KR930001529A - 반도체 레이저 장치 - Google Patents

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KR930001529A
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고현철
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이헌조
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating

Abstract

내용 없음

Description

반도체 레이저 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 사용되는 반도체 기판의 사시도.
제2도는 본 발명에 따른 반도체 레이저소자의 사시도.
제3도는 제2도의 (a)에서 바라본 측면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 반도체 기판 2 : 제1클래드층
3 : 활성층 4 : 제2클래드층
5 : 캡층 6 : SiO2
7 : 전극 8 : 발광영역

Claims (2)

  1. 횡모드를 제한하기 위한 V홈이 중앙부에 형성되고 거울면 부근이 낮은 계단 형상을 갖는 반도체 기판상에 상기 거울면 부근에서 원호형상으로 휘어져 성장된 활성층을 포함하여 이루어진 반도체 레이저장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 활성층은 LPE 법에 의한 성장층임을 특징으로 하는 반도체 레이저장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019910010607A 1991-06-25 1991-06-25 반도체 레이저 장치 KR940005758B1 (ko)

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