JPS62190779A - 集積形受光器 - Google Patents
集積形受光器Info
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- JPS62190779A JPS62190779A JP61031946A JP3194686A JPS62190779A JP S62190779 A JPS62190779 A JP S62190779A JP 61031946 A JP61031946 A JP 61031946A JP 3194686 A JP3194686 A JP 3194686A JP S62190779 A JPS62190779 A JP S62190779A
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- Japan
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- ingaas
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- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 31
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 241000837181 Andina Species 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は受光素子と電気増幅器が集積化された光伝送用
の高性能受光器に関するものである。
の高性能受光器に関するものである。
従来のこの種の装置の一例を第３図に示す。この受光器
は、たとえば特願昭５８−１７６３６８に示されている
。半絶縁性ＩｎＰ基板１上にｎ形Ｉ ｎＧａＡｓ層２が
積層されており、同層２内にｐ形１ ｎＣ；ａＡｓ層３
．４が形成されている。ここで、受光素子であるＰＩＮ
フォトダイオードはｎ形ＩｎＧａＡｓ層２． ｐ形Ｉｎ
ＧａＡｓ層３で構成され、また電気増幅素子である電界
効果トランジスタはｎｌＩｎＧａＡｓ層２． Ｉ）形
１ ｎＧａＡｓ層４で構成されている。すなわち、電界
効果トランジスタにおいては、ドレイン電極５．ソース
電極６．ゲート電極７でもって半導体層２，４に電気的
接触が得られるようになされている。
は、たとえば特願昭５８−１７６３６８に示されている
。半絶縁性ＩｎＰ基板１上にｎ形Ｉ ｎＧａＡｓ層２が
積層されており、同層２内にｐ形１ ｎＣ；ａＡｓ層３
．４が形成されている。ここで、受光素子であるＰＩＮ
フォトダイオードはｎ形ＩｎＧａＡｓ層２． ｐ形Ｉｎ
ＧａＡｓ層３で構成され、また電気増幅素子である電界
効果トランジスタはｎｌＩｎＧａＡｓ層２． Ｉ）形
１ ｎＧａＡｓ層４で構成されている。すなわち、電界
効果トランジスタにおいては、ドレイン電極５．ソース
電極６．ゲート電極７でもって半導体層２，４に電気的
接触が得られるようになされている。
本構成においては、第３図より明らかなように、ｎ形Ｉ
ｎＧａＡｓ層２は、ＰＩＮフォトダイオードの活性層（
感光層）であるとともに電界効果トランジスタの活性層
にもなっている。ところで、ここに示す集積形受光器に
おいては、ＰＩＮフォトダイオードと電界効果トランジ
スタとでは、その活性層に対する要求条件は相反するも
のになっている。すなわち、ＰＩＮフォトダイオードで
のＩｎＧａＡｓ層は低キヤリア濃度で且つ厚い層が要求
されるのに対し、電界効果トランジスタのそれでは高キ
ャリア濃度、薄い層が要求される。これは、高性能集積
形受光器を得るには、ＰＩＮフォトダイオードでは低容
量化が不可欠となり、電界効果トランジスタでは高伝達
コンダクタンス化が不可欠となるためであり、これらは
上述のＩｎＧａＡｓ層の条件下で達成できる。
ｎＧａＡｓ層２は、ＰＩＮフォトダイオードの活性層（
感光層）であるとともに電界効果トランジスタの活性層
にもなっている。ところで、ここに示す集積形受光器に
おいては、ＰＩＮフォトダイオードと電界効果トランジ
スタとでは、その活性層に対する要求条件は相反するも
