KR930001529A - 반도체 레이저 장치 - Google Patents
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 사용되는 반도체 기판의 사시도.
제2도는 본 발명에 따른 반도체 레이저소자의 사시도.
제3도는 제2도의 (a)에서 바라본 측면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 반도체 기판 2 : 제1클래드층
3 : 활성층 4 : 제2클래드층
5 : 캡층 6 : SiO2막
7 : 전극 8 : 발광영역
Claims (2)
- 횡모드를 제한하기 위한 V홈이 중앙부에 형성되고 거울면 부근이 낮은 계단 형상을 갖는 반도체 기판상에 상기 거울면 부근에서 원호형상으로 휘어져 성장된 활성층을 포함하여 이루어진 반도체 레이저장치.
- 제1항에 있어서, 상기 활성층은 LPE 법에 의한 성장층임을 특징으로 하는 반도체 레이저장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019910010607A KR940005758B1 (ko) | 1991-06-25 | 1991-06-25 | 반도체 레이저 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019910010607A KR940005758B1 (ko) | 1991-06-25 | 1991-06-25 | 반도체 레이저 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR930001529A true KR930001529A (ko) | 1993-01-16 |
KR940005758B1 KR940005758B1 (ko) | 1994-06-23 |
Family
ID=19316286
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019910010607A KR940005758B1 (ko) | 1991-06-25 | 1991-06-25 | 반도체 레이저 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR940005758B1 (ko) |
-
1991
- 1991-06-25 KR KR1019910010607A patent/KR940005758B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR940005758B1 (ko) | 1994-06-23 |
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