KR850002178A - 광검출 집적회로 소자 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

광검출 집적회로 소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명을 2개의 양호한 형태로 구현한 집적회로의 간략한 사시도. 제2도는 제1도의 집적회로 제작에서 채택한 에칭 공정의 연속적인 단계를 나타내는 간략한 횡단면도. 제3도는 제1도의 회로 설계에서 제2의 FET가 추가될 수 있음을 보여주는 집적회로의 사시도.

Claims (30)

  1. 전장 효과 트랜지스터(FET)와 상기 FET의 게이트에 연결된 PIN 광전 다이오드와, 반도체 층으로 제작한 상기 FET와, 또 상기 반도체 층으로 제작한 상기 PIN 다이오드를 포함하는 광검출 집적회로 소자에 있어서, 상기 PIN 다오드 및 FET는 상기 PIN 다이오드가 FET의 단위 면적당 게이트 용량에 비해 적은 용량을 갖도록 구성한 것을 특징으로 하는 광검출 집적회로 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체층은 FET의 채널층을 형성하는 n형 층을 포함하고 상기 채널층보다 더 두꺼운 반절연의 버퍼층 또는 n형층을 덮는 것을 특징으로 하는 광검출 집적회로 소자.
  3. 제2항에 있어서, 상기 버퍼층은 약 1미크론의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 광검출 집적회로 소자.
  4. 제2항에 있어서, 상기 버퍼층은 덮어진 어떠한 다른 층보다 작은 밴드갭으 갖는 재료로 만들어진 것을 특징으로 하는 광검출 집적회로 소자.
  5. 제3항에 있어서, 상기 버퍼층은 그 위에 덮어진 어떠한 다른 층의 밴드 갭 보다도 작은 밴드갭을 갖는 재료로 만들어진 것을 특징으로 하는 광검출 집적회로 소자.
  6. 제2항에 있어서, 상기 버퍼층은 상기 집적회로의 기판과 상기 버퍼층과 상기 기판 사이의 어떠한 층의 밴드캡보다도 적은 밴드갭을 갖는 재료로 만들어진 것을 특징으로 하는 광검출 집적회로 소자.
  7. 제3항에 있어서, 상기 버퍼층은 상기 집적회로의 기판과 상기 버퍼층과 기판 사이의 어떠한 층의 밴드갭보다도 작은 밴드갭을 갖는 재료로 구성된 것을 특징으로 하는 광검출 집적회로 소자.
  8. 제4항에 있어서, 상기 버퍼층은 상기 집적회로 기판의 밴드갭과 상기 버퍼층과 기판 사이에 있는 어떠한 층은 밴드갭보다 작은 밴드갭을 갖는 재료로 구성된 것을 특징으로 하는 광검출 집적회로 소자.
  9. 제5항에 있어서, 상기 버퍼층은 상기 집적회로 기판의 밴드갭과 상기 버퍼층과 기판 사이에 있는 어떠한 층은 밴드갭보다 작은 밴드갭을 갖는 재료로 구성된 것을 특징으로 하는 광검출 집적회로 소자.
  10. 제1항에 있어서, 상기 FET는 HEMT인 것을 특징으로 하는 광검출 집적회로 소자.
  11. 제2항에 있어서, 상기 FET는 소오스 드레인 전류 전도가 상기 버퍼층에서 보다 상기 채널층에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 광검출 집적회로 소자.
  12. 제3항에 있어서, 상기 FET는 소오스-드레인 전류의 전도가 상기 버퍼층에서 보다 상기 채널층에서 이루어지는 형태의 소자인 것을 특징으로 하는 광검출 집적회로 소자.
  13. 제4항에 있어서, 상기 FET는 소오스-드레인 전류에 있어 상기 버퍼층에서 보다 상기 채널층에서 발생하는 형태의 소자인 것을 특징으로 하는 광검출 집적회로 소자.
  14. 제5항에 있어서, 상기 FET는 소오스-드레인 전류 전도가 상기 버퍼층에서 보다 상기 채널층에서 발생하는 형태의 소자인 것을 특징으로 하는 광검출 집적회로 소자.
  15. 제6항에 있어서, 상기 FET는 소오스-드레인 전류 전도가 상기 버퍼층에서 보다 상기 채널층에서 발생하는 형태의 소자인 것을 특징으로 하는 광검출 집적회로 소자.
  16. 제7항에 있어서, 상기 FET는 소오스-드레인 전류의 전도가 상기 버퍼층에서 보다 상기 채널층에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 광검출 집적회로 소자.
  17. 제8항에 있어서, 상기 FET는 소오스-드레인 전류 전도가 상기 버퍼층에서 보다 상기 채널층에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 광검출 집적회로 소자.