のになっている。すなわち、ＰＩＮフォトダイオードで
のＩｎＧａＡｓ層は低キヤリア濃度で且つ厚い層が要求
されるのに対し、電界効果トランジスタのそれでは高キ
ャリア濃度、薄い層が要求される。これは、高性能集積
形受光器を得るには、ＰＩＮフォトダイオードでは低容
量化が不可欠となり、電界効果トランジスタでは高伝達
コンダクタンス化が不可欠となるためであり、これらは
上述のＩｎＧａＡｓ層の条件下で達成できる。
しかしながら、従来の構造においては、ＰＩＮフォトダ
イオードと電界効果トランジスタとが同ＩｎＧａＡｓ層
２を活性層として共有しているため、両者の構造を最適
なものにすることができなかった。また、受光素子と電
界効果トランジスタとにそれぞれ別個に異なるＩｎＧａ
Ａｓ層を設けることは層構造が複雑になり、製造が困難
になるなどの欠点があった。
イオードと電界効果トランジスタとが同ＩｎＧａＡｓ層
２を活性層として共有しているため、両者の構造を最適
なものにすることができなかった。また、受光素子と電
界効果トランジスタとにそれぞれ別個に異なるＩｎＧａ
Ａｓ層を設けることは層構造が複雑になり、製造が困難
になるなどの欠点があった。
このような欠点を除去するために本発明は、半絶縁性Ｉ
ｎＰ基板上に、ｎ第１ ｎＧａＡｓを感光層とする受光
素子と、ｎ形ＩｎＧａＡｓとＩｎＡｊ２Ａｓ層とのヘテ
ロ界面に形成された二次元電子ガス層を電流チャネルと
して用いる電界効果トランジスタとが隣接して構成され
るようにしたちのである。
ｎＰ基板上に、ｎ第１ ｎＧａＡｓを感光層とする受光
素子と、ｎ形ＩｎＧａＡｓとＩｎＡｊ２Ａｓ層とのヘテ
ロ界面に形成された二次元電子ガス層を電流チャネルと
して用いる電界効果トランジスタとが隣接して構成され
るようにしたちのである。
本発明においては、受光素子と電気増幅素子の画素子の
ｎ形■ｎＧａＡｓ層への要求条件を全く同一にすること
ができる。
ｎ形■ｎＧａＡｓ層への要求条件を全く同一にすること
ができる。
まず本発明の概要について説明する。本発明は、電気増
幅素子に二次元電子ガスを利用した電界効果トランジス
タを採用することにより、電流チャネル層となるＩｎＧ
ａＡｓ層と受光素子の感光層となるＩ ｎＧａＡｓ層が
同一仕様になるようにしたことを最も主要な特徴とする
。すなわち、従来のこの種装置では、電界効果トランジ
スタにはｐｎ接合ゲート構造あるいはショットキゲート
構造が用いられているため、これらの電流チャネルの形
成されるＩｎＧａＡｓ層のキャリア濃度は高く且つ膜厚
も薄く設定されている。これに対し、本発明においては
、Ｉ ｎＧａＡｓ層の移動度は高く、すなわち低キヤリ
ア濃度に設定される。この条件は、受光素子の感光層に
対するものと全く同一である。
幅素子に二次元電子ガスを利用した電界効果トランジス
タを採用することにより、電流チャネル層となるＩｎＧ
ａＡｓ層と受光素子の感光層となるＩ ｎＧａＡｓ層が
同一仕様になるようにしたことを最も主要な特徴とする
。すなわち、従来のこの種装置では、電界効果トランジ
スタにはｐｎ接合ゲート構造あるいはショットキゲート
構造が用いられているため、これらの電流チャネルの形
成されるＩｎＧａＡｓ層のキャリア濃度は高く且つ膜厚
も薄く設定されている。これに対し、本発明においては
、Ｉ ｎＧａＡｓ層の移動度は高く、すなわち低キヤリ
ア濃度に設定される。この条件は、受光素子の感光層に
対するものと全く同一である。
第１図は本発明に係わる集積形受光器の第１の実施例を
示す断面図である。半絶縁性半導体基板１０上にｎ形Ｉ
ｎＰ層又はｎ形ＩｎＡ＃Ａｓ層１１、高純度１ ｎＧａ
Ａｓ層１２．高抵抗ＩｎＡｌ１ＡＳ１１３．ｎ形ｉ ｎ
Ａ／Ａｓ層１４が積層された構成において、二次元電子
ガス電界効果トランジスタと受光素子（本実施例ではＰ
ＩＮフォトダイオード）が集積化されている。電界効果
トランジスタはドレイン電極１７．ゲート電極１８．ソ
ース電極１９で構成される。電流チャネルはＩｎＧａＡ
ｓ層１２層内のＩ ｎＧａＡｓ層１２．ＩｎＡｌＡｓ層
１３ヘテロ界面に形成される二次元電子ガス層に誘起さ
れる。この電子ガス層内の電子はｎ第１ ｎＡ７！Ａｓ
層１４より供給される。また、電子ガス層内電子の移動
