KR940027201A - 광전자 집적회로 - Google Patents

광전자 집적회로 Download PDF

Info

Publication number
KR940027201A
KR940027201A KR1019940010193A KR19940010193A KR940027201A KR 940027201 A KR940027201 A KR 940027201A KR 1019940010193 A KR1019940010193 A KR 1019940010193A KR 19940010193 A KR19940010193 A KR 19940010193A KR 940027201 A KR940027201 A KR 940027201A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor material
integrated circuit
optoelectronic integrated
circuit according
bipolar transistor
Prior art date
Application number
KR1019940010193A
Other languages
English (en)
Inventor
소사쿠 사와다
고로 사사키
히로시 야노
Original Assignee
쿠라우찌 노리타카
스미도모덴기고오교오 가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 쿠라우찌 노리타카, 스미도모덴기고오교오 가부시기가이샤 filed Critical 쿠라우찌 노리타카
Publication of KR940027201A publication Critical patent/KR940027201A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/1443—Devices controlled by radiation with at least one potential jump or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
    • H03F3/08—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)

Abstract

광전자집적회로는, 기판상에, 광검출기(수광기)와, 이 광검출기에서 발생된 전류의 제 1 단계증폭을 위한 터널이미터바이폴라트랜지스터가 형성된 구조로 되어 있다. 상기 터널이미터바이폴라트랜지스터는 고속으로 동작가능한 동시에 높은 증폭인자를 지니므로, 광검출기에서의 광검출에 의해 발생된 전류의 증폭시 베이스 전류에 의한 잡음을 저감시킬 수 있다.

Description

광전자 집적회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 3 도는 본 발명의 제 1 실시예에 의한 광전자집적회로를 도시한 회로구성도, 제 4 도는 본 발명의 제 1 실시예에 의한 광전자집적회로의 구성을 도시한 도면.

Claims (13)

  1. 반절연성 기판과, 상기 기판상에 형성된, 제 1 반도체재료로 이루어진 흡광부를 지닌 광검출기와, 제 1 도전형을 지닌 제 2 반도체재료로 이루어진 베이스부, 상기 베이스부에 접촉하여 형성된, 제 3반도체재료로 이루어진 터널배리어부, 상기 베이스부와 대면한 상기 터널배리어부의 반대쪽 영역에 형성된, 제 2도전형을 지닌 제 4반도체재료로 이루어진 이미터부 및 상기 터널배리어부와 대면한 상기 베이스부의 반대쪽영역에 형성된, 제2도전형을 지닌 제5반도체재료로 이루어진 콜렉터부로 구성되어 상기 기판상에 형성된 터널이미터바이폴라트랜지스터를 구비하고, 상기 광검출기와 상기 터널이미터바이폴라트랜지스터가 모놀리식으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광전자집적회로.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 광검출기가 핀포토다이오드인 것을 특징으로 하는 광전자집적회로.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 광검출기가 애벌랜치포토다이오드인 것을 특징으로 하는 광전자집적회로.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 광검출기가 금속-반도체-금속광검출기인 것을 특징으로 하는 광전자집적회로.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제 3 반도체재료의 밴드갭값이 상기 제 2반도체재료 및 제 4반도체재료의 밴드갭값보다 큰 것을 특징으로 하는 광전자집적회로.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 제 2 반도체재료는 Ga In As 혼성결정이고, 상기 제 3반도체재료는 In P 결정인 것을 특징으로 하는 광전자집적회로.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 제 2 반도체재료는 Ga In As 혼성결정이고, 상기 제 3 반도체재료는 Al In As 혼성결정인 것을 특징으로 하는 광전자집적회로.
  8. 제 5 항에 있어서, 상기 터널이미터바이폴라트랜지스터는 상기 기판상에 에피택셜층성장에 의해 형성되고, 상기 핀포토다이오드는 상기 터널이미터바이폴라트랜지스터 형성을 위한 에피택셜층 성장후에 이어서 행한 에피택셜성장에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 광전자집적회로.
  9. 제 5 항에 있어서, 상기 제 3 반도체재료로 이루어진 상기 터널배리어부의 두께는 200A 이하인 것을 특징으로 하는 광전자집적회로.
  10. 제 5 항에 있어서, 상기 제 1 반도체재료의 밴드갭값은 상기 제 2반도체재료의 밴드갭값보다 큰 것을 특징으로 하는 광전자집적회로.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제 1 반도체재료는 Ga In As P 혼성결정이고, 상기 제 2반도체재료는 Ga In As 혼성결정이며, 상기 제 3반도체재료는 In P 결정인 것을 특징으로 하는 광전자집적회로.
  12. 제10항에 있어서, 상기 제 1 반도체재료는 Ga In As P 혼성결정이고, 상기 제 2 반도체재료는 Ga In As 혼성결정이며, 상기 제 3 반도체재료는 Al In As 혼성결정인 것을 특징으로 하는 광전자집적회로.
  13. 제10항에 있어서, 상기 터널이미터바이폴라트랜지스터는 상기 기판상에 에피택셜층 성장에 의해 형성되고, 상기 핀포토다이오드는 상기 터널이미터바이폴라트랜지스터 형성을 위한 에피택셜층성장후에 이어서 행한 에피택셜성장에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 광전자집적회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940010193A 1993-05-17 1994-05-10 광전자 집적회로 KR940027201A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP93-115005 1993-05-17
JP11500593A JP3191835B2 (ja) 1993-05-17 1993-05-17 光電子集積回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR940027201A true KR940027201A (ko) 1994-12-10

