高速応答性の向上が期待できる。
【0056】
また、ワイヤボンディング時に必要な面積はワイヤの径とそれに関係する金属ボールの径により決定されるので、複数の分割溝を有するポスト構造物で電極パッド部30を構成する方法は、必要最小限の電極パッド面積に対して浮遊容量低減部の面積を増やすため有効な手段である。この時、金属電極はポスト頂部にのみ形成しても良いし、図4(d)に示すように層間絶縁膜7で覆われた分離溝とその側面も含め形成しても良い。ちなみに、ボンディングワイヤのプルテストでは、同図(a)のストライプタイプのもので5−7gであり、従来のポスト底部のボンディングのものが2−7gのばらつきを有することに比べると、そのばらつき度合いが小さく、安定した接合強度を有している。
【0057】
次に、本実施例に係る面発光レーザの静電容量について説明する。
平行平板導体間に生ずる静電容量Cは次式で与えられる。
C=ε0εsA/L
ここで、ε0は真空の誘電率(8.854×10- 12 F/m)、εsは材料固有の比誘電率、Aは導体の面積、Lは導体間の距離を表す。
【0058】
AlAs酸化物の組成は、Al2O3にほぼ等しいから比誘電率はおよそ10と推測される。実施例では層間絶縁膜としてSiNxを使用したが、この材料の比誘電率はおよそ6.5である。各々の膜厚はAlAs酸化物の場合、元の材料であるAlAs層を40nmとしたから膜厚の変化は+10%と考えて4.4×10−8 m、層間絶縁膜であるSiNxは3×10−7 m(=0.3μm)である。
【0059】
後の計算では材料の層構成は同じで、面積のみ異なる場合が多いから、素子部に相当するAlAs酸化物のみ有する場合(I型)、電極パッド部に相当する層間膜のみ有する場合(II型)、AlAs酸化物と層間膜を有する場合(III型)、の3つの場合に分けて考える。
【0060】
はじめに層構成が単純なI型およびII型について上式に基づいて単位面積当たりの静電容量を計算すると、I型は2.01×10―3 F/m2、II型は1.92×10−4 F/m2となる。
【0061】
次に、上記実施例に示した面発光レーザ素子について、レーザ素子部20および電極パッド部30に起因する静電容量を求める。図5(a)はI型に対応し、レーザ素子部の上面図であってそのAlAs酸化物の酸化領域を斜線で示している。AlAs酸化領域の内径は約5μm、外径は15μmであり、単位面積当たりの静電容量に面積を掛けた値は、約1.26pFである。
【0062】
図5(b)はII型に対応し、即ち従来例の電極パッド部の層間絶縁膜を示す。層間絶縁膜の一辺の長さは100μmであり、静電容量Cは、約1.92pFである。
【0063】
図5(c)はIII型に対応し、即ち本実施例の面発光レーザにおける電極パッド部の層間絶縁膜とAlAs酸化物領域とを示す。III型はAlAs酸化物に層間絶縁膜も加わって両者の直列接続と理解できる。全体は一辺が100μmであり、斜線で示している面積がAlAsの酸化領域の面積で、その幅は10μmである。静電容量Cは、約1.53pFであり、従来例と比較して静電容量Cが低減されている。
【0064】
他方、電極パッド部のポスト構造を、図4(a)に示すような20μm幅の複数のストライプに分割した場合、その静電容量Cは約1.25pFであり、図5(b)に示す従来例と比べて35%の静電容量の低減となる。但しここではボンディングに使用する電極はポスト頂部にのみ形成されると仮定した。
【0065】
本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【0066】
図6は、面発光レーザの電極パッド部のポスト構造をバンプ電極に適用した例を示す。面発光レーザ60は、レーザ素子部61と第1、第2の電極部62、63を有する。レーザ素子部61および電極部62はそれぞれ分離溝によって隔離された第1、第2のポスト構造を有し、ポスト構造の構成は、上記第1の実施の態様(図1)と同様である。第1の電極部62のポスト構造は、その表面にレーザ素子部61のp型のコンタクト層に接続された金属層64を延在させ、金属層64を含むポスト構造上にバンプ電極65が形成されている。
【0067】
第2の電極部63は、ポスト構造を形成する際にエッチングされたポスト底部上に形成されたバンプ電極66を有する。エッチングにより露出された半導体層は、n型の半導体多層反射膜の一部であり、この上に形成された層間絶縁膜7にコンタクト用の開口67を形成する。コンタクト用の開口67を介して金属層68を付着し、金属層68上にバンプ電極66を形成する。バンプ電極66はバンプ電極65とほぼ同一の高さを有する。
【0068】
第1、第2の電極62、63はほぼ同一の高さに形成され、これらのバンプ電極65、66をフリップ用電極として用いることができる。このような電極構造を採用することで、半導体基板の一面側に電極端子を配置させ、面発光レーザの取り付けに柔軟性を持たせることができる。なお、この場合には、レーザの出射口を基板の裏面側にしても良く、p型の半導体多層反射膜の周期をn型の半導体多層反射膜の周期よりも大きくし、出射口に合わせて基板に溝を形成することが望ましい。
【0069】