度はｌ ｎＧａＡｓ層１２の移動度により規定される。
示す断面図である。半絶縁性半導体基板１０上にｎ形Ｉ
ｎＰ層又はｎ形ＩｎＡ＃Ａｓ層１１、高純度１ ｎＧａ
Ａｓ層１２．高抵抗ＩｎＡｌ１ＡＳ１１３．ｎ形ｉ ｎ
Ａ／Ａｓ層１４が積層された構成において、二次元電子
ガス電界効果トランジスタと受光素子（本実施例ではＰ
ＩＮフォトダイオード）が集積化されている。電界効果
トランジスタはドレイン電極１７．ゲート電極１８．ソ
ース電極１９で構成される。電流チャネルはＩｎＧａＡ
ｓ層１２層内のＩ ｎＧａＡｓ層１２．ＩｎＡｌＡｓ層
１３ヘテロ界面に形成される二次元電子ガス層に誘起さ
れる。この電子ガス層内の電子はｎ第１ ｎＡ７！Ａｓ
層１４より供給される。また、電子ガス層内電子の移動
度はｌ ｎＧａＡｓ層１２の移動度により規定される。
したがって、二次元電子ガス電界効果トランジスタの伝
達コンダクタンスを大きくするには、Ｉ ｎＧａＡｓ層
１２の移動度を高く、すなわち、高純度にすることが必
要である。
達コンダクタンスを大きくするには、Ｉ ｎＧａＡｓ層
１２の移動度を高く、すなわち、高純度にすることが必
要である。
この電界効果トランジスタを動作させるには、ソース電
極１９に対してドレイン電極を＋４Ｖ。
極１９に対してドレイン電極を＋４Ｖ。
ゲート電極を−０，５■にそれぞれ印加した状態におい
て、ゲート電極１８．ソース電極１９の端子間に信号電
圧を入力する。この信号電圧はＰＩＮフォトダイオード
により供給される。ＰＩＮフォトダイオードは、ＩｎＧ
ａＡｓ層１２と同層内に設けられたｐ形ＩｎＧａＡｓ層
１５により構成され、ｎ側電極２０．ｎ側電極２１がそ
れぞれの層にオーミック接触されている。なお、２２は
表面絶縁膜である。
て、ゲート電極１８．ソース電極１９の端子間に信号電
圧を入力する。この信号電圧はＰＩＮフォトダイオード
により供給される。ＰＩＮフォトダイオードは、ＩｎＧ
ａＡｓ層１２と同層内に設けられたｐ形ＩｎＧａＡｓ層
１５により構成され、ｎ側電極２０．ｎ側電極２１がそ
れぞれの層にオーミック接触されている。なお、２２は
表面絶縁膜である。
このＰＩＮフォトダイオードを動作させるには、まずｎ
側電極２１に対してｎ側電極２０を一４■に印加する。
側電極２１に対してｎ側電極２０を一４■に印加する。
この状態において、波長１．３ミクロンの信号光２３が
ＰＩＮフォトダイオードの受光部に入射される。Ｉ ｎ
ＡＩ！Ａｓ層１６はこの光に対しては透明であるため、
入射光はＩｎＧａＡｓ層１５．１２に損失を受けること
なく到達する。
ＰＩＮフォトダイオードの受光部に入射される。Ｉ ｎ
ＡＩ！Ａｓ層１６はこの光に対しては透明であるため、
入射光はＩｎＧａＡｓ層１５．１２に損失を受けること
なく到達する。
ＩｎＧａＡｓ層１２は波長１．６ミクロンまでの光を十
分効率良く吸収するため、１．３ミクロンの入射信号光
はＩ ｎＧａＡｓ層１２内において十分効率良く電気信
号に変換される。なお、感光層となるＩｎＧａＡｓ層１
２では、キャリア濃度は５×ＩＱ”ｃｍ−’以下である
ことが望まれる。
分効率良く吸収するため、１．３ミクロンの入射信号光
はＩ ｎＧａＡｓ層１２内において十分効率良く電気信
号に変換される。なお、感光層となるＩｎＧａＡｓ層１
２では、キャリア濃度は５×ＩＱ”ｃｍ−’以下である
ことが望まれる。
この変換された電気信号は電極２０．２１を通して外部
回路に取り出される。外部回路には約１にΩの抵抗がＰ
ＩＮフォトダイオードの負荷として接続されている。こ
の抵抗両端に生じた電圧変化は電極１８．１９に入力さ
れる。この電圧変化が前述したように電界効果トランジ
スタへの入力信号となる。電界効果トランジスタにより
増幅された信号は電極１７より取り出される。
回路に取り出される。外部回路には約１にΩの抵抗がＰ
ＩＮフォトダイオードの負荷として接続されている。こ
の抵抗両端に生じた電圧変化は電極１８．１９に入力さ
れる。この電圧変化が前述したように電界効果トランジ
スタへの入力信号となる。電界効果トランジスタにより
増幅された信号は電極１７より取り出される。
以上の説明では、受光素子としてＰＩＮフォトダイオー
