KR860006851A - 반도체 레이저 - Google Patents

반도체 레이저 Download PDF

Info

Publication number
KR860006851A
KR860006851A KR1019860000734A KR860000734A KR860006851A KR 860006851 A KR860006851 A KR 860006851A KR 1019860000734 A KR1019860000734 A KR 1019860000734A KR 860000734 A KR860000734 A KR 860000734A KR 860006851 A KR860006851 A KR 860006851A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
clad
semiconductor laser
clad layer
active layer
Prior art date
Application number
KR1019860000734A
Other languages
English (en)
Other versions
KR940006782B1 (ko
Inventor
요시후미 모리
요시후미 모리 (외 1)
죠이찌 오가다
Original Assignee
소니 가부시끼가이샤
오오가노리오
소니 가부시끼 가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 소니 가부시끼가이샤, 오오가노리오, 소니 가부시끼 가이샤 filed Critical 소니 가부시끼가이샤
Publication of KR860006851A publication Critical patent/KR860006851A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR940006782B1 publication Critical patent/KR940006782B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

반도체 레이저
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 반도체 레이저의 일예의 개략적 확대 단면도. 제2도는 본 발명의 제조 공정도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1: 화합물 반도체 기판, 2: 제1클래드 층, 2a: 사면, 3: 광도파층, 4: 활성층, 5: 제2의 클래드 층, 6: 캡층, 7: 보조 전류 협착층. 8, 9: 전극, 12: 메사.

Claims (1)

  1. (100) 결정면을 주면으로 하고, 상기 주면에 凹凸이 형성된 화합물 반도체 기판과, 상기 凹凸을 갖는 주면상에, 차례로 설치된 각각의 에피텍셜 설장층에 의한 제1의 도전형의 제1의 클래드 층과 활성층과 제2도전형의 제2의 클래드를 구비하고, 상기 제1의 클래드 층이, (111)B 결정면에 의한 상기 활성층이 실질적으로 존재하지 않는 측벽사면을 가지며, 상기 제2의 클래드 층이, 상기 제1의 클래드 층의 상기 측벽사면위에 걸쳐 상기 활성층을 피복시키는 것처럼 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019860000734A 1985-02-08 1986-02-04 반도체 레이저 KR940006782B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22989 1985-02-08
JP85-22989 1985-02-08
JP60022989A JP2716693B2 (ja) 1985-02-08 1985-02-08 半導体レーザー

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR860006851A true KR860006851A (ko) 1986-09-15
KR940006782B1 KR940006782B1 (ko) 1994-07-27

Family

ID=12097944

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019860000734A KR940006782B1 (ko) 1985-02-08 1986-02-04 반도체 레이저

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4737961A (ko)
EP (1) EP0190737B1 (ko)
JP (1) JP2716693B2 (ko)
KR (1) KR940006782B1 (ko)
CA (1) CA1268846A (ko)
DE (1) DE3650133T2 (ko)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8622767D0 (en) * 1986-09-22 1986-10-29 British Telecomm Semiconductor structures
US4932033A (en) * 1986-09-26 1990-06-05 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor laser having a lateral p-n junction utilizing inclined surface and method of manufacturing same
JPH0646669B2 (ja) * 1987-07-28 1994-06-15 日本電気株式会社 半導体レ−ザ及びその製造方法
DE3877750T2 (de) * 1988-06-28 1993-07-08 Ibm Verfahren fuer das selektive aufwachsen von gaas.
US5070510A (en) * 1989-12-12 1991-12-03 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device
EP0473443B1 (en) * 1990-08-30 1999-03-24 Sharp Kabushiki Kaisha Buried-stripe type semiconductor laser device
JP2613975B2 (ja) * 1990-12-04 1997-05-28 シャープ株式会社 周期利得型半導体レーザ素子
JPH04236468A (ja) * 1991-01-18 1992-08-25 Toshiba Corp 光通信用発光ダイオ−ド素子
JP2823476B2 (ja) * 1992-05-14 1998-11-11 三菱電機株式会社 半導体レーザおよびその製造方法
GB2299710B (en) * 1992-05-14 1997-01-08 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor laser and method for manufacturing semiconductor laser
JPH06132608A (ja) * 1992-10-20 1994-05-13 Sony Corp 半導体レーザ及びその製造方法
JP2001352130A (ja) * 2000-06-05 2001-12-21 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レーザーおよびその作製方法
JP4124017B2 (ja) * 2003-05-12 2008-07-23 ソニー株式会社 面発光型半導体レーザ素子の製造方法
JP4613304B2 (ja) 2004-09-07 2011-01-19 独立行政法人産業技術総合研究所 量子ナノ構造半導体レーザ