図7は、面発光レーザのn型の裏面電極をワイヤボンディング電極に代えた例を示す。面発光レーザ70は、レーザ素子部71と、第1、第2の電極パッド部72、73を有する。レーザ素子部71および第1の電極72は、上記第1の実施の形態(図1)の構成と同じである。
【0070】
面発光レーザ70は、第2の電極パッド部73を形成するための第3のポスト構造を有する。第3のポスト構造は、第1の電極パッド部72の第2のポスト構造と基本的な構成を同じにする。第3のポスト構造は、層間絶縁膜7によって覆われ、その上に電極パッド74が形成され、電極パッド74は金属層75によって提供される。金属層75は、ポスト構造の形成の際に露出されたn型の半導体多層反射膜2の一部に接続される。第3のポスト構造にもAlAs酸化物領域が含まれており、第2の電極パッド部73も第1の電極パッド部72と同様に静電容量を低減され、かつワイヤボンディングによる電極面の接合強度も十分である。本例においても、半導体基板の一面側から電極端子を取る構成であり、レーザの出射口を半導体基板の裏面側にしても良い。
【0071】
【発明の効果】
以上述べたように本発明によれば、ポスト構造を有する表面発光型半導体レーザ素子において、電極部(電極パッド部)をポスト構造とし、かかるポスト構造に導体層を形成するようにしたので、電極部に起因する浮遊容量を低減することが可能となり、レーザ素子の高速変調特性を格段に向上させることができる。特に、電極部がレーザ素子部の電流狭窄層と同様の構成からなる半導体酸化物領域を含めることでより一層の浮遊容量を低減させることが期待される。
【0072】
さらに、ポスト構造の頂部に絶縁膜を挟んでワイヤボンディングのため用いられる導体層を備えており、ポスト構造形成時のエッチング液に曝されないポスト頂部にボンディング面があることから、半導体表面と絶縁膜との密着性が良好で、ボンディング時にワイヤがはがれるといった不良が発生せず、特性の均一性や歩留りを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施の形態に係る面発光レーザの概略構成を示し、同図(a)はその断面図を示し、同図(b)はその上面図を示す。
【図2】 本発明の実施の形態に係る面発光レーザの製造工程を示す図である。
【図3】 本発明の実施の形態に係る面発光レーザの製造工程を示す図である。
【図4】 本発明の第2の実施の形態に係る面発光レーザの電極パッド部の上面図である。
【図5】 図5(a)はAlAs酸化物の領域を示し、同図(b)は従来の電極パッド部の層間絶縁膜の領域を示し、同図(c)は本実施の形態に係る電極パッド部のAlAs酸化物と層間絶縁膜の領域を示す平面図である。
【図6】 本発明の第3の実施の形態に係る面発光レーザの構成を示す断面図である。
【図7】 本発明の第4の実施の形態に係る面発光レーザの構成を示す断面図である。
【図8】 従来の面発光レーザの一般的な構成を示し、同図(a)はその断面図を示し、同図(b)はその上面図を示す。
【符号の説明】
1:n型GaAs基板、 2:n型下部多層反射膜、
3:活性領域、
4:AlAs酸化物(電流狭窄部、浮遊容量低減部)
5:p型上部多層反射膜、 5a:AlAs層、
6:p型コンタクト層、 7:層間絶縁膜、
9:p側環状電極、 10:引き出し配線、
11:電極パッド、 12:n側電極、
13:金属ボール、 14:ボンディングワイヤ、
15:光出射口、 20、61、71:レーザ素子部、
30:電極パッド部、 43、44:ポスト
51、52、53:ポスト構造
Claims (14)
- 基板と、前記基板上に形成される頂部にコンタクト領域を持つ第1のポスト構造を含むレーザ素子部と、前記基板上に形成される第2のポスト構造を含む電極部とを有し、第1および第2のポスト構造は、基板上に積層された半導体層の周囲を除去されており、第1のポスト構造の頂部には前記コンタクト層に電気的に接続されかつ光出射口が形成された電極層が形成され、前記電極部は、前記コンタクト領域に電気的に接続された前記電極層から延在する導体層を含み、
さらに、前記第2のポスト構造は絶縁膜によって側面および頂部が覆われ、前記第2のポスト構造の頂部において前記絶縁膜上に前記導体層が形成され、
前記レーザ素子部は、前記第1のポスト構造内にポスト側面から半導体層の一部を酸化させた酸化領域を有し、前記電極部は、前記第2のポスト構造内にポスト側面から半導体層の一部を酸化させた酸化領域を有する、表面発光型半導体レーザ素子。 - 前記第1のポスト構造は、前記基板上に第1、第2の半導体多層反射膜と、該第1、第2の半導体多層反射膜との間に活性層とを含み、前記第2のポスト構造は、前記第1、第2の半導体多層反射膜および前記活性層と同一組成の半導体層を含む、請求項1に記載の表面発光型半導体レーザ素子。
- 前記第1、第2のポスト構造は、メサ状である請求項1または2に記載の表面発光型半導体レーザ素子。
- 前記第2のポスト構造の前記導体層は、ボンディング配線に接続される電極面またはバンプ金属に接続される電極面を提供する請求項1ないし3いずれかに記載の表面発光型半導体レーザ素子。
