KR920020698A - 반도체 다이오드 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도(a)-(d)는 본 발명의 1실시예에 따른 제조공정도.
제2도는 본 발명에 따라 제조된 반도체 다이오드의 사시도이다.
Claims (1)
- GaAs기판상에 제1도전형의 GaAs층, 제2도전형의 GaAs층이 각각 적층되며, 제2도전층의 GaAs층위에 일부분에는 포토다이오드층이 형성되어 다른 일부분에는 DH구조로 레이저 다이오드층이 형성됨과 함께 DH구조의 상부와 기판 하부에 전극이 형성되어 구성되는 것을 특징으로 하는 포토다이오드가 형성된 반도체 다이오드.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910006134A KR920020698A (ko) | 1991-04-17 | 1991-04-17 | 반도체 다이오드 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910006134A KR920020698A (ko) | 1991-04-17 | 1991-04-17 | 반도체 다이오드 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920020698A true KR920020698A (ko) | 1992-11-21 |
Family
ID=67432662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910006134A KR920020698A (ko) | 1991-04-17 | 1991-04-17 | 반도체 다이오드 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920020698A (ko) |
-
1991
- 1991-04-17 KR KR1019910006134A patent/KR920020698A/ko not_active Application Discontinuation
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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