ドを用いた装置について述べたが、第２図の第２の実施
例に示す如くショットキフォトダイオードを用いて構成
することもできる。第２図において第１図と同一部分又
は相当部分には同一符号が付しである。第２図において
、ショットキフォトダイオードの感光層はＩｎＧａＡｓ
層１２であり、ショットキ電極としてＡＮ電極２４が設
けられている。このショットキフォトダイオードで構成
した装置の動作についても、第１図の実施例と同様であ
る。
ドを用いた装置について述べたが、第２図の第２の実施
例に示す如くショットキフォトダイオードを用いて構成
することもできる。第２図において第１図と同一部分又
は相当部分には同一符号が付しである。第２図において
、ショットキフォトダイオードの感光層はＩｎＧａＡｓ
層１２であり、ショットキ電極としてＡＮ電極２４が設
けられている。このショットキフォトダイオードで構成
した装置の動作についても、第１図の実施例と同様であ
る。
以上説明したように、受光素子の感光層と電界効果トラ
ンジスタの活性層は同一１ ｎＧａＡｓ層１２内に形成
されている。このＩｎＧａＡｓＪｉ１２では、受光素子
においては５ Ｘ １０ ”ａｍ−’以下の低キヤリア
濃度が望ましく、また、電界効果トランジスタにおいて
は移動度１００００ｃｍ２／ Ｖ・Ｓ以上の高純度が望
ましい。これらの条件はほぼ同義であり、前者の性能下
では後者はほぼ自動的に達成される。このように、受光
素子と電気増幅器が集積化された集積形受光器において
、電気増幅器に二次元電子ガス利用電界効果トランジス
タを用いることにより、Ｉ ｎＧａＡｓ層１２への要求
条件を両者に共通化することができる。
ンジスタの活性層は同一１ ｎＧａＡｓ層１２内に形成
されている。このＩｎＧａＡｓＪｉ１２では、受光素子
においては５ Ｘ １０ ”ａｍ−’以下の低キヤリア
濃度が望ましく、また、電界効果トランジスタにおいて
は移動度１００００ｃｍ２／ Ｖ・Ｓ以上の高純度が望
ましい。これらの条件はほぼ同義であり、前者の性能下
では後者はほぼ自動的に達成される。このように、受光
素子と電気増幅器が集積化された集積形受光器において
、電気増幅器に二次元電子ガス利用電界効果トランジス
タを用いることにより、Ｉ ｎＧａＡｓ層１２への要求
条件を両者に共通化することができる。
以上説明したように本発明は、ＩｎＧａＡｓ層を感光層
とする受光素子とＩｎＡ７！Ａｓ／ＩｎＧａＡｓヘテロ
接合に形成される二次元電子ガス層を用いた電界効果ト
ランジスタとを隣接して構成したことにより、画素子の
Ｉ ｎＧａＡｓ層への要求条件を全く同一にすることが
でき、これにより、ＩｎＧａＡｓ層を共通層とすること
ができるので、同一半導体基板上に集積化された受光素
子と電界効果トランジスタとをそれぞれ個別に最適構造
とすることができ、装置を構成する層構造を簡単化する
ことができる効果がある。
とする受光素子とＩｎＡ７！Ａｓ／ＩｎＧａＡｓヘテロ
接合に形成される二次元電子ガス層を用いた電界効果ト
ランジスタとを隣接して構成したことにより、画素子の
Ｉ ｎＧａＡｓ層への要求条件を全く同一にすることが
でき、これにより、ＩｎＧａＡｓ層を共通層とすること
ができるので、同一半導体基板上に集積化された受光素
子と電界効果トランジスタとをそれぞれ個別に最適構造
とすることができ、装置を構成する層構造を簡単化する
ことができる効果がある。
また、電界効果トランジスタの電流チャネルはＩ ｎＡ
ｎＡｓ／Ｉ ｎＧａＡｓヘテロ界面近傍に局在するため
、Ｉ ｎＧａＡｓ層の厚さを受光素子に合わせて３ミク
ロン以上としても、電界効果トランジスタの特性劣化を
もたらすことはないという効果もある。
ｎＡｓ／Ｉ ｎＧａＡｓヘテロ界面近傍に局在するため
、Ｉ ｎＧａＡｓ層の厚さを受光素子に合わせて３ミク
ロン以上としても、電界効果トランジスタの特性劣化を
もたらすことはないという効果もある。
第１図は本発明に係わる集積形受光器の一実施例を示す
断面図、第２図は他の実施例を示す断面図、第３図は従
来の集積形受光器を示す断面図である。 １０・・・・半絶縁性ＩｎＰ基板、１１・・・・ｎ形Ｉ
ｎＰ層又はｎ形ＩｎＡＡ’Ａｓ層、１２・・・・ｎ形１