- 前記第1のポスト構造内のポスト側面から半導体層の一部を酸化させた酸化領域は、電流狭窄領部であり、前記第2のポスト構造内のポスト側面から半導体層の一部を酸化させた酸化領域は、浮遊容量低減部である、請求項1ないし4いずれか1つに記載の表面発光型半導体レーザ素子。
- 第1の多層反射膜、半導体層の一部に酸化領域を含む酸化層、活性層及び第2の多層反射膜が積層されて成る表面発光型半導体レーザ素子において、
少なくとも第1の多層反射膜から酸化層まで周囲が除去され、かつ第1の多層反射膜の頂部に形成される第1導電型のコンタクト領域を含む第1のポスト構造を持つレーザ素子部と、
少なくとも第1の多層反射膜から酸化層まで周囲が除去され、かつ第1の多層反射膜の頂部に絶縁膜を介して形成される第1導電型のコンタクト領域に接続される電極層を含む第2のポスト構造を持つ電極部とを具備し、
第1のポスト構造の頂部には前記コンタクト層に電気的に接続されかつ光出射口が形成された電極が形成され、
第2のポスト構造の頂部には前記絶縁膜を介して前記電極層が形成され、前記電極層は、第1のポスト構造と第2のポスト構造の間を沿うように形成された引き出し配線によって前記電極に接続され、
第1および第2のポスト構造の酸化層は、ポスト側面から酸化を制御された酸化領域を含む、ことを特徴とする表面発光型半導体レーザ素子。 - 前記電極部が、導体層を分割するように複数のポスト構造から成る請求項6に記載の表面発光型半導体レーザ素子。
- 前記第1のポスト構造内のポスト側面から半導体層の一部を酸化させた酸化領域は、電流狭窄領部であり、前記第2のポスト構造内のポスト側面から半導体層の一部を酸化させた酸化領域は、浮遊容量低減部である、請求項6または7つに記載の表面発光型半導体レーザ素子。
- 第1の多層反射膜、アルミニウムを含む半導体層の一部に酸化領域が形成された酸化層、活性層及び第2の多層反射膜が積層されて成る表面発光型半導体レーザ素子において、
少なくとも第1の多層反射膜から酸化層まで周囲が除去され、かつ第1の多層反射膜の頂部に形成される第1導電型のコンタクト領域を含む第1のポスト構造を持つレーザ素子部と、
少なくとも第1の多層反射膜から酸化層まで周囲が除去され、かつ第1の多層反射膜の頂部に絶縁膜を介して形成されると共に第1導電型コンタクト領域に接続される電極層を含む第2のポスト構造を持つ第1の電極部と、
第2の多層反射膜側に形成される第2導電型のコンタクト領域と、
少なくとも第1の多層反射膜から酸化層まで周囲が除去され、かつ第1の多層反射膜の頂部に絶縁膜を介して形成されると共に前記第2導電型コンタクト領域に接続される電極層を含む第3のポスト構造を持つ第2の電極部とを具備し、
第1および第2のポスト構造の酸化層は、ポスト側面から酸化を制御された酸化領域を含む、表面発光型半導体レーザ素子。 - 前記第1、第2の電極部の少なくとも一方の電極部が、電極層を分割するように複数のポスト構造から成る請求項9に記載の表面発光型半導体レーザ素子。
- 前記第1のポスト構造内のポスト側面から半導体層の一部を酸化させた酸化領域は、電流狭窄領部であり、前記第2のポスト構造内のポスト側面から半導体層の一部を酸化させた酸化領域は、浮遊容量低減部である、請求項9または10に記載の表面発光型半導体レーザ素子。
- アルミニウムを含む半導体層および第1、第2導電型の半導体層を含む複数の半導体層を基板上に形成し、
パターン形成されたマスクを用いて前記アルミニウムを含む半導体層の側面が露出されるように前記複数の半導体層をエッチングし、前記基板上に周囲が除去された少なくとも第1、第2のポスト構造を形成し、
前記第1、第2のポスト構造の前記アルミニウムを有する半導体層をポスト構造の側面より酸化させ、前記アルミニウムを有する半導体層の一部に酸化領域を形成し、
前記第1、第2のポスト構造を含む前記基板上に絶縁膜を形成し、
前記第1のポスト構造の上面より前記絶縁膜を除去し、前記第1のポスト構造から第1導電型の半導体層の少なくとも一部を露出させ、
前記第1のポスト構造の露出された半導体層から前記第2のポスト構造の頂部まで金属層を付着させる工程を含み、前記金属層には第1のポスト構造の頂部にレーザ光を出射する出射口が形成され、第2のポスト構造の頂部には絶縁層を介して前記金属層が形成されている、表面発光型半導体レーザ素子の製造方法。 - 前記製造方法は、前記第2のポスト構造の頂部に延在する金属層上にボンディング配線を行う工程を含む、請求項9に記載の表面発光型半導体レーザ素子の製造方法。
- 前記製造方法は、前記第2のポスト構造の頂部に延在する金属層上にバンプ金属を形成する工程を含む、請求項13に記載の表面発光型半導体レーザ素子の製造方法。
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JP2006351799A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 表面発光型半導体素子アレイ |
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JP4821967B2 (ja) * | 2005-08-25 | 2011-11-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 半導体レーザ装置およびこれを用いた光送信装置 |
