KR920013832A - 레이저 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음

Description

레이저 다이오드 및 그 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제3도는 이 발명에 따른 레이저 다이오드의 단면도.제4도의 (A),(B),(C)는 이 발명에 따른 레이저 다이오드의 제조공정도이다.

Claims (8)

1. 두개의 V-채널을 가지는 제1도전형의 반도체 기판(1)과 상기 제1도전형의 반도체기판(1)상의 V-채널면에는 제2도전형이고 나머지 영역은 제1도전형으로 된 전류 제한층(2)과, 상기 전류 제한층(2)의 상부에 형성된 제1도전형의 제1클래드층(3)과, 상기 제1클래드층(3)의 상부에 형성된 제1또는 제2도전형의 활성층(4)과, 상기 활성층(4)의 상부에 형성된 제2도전형의 제2클래드층(5)과, 상기 제2클래드층(5)상부에 형성된 제2도전형의 캡층(6)과, 상기 두개의 V-채널영역 및 그 사이의 영역의 외측에 상기 캡층(6)에서 제1클래드층(3)의 일부가 겹치도록 형성된 소자분리영역(7)과, 상기 V-채널 사이의 캡층(6)표면에 제2도전형의 전극(8)과, 상기 제1도전형의 반도체 기판(1) 하부표면에 형성된 제1도전형의 전극(9)으로 구성됨을 특징으로 하는 레이저 다이오드.
2. 제1항에 있어서, 상기 제1도전형이 N형이고 제2도전형이 P형인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.
3. 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판은{100}결정면을 가지는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.
4. 제3항에 있어서, 상기 V-채널면은 {111}A결정면을 가지는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드
5. 제1항에 있어서, 상기 전류제한층이 Si이 도핑된 GaAs층임을 특징으로 하는 레이저 다이오드.
6. 제1도전형의 반도체기판(1)상부에 두개의 V-채널을 형성하는 공정과, 상기 반도체 기판(12)상에 V-채널면에는 제2도전형이고 나머지 영역에는 제1도전형인 전류 제한층(2)을 형성하는 공정과, 상기 전류 제한층(2)의 상부에 제1도전형의 제1클래드층(3)을 형성하는 공정과, 상기 제1클래드층(3)상부에 제1또는 제2도전형의 활성층(4)을 형성하는 공정과, 상기 활성층(4)의 상부에 제2도전형의 제2클래드층(5)을 형성하는 공정과, 상기 제2클래드층(5)상부에 제2도전형의 캡층(6)을 형성하는 공정과, 상기 두개의 V-채널영역 및 그 사이의 영역의 외측에 상기 캡층(6)에서 제1클래드층(3)의 일부가 겹치도록 이온주입으로 소자분리영역(7)을 형성하는 공정과, 상기 V-채널사이의 캡층(6)표면에 제2도전형의 전극(8)을 형성하는 공정과, 상기 제1도전형의 반도체 기판(1)하부표면에 제1도전형의 전극(9)을 형성하는 공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
7. 제6항에 있어서, 상기 전류 제한층을 MBE방법으로 하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
8. 제6항에 있어서, 상기의 제조공정을 단한번의 에피탁시로 행하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.