ｎＧａＡｓ層、１３・・・・高抵抗Ｉ ｎＡｊｌＡｓ
層、１４・・・・ｎ形Ｉ ｎＡｊ！Ａｓ層、１５・・・
・ｐ形ＩｎＧａＡｓ層、１６・・・・ｐ形１ｎＡｊ！Ａ
ｓ層、１７・・・・ドレイン電極、１８・・・・ゲート
電極、１９・・・・ソース電極、２０・・・・ｐ側電極
、２１・・・・ｎ側電極、２２・・・・表面絶縁膜、２
３・・・・入射光信号、２４・・・・ショットキ電極。
断面図、第２図は他の実施例を示す断面図、第３図は従
来の集積形受光器を示す断面図である。 １０・・・・半絶縁性ＩｎＰ基板、１１・・・・ｎ形Ｉ
ｎＰ層又はｎ形ＩｎＡＡ’Ａｓ層、１２・・・・ｎ形１
ｎＧａＡｓ層、１３・・・・高抵抗Ｉ ｎＡｊｌＡｓ
層、１４・・・・ｎ形Ｉ ｎＡｊ！Ａｓ層、１５・・・
・ｐ形ＩｎＧａＡｓ層、１６・・・・ｐ形１ｎＡｊ！Ａ
ｓ層、１７・・・・ドレイン電極、１８・・・・ゲート
電極、１９・・・・ソース電極、２０・・・・ｐ側電極
、２１・・・・ｎ側電極、２２・・・・表面絶縁膜、２
３・・・・入射光信号、２４・・・・ショットキ電極。
Claims (5)
- （１）半絶縁性ＩｎＰ基板上に、ｎ形ＩｎＧａＡｓを感
光層とする受光素子と、前記ｎ形ＩｎＧａＡｓとＩｎＡ
ｌＡｓ層とのヘテロ界面に形成された二次元電子ガス層
を電流チャネルとして用いる電界効果トランジスタとが
隣接して構成されたことを特徴とする集積形受光器。 - （２）受光素子は、半絶縁性ＩｎＰ基板上に順次積層さ
れたｎ形ＩｎＰ層又はｎ形ＩｎＡｌＡｓ層、ｎ形ＩｎＧ
ａＡｓ層、高抵抗ＩｎＡｌＡｓ層から成り、電界効果ト
ランジスタは、前記受光素子に接し、前記ｎ形ＩｎＰ層
又はｎ形ＩｎＡｌＡｓ層、ｎ形ＩｎＧａＡｓ層、高抵抗
ＩｎＡｌＡｓ層およびこの高抵抗ＩｎＡｌＡｓ上に形成
されたｎ形ＩｎＡｌＡｓ層より成ることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の集積形受光器。 - （３）受光素子は、ＰＩＮフォトダイオードで構成され
たことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の集積形
受光器。 - （４）受光素子は、ショットキフォトダイオードで構成
されたことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の集
積形受光器。 - （５）ｎ形ＩｎＧａＡｓ層は、キャリア濃度を５×１０
＾１＾５ｃｍ＾−＾３以下、移動度を１００００ｃｍ＾
２／Ｖ・ｓ以上、厚さを３μｍ以上にしたことを特徴と
する特許請求の範囲第２項、第３項又は第４項記載の集
積形受光器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61031946A JPS62190779A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 集積形受光器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61031946A JPS62190779A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 集積形受光器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62190779A true JPS62190779A (ja) | 1987-08-20 |
Family
ID=12345127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61031946A Pending JPS62190779A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 集積形受光器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62190779A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0228383A (ja) * | 1988-07-11 | 