JP4877471B2 (ja) * | 2005-10-25 | 2012-02-15 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光半導体レーザの製造方法 |
WO2007088584A1 (ja) | 2006-01-31 | 2007-08-09 | Fujitsu Limited | 光モジュールおよびその製造方法 |
KR100736623B1 (ko) | 2006-05-08 | 2007-07-09 | 엘지전자 주식회사 | 수직형 발광 소자 및 그 제조방법 |
JP5034368B2 (ja) * | 2006-08-17 | 2012-09-26 | 富士ゼロックス株式会社 | 高周波特性が改善された表面発光型半導体レーザ素子 |
JP4935278B2 (ja) * | 2006-09-28 | 2012-05-23 | 富士ゼロックス株式会社 | 表面発光型半導体アレイ素子、モジュール、光源装置、情報処理装置、光送信装置、光空間伝送装置、および光空間伝送システム |
US7935979B2 (en) * | 2008-05-01 | 2011-05-03 | Bridgelux, Inc. | Wire bonding to connect electrodes |
JP5316783B2 (ja) | 2008-05-15 | 2013-10-16 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 |
JP2009295792A (ja) | 2008-06-05 | 2009-12-17 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 |
JP5748949B2 (ja) * | 2008-11-20 | 2015-07-15 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 |
JP5321886B2 (ja) * | 2009-02-06 | 2013-10-23 | ソニー株式会社 | 半導体素子 |
JP2010267647A (ja) * | 2009-05-12 | 2010-11-25 | Opnext Japan Inc | 半導体装置 |
CN103872580B (zh) * | 2014-01-24 | 2016-12-07 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 介质薄膜电流限制型垂直腔面发射激光器及其制作方法 |
WO2016133292A1 (ko) * | 2015-02-16 | 2016-08-25 | 서울바이오시스 주식회사 | 광 추출 효율이 향상된 발광 소자 |
CN106611934A (zh) * | 2015-10-21 | 2017-05-03 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 采用石墨烯进行电极搭桥的面发射激光器及其制备方法 |
JP6380512B2 (ja) * | 2016-11-16 | 2018-08-29 | 富士ゼロックス株式会社 | 発光素子アレイ、および光伝送装置 |
CN109698264B (zh) * | 2017-10-20 | 2020-08-18 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
JP7131273B2 (ja) * | 2018-10-05 | 2022-09-06 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケードレーザ |
JP7434710B2 (ja) * | 2019-02-07 | 2024-02-21 | 富士フイルムビジネスイノベーション株式会社 | 光半導体素子、光半導体装置、光伝送システム、および光半導体装置の製造方法 |
CN109687288B (zh) * | 2019-03-01 | 2023-06-13 | 厦门乾照半导体科技有限公司 | 一种高密度vcsel阵列结构及其制备方法 |
JP2020181863A (ja) * | 2019-04-24 | 2020-11-05 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体レーザーおよび原子発振器 |
CN111313235B (zh) * | 2020-03-04 | 2021-09-14 | 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 | 一种垂直腔面发射激光器及其制造方法 |
CN111211482B (zh) * | 2020-03-04 | 2021-09-14 | 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 | 一种垂直腔面发射激光器及其制造方法与应用 |