Family

ID=14651936

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940010193A KR940027201A (ko) 1993-05-17 1994-05-10 광전자 집적회로

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5475256A (ko)
EP (1) EP0625798B1 (ko)
JP (1) JP3191835B2 (ko)
KR (1) KR940027201A (ko)
CA (1) CA2123667C (ko)
DE (1) DE69408555T2 (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100220250B1 (ko) * 1996-10-19 1999-09-15 김영환 광전자 집적 회로의 제조 방법
US6228673B1 (en) * 1999-05-13 2001-05-08 Hughes Electronics Corporation Method of fabricating a surface coupled InGaAs photodetector
US6706542B1 (en) * 2000-01-07 2004-03-16 Triquint Technology Holding Co. Application of InAIAs double-layer to block dopant out-diffusion in III-V device Fabrication
US6396107B1 (en) 2000-11-20 2002-05-28 International Business Machines Corporation Trench-defined silicon germanium ESD diode network
JP2002299591A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Toshiba Corp 半導体装置
JP4896302B2 (ja) * 2001-04-09 2012-03-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US6525348B1 (en) * 2001-07-17 2003-02-25 David C. Scott Two terminal edge illuminated epilayer waveguide phototransistor
US7235852B2 (en) * 2003-08-28 2007-06-26 Finisar Corporation Integrated variable optical attenuator
US7560739B2 (en) * 2004-06-29 2009-07-14 Intel Corporation Micro or below scale multi-layered heterostructure
US20080121866A1 (en) * 2006-11-27 2008-05-29 Ping Yuan Avalanche photodiode detector

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62176175A (ja) * 1986-01-29 1987-08-01 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体装置
JPH01214159A (ja) * 1988-02-23 1989-08-28 Fujitsu Ltd ホットエレクトロントランジスタ
JPH01262663A (ja) * 1988-04-14 1989-10-19 Fujitsu Ltd 共鳴トンネリングヘテロバイポーラトランジスタ
US5063426A (en) * 1990-07-30 1991-11-05 At&T Bell Laboratories InP/InGaAs monolithic integrated photodetector and heterojunction bipolar transistor

Also Published As

Publication number Publication date
DE69408555T2 (de) 1998-07-23
CA2123667A1 (en) 1994-11-18
EP0625798A1 (en) 1994-11-23
JPH06326288A (ja) 1994-11-25
JP3191835B2 (ja) 2001-07-23
DE69408555D1 (de) 1998-03-26
EP0625798B1 (en) 1998-02-18
CA2123667C (en) 2003-05-20
US5475256A (en) 1995-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Chandrasekhar et al. Demonstration of enhanced performance of an InP/InGaAs heterojunction phototransistor with a base terminal
Ito et al. Monolithic integration of a metal—semiconductor—metal photodiode and a GaAs preamplifier
KR850002178A (ko) 광검출 집적회로 소자
Sasaki et al. InGaAsP-InP heterojunction phototransistors and light amplifiers
KR970054565A (ko) 포토다이오드 및 그 제조 방법
Garrett et al. A silicon-based integrated NMOS-pin photoreceiver
KR940027201A (ko) 광전자 집적회로
US4814836A (en) FET photoconductor with a heterojunction in the channel
KR920005395A (ko) 광전장치
US4599632A (en) Photodetector with graded bandgap region
Sridhara et al. Performance enhancement of GaInP/GaAs heterojunction bipolar phototransistors using DC base bias
US4969152A (en) Photo-lasertransistor
Müller Photodiodes for optical communication
US4241358A (en) Radiation sensitive device with lateral current
JPS63160270A (ja) フオトセンサと信号処理用素子を有する半導体装置
US20040036146A1 (en) Phototransistor device with fully depleted base region
GB2083699A (en) Phototransistor having an emitter-base heterojunction
KR940016964A (ko) 초격자구조(superlattice)의 증폭층을 갖는 애벌란체 포토다이오드(APD:Avalanche Photodiode)
US4833512A (en) Heterojunction photo-detector with transparent gate
JP3401563B2 (ja) 高感度光検出回路
Wake et al. InGaAs/InP junction field-effect transistors with high transconductance made using metal organic vapor phase epitaxy
JP2570424B2 (ja) 半導体受光素子
JP2813217B2 (ja) 半導体装置
KR920002092B1 (ko) 매립형 쇼트키 전극을 이용한 고속 수광소자
Svilans et al. Sensitive GaAlAs/GaAs wide-gap emitter phototransistor for high current applications

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application