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4099305A (en) * 1977-03-14 1978-07-11 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Fabrication of mesa devices by MBE growth over channeled substrates
US4215319A (en) * 1979-01-17 1980-07-29 Rca Corporation Single filament semiconductor laser
US4429397A (en) * 1980-06-26 1984-01-31 Nippon Electric Co., Ltd. Buried heterostructure laser diode
JPS5712583A (en) * 1980-06-26 1982-01-22 Nec Corp Manufacture of semiconductor laser
JPS5712588A (en) * 1980-06-26 1982-01-22 Nec Corp Manufacture of buried type heterojunction laser element
GB2115608B (en) * 1982-02-24 1985-10-30 Plessey Co Plc Semi-conductor lasers
JPS59129486A (ja) * 1983-01-14 1984-07-25 Toshiba Corp 半導体レーザ装置の製造方法
JPH0682886B2 (ja) * 1984-06-08 1994-10-19 株式会社日立製作所 半導体レーザ装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CA1268846C (en) 1990-05-08
EP0190737B1 (en) 1994-11-09
JPS61183987A (ja) 1986-08-16
KR940006782B1 (ko) 1994-07-27
DE3650133D1 (de) 1994-12-15
US4737961A (en) 1988-04-12
CA1268846A (en) 1990-05-08
JP2716693B2 (ja) 1998-02-18
EP0190737A3 (en) 1987-10-21
DE3650133T2 (de) 1995-06-01
EP0190737A2 (en) 1986-08-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR860006851A (ko) 반도체 레이저
KR870001687A (ko) 반도체 레이저
KR900005656A (ko) 반도체 레이저 장치
KR870002669A (ko) 반도체 레이저다이오드
JPS55150271A (en) Semiconductor device
KR900008911A (ko) 발광다이오드 어레이 및 그 제조방법
JPS647681A (en) Distributed reflex semiconductor laser
KR880008479A (ko) 반도체레이저장치의 제조방법
JPS57162382A (en) Semiconductor laser
KR920009006A (ko) 레이저다이오드 및 그 제조방법
KR920011003A (ko) 화합물 반도체 레이저
KR920009007A (ko) 레이저다이오드 및 그 제조방법
KR930022644A (ko) 반도체 레이저 다이오드
KR860003676A (ko) 발광다이오드의 제조방법
KR920020796A (ko) 레이저다이오드의 제조방법
KR930020786A (ko) 레이저다이오드 및 그 제조방법
KR930007015A (ko) 레이저다이오드 및 그 제조방법
KR920013827A (ko) 레이저 다이오드 및 그 제조방법
KR850700185A (ko) 반도체 집적 회로
KR930001529A (ko) 반도체 레이저 장치
JPS57190390A (en) Semiconductor laser element
KR920013832A (ko) 레이저 다이오드 및 그 제조방법
KR920009008A (ko) 레이저 다이오드의 제조방법
KR970054969A (ko) 고출력 레이저 다이오드
KR910019298A (ko) 매립형 이종구조(buried heterostructure) 레이저 다이오드 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20050630

Year of fee payment: 12

EXPY Expiration of term