CN113725726B (zh) * | 2020-05-25 | 2024-01-05 | 浙江睿熙科技有限公司 | 外腔式vcsel激光器、vcsel阵列和激光器的制备方法 |
CN115764553B (zh) * | 2023-01-09 | 2023-05-02 | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 | 一种二维可寻址vcsel及其制备方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US5796714A (en) | 1994-09-28 | 1998-08-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical module having a vertical-cavity surface-emitting laser |
US5638392A (en) * | 1995-05-15 | 1997-06-10 | Motorola | Short wavelength VCSEL |
JP3164203B2 (ja) | 1996-02-16 | 2001-05-08 | 日本電信電話株式会社 | 面発光レーザおよびその製造方法 |
US5748661A (en) * | 1996-07-19 | 1998-05-05 | Motorola, Inc. | Integrated lateral detector and laser device and method of fabrication |
US5903588A (en) * | 1997-03-06 | 1999-05-11 | Honeywell Inc. | Laser with a selectively changed current confining layer |
JPH10335383A (ja) | 1997-05-28 | 1998-12-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP3652108B2 (ja) * | 1998-03-16 | 2005-05-25 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード |
JP3559453B2 (ja) * | 1998-06-29 | 2004-09-02 | 株式会社東芝 | 発光素子 |
JP4423699B2 (ja) * | 1999-05-27 | 2010-03-03 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ素子及びその作製方法 |
JP2001102673A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体レーザダイオード |
JP3791584B2 (ja) | 1999-12-28 | 2006-06-28 | セイコーエプソン株式会社 | 面発光型半導体レーザおよび面発光型半導体レーザアレイ |
US6658040B1 (en) * | 2000-07-28 | 2003-12-02 | Agilent Technologies, Inc. | High speed VCSEL |
JP3735047B2 (ja) * | 2000-07-31 | 2006-01-11 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザ素子及びその作製方法 |
JP2002164621A (ja) * | 2000-11-28 | 2002-06-07 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光半導体レーザ素子 |
US6687268B2 (en) * | 2001-03-26 | 2004-02-03 | Seiko Epson Corporation | Surface emitting laser and photodiode, manufacturing method therefor, and optoelectric integrated circuit using the surface emitting laser and the photodiode |
JP2002368334A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-12-20 | Seiko Epson Corp | 面発光レーザ、フォトダイオード、それらの製造方法及びそれらを用いた光電気混載回路 |
JP2002353561A (ja) | 2001-05-23 | 2002-12-06 | Canon Inc | 面発光レーザ装置およびその製造方法 |
JP4115125B2 (ja) * | 2001-12-13 | 2008-07-09 | 古河電気工業株式会社 | 面発光型半導体レーザ素子 |
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