  18. 제9항에 있어서, 상기 FET는 소오스-드레인 전류 전도가 상기 버퍼층에서 보다 상기 채널층에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 광검출 집적회로 소자.
  19. 제1항 내지 18항중의 어느 한항에 있어서 , 상기 충돌은 인화인듐 기판위에서 성장되는 것을 특징으로 하는 광검출 직접회로 소자.
  20. 제1항에 있어서, 상기 FET는 JFET인 것을 특징으로 하는 광검출 집적회로 소자.
  21. 제11항에 있어서, 상기 P-N 접합은 그 상부면에 INP에서 GaInAsP를 거쳐 GaInAs까지 범위에 있는 조성물로 된 3개층의 스택 구조로 형성되고, 상기 3개의 층은 대부분 1.2eV 범위에 있는 밴드갭을 갖고, 이보다 저부층은 높은 밴드갭을 가지며 중간층은 낮은 밴드갭을 갖는 것을 특징으로 하는 광검출 집적회로 소자.
  22. 제12항에 있어서, 상기 P-N 접합은 그 상부면에 InP에서 GaInAsP를 거쳐 GaInAs까지 범위에 있는 조성물로 된 3개층의 스택 구조로 형성되고, 상기 3개의 층은 대부분 1.2eV 범위에 있는 밴드갭을 갖고, 이보다 저부층은 높은 밴드갭을 가지며 중간층은 낮은 밴드갭을 갖는 것을 특징으로 하는 광검출 집적회로 소자.
  23. 제13항에 있어서, 상기 P-N 접합은 그 상부면에 InP에서 GaInAsP를 거쳐 GaInAs까지 범위에 있는 조성물로 된 3개층의 스택 구조로 형성되고, 상기 3개의 층은 대부분 1.2eV 범위에 있는 밴드갭을 갖고, 이보다 저부층은 높은 밴드갭을 가지며 중간층은 낮은 밴드갭을 갖는 것을 특징으로 하는 광검출 집적회로 소자.
  24. 제14항에 있어서, 상기 P-N 접합은 그 상부면에 InP에서 GaInAsP를 거쳐 GaInAs까지 범위에 있는 조성물로 된 3개층의 스택 구조로 형성되고, 상기 3개의 층은 대부분 1.2eV 범위에 있는 밴드갭을 갖고, 이보다 저부층은 높은 밴드갭을 가지며 중간층은 낮은 밴드갭을 갖는 것을 특징으로 하는 광검출 집적회로 소자.
  25. 제15항에 있어서, 상기 P-N 접합은 그 상부면에 있는 조성물로 된 3개층의 스택 구조로 형성되고, 상기 3개의 층은 모두 1.2eV 범위에 있는 밴드갭을 갖고, 이보다 저부층은 높은 밴드갭을 가지며 중간층은 낮은 밴드갭을 갖는 것을 특징으로 하는 광검출 집적회로 소자.
  26. 제16항에 있어서, 상기 P-N 접합은 그 상부면에 InP에서 GaInAsP를 거쳐 GaInAs까지 범위에 있는 조성물로 된 3개층의 스택 구조로 형성되고, 상기 3개의 층은 모두 1.2eV 범위에 있는 밴드갭을 갖고, 이보다 저부층은 높은 밴드갭을 가지며 중간층은 낮은 밴드갭을 갖는 것을 특징으로 하는 광검출 집적회로 소자.
  27. 제17항에 있어서, 상기 P-N 접합은 그 상부면에 InP에서 GaInAsP를 거쳐 GaInAs까지 범위에 있는 조성물로 된 3개층의 스택 구조로 형성되고, 상기 3개의 층은 대부분 1.2eV 범위에 있는 밴드갭을 갖고, 이보다 저부층은 높은 밴드갭을 가지며, 중간층은 낮은 밴드갭을 갖는 것을 특징으로 하는 광검출 집적회로 소자.
  28. 제18항에 있어서, 상기 P-N 접합은 그 상부면에 InP에서 GaInAsP를 거쳐 GaInAs까지 범위에 있는 조성물로 된 3개층의 스택 구조로 형성되고, 상기 3개의 층은 대부분 1.2eV 범위에 있는 밴드갭을 갖고, 이보다 저부층은 높은 밴드갭을 가지며 중간층은 낮은 밴드갭을 갖는 것을 특징으로 하는 광검출 집적회로 소자.
  29. 제1항에 있어서, 상기 집적회로 소자는 PIN 다이오드를 위한 바이어스 저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 광검출 집적회로 소자.
  30. 제29항에 있어서, 상기 제1의 FET의 드레인에 연결된 게이트를 가진 제2의 FET와, 상기 제1의 FET인 드레인에 연결된 부하저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 광검출 집적회로 소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019840004981A 1983-08-18 1984-08-18 광검출 집적회로 소자 KR850002178A (ko)

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