1990-01-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| US5032885A (en) * | 1988-12-17 | 1991-07-16 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device including a light receiving element, an amplifier, and an equalizer having a capacitor with the same laminate structure as the light receiving element |
| US5035479A (en) * | 1988-06-17 | 1991-07-30 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | Device for optical signal processing showing transistor operation |
| JP2010056504A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-03-11 | Rohm Co Ltd | 半導体素子 |
| CN113611768A (zh) * | 2021-07-08 | 2021-11-05 | 西安电子科技大学芜湖研究院 | 一种光敏场效应晶体管 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60106183A (ja) * | 1983-08-18 | 1985-06-11 | インタ−ナシヨナル・スタンダ−ド・エレクトリツク・コ−ポレイシヨン | 光検出器ｉｃ |
-
1986
- 1986-02-18 JP JP61031946A patent/JPS62190779A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60106183A (ja) * | 1983-08-18 | 1985-06-11 | インタ−ナシヨナル・スタンダ−ド・エレクトリツク・コ−ポレイシヨン | 光検出器ｉｃ |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5035479A (en) * | 1988-06-17 | 1991-07-30 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | Device for optical signal processing showing transistor operation |
| JPH0228383A (ja) * | 1988-07-11 | 1990-01-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| US5032885A (en) * | 1988-12-17 | 1991-07-16 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device including a light receiving element, an amplifier, and an equalizer having a capacitor with the same laminate structure as the light receiving element |
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| CN113611768A (zh) * | 2021-07-08 | 2021-11-05 | 西安电子科技大学芜湖研究院 | 一种光敏场效应晶体管 |
| CN113611768B (zh) * | 2021-07-08 | 2024-02-20 | 西安电子科技大学芜湖研究院 | 一种光敏场效应晶体管 |
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