KR970054969A - 고출력 레이저 다이오드 - Google Patents
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- H01S5/2222—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special electric properties
- H01S5/2224—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special electric properties semi-insulating semiconductors
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Abstract
본 발명은 고출력 레이저 다이오드에 관한 것으로서, 제1도전형의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 상부에 형성된 제1도전형의 제1클래드층과, 상기 제1클래드층의 상부에 불순물이 도핑되지 않고 형성된 제1광도파로층과, 상기 제1광도파로드층의 상부에 불순물이 도핑되지 않고 형성되어 공진기로 이용되는 활성층과, 상기 활성층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 상기 활성층보다 광굴절률이 작은 상기 제1광도파로층과 동일한 물질로 형성된 제2광도파로층과, 상기 제2광도파로층의 상부에 상기 형성된 제2도전형의 제2클래드층과, 상기 제2클래드층의 상부에 형성된 불순물이 고농도로 도핑된 제2도전형의 오믹접촉층과, 상술한 구조의 상기 활성층의 공진기의 길이 방향 양측면에 광의 출력을 높히기 위한 각각 형성된 무반사막 및 고반사막과, 상기 반도체기판의 하부 표면과 형성된 제1도전형 전극과, 상기 오믹접촉층의 상부에 상기 공긴기의 길이 방향과 수직인 방향으로 소정 폭으로 형성된 분리층에 의해 분리되고 소정의 저항 차이를 갖는 제1 및 제2P형 전극을 구비한다.
따라서, 공진기 내부의 전하 밀도와 이득 분포가 무반사막 및 고반사막 영역에 균일하게 분포시켜 공간 홀버닝 현상 및 다모드 발진을 방지하여 광출력을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 따른 고출력 레이저 다이오드의 단면도.
Claims (3)
- 제1도전형의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 상부에 형성된 제1도전형의 제1클래드층과, 상기 제1클래드층의 상부에 불순물이 도핑되지 않고 형성된 제1광도파로층과, 상기 제1광도파로드층의 상부에 불순물이 도핑되지 않고 형성되어 공진기로 이용되는 활성층과, 상기 활성층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 상기 활성층보다 광굴절률이 작은 상기 제1광도파로층과 동일한 물질로 형성된 제2광도파로층과, 상기 제2광도파로층의 상부에 상기 형성된 제2도전형의 제2클래드층과, 상기 제2클래드층의 상부에 형성된 불순물이 고농도로 도핑된 제2도전형의 오믹접촉층과, 상술한 구조의 상기 활성층의 공진기의 길이 방향 양측면에 광의 출력을 높히기 위한 각각 형성된 무반사막 및 고반사막과, 상기 반도체기판의 하부 표면과 형성된 제1도전형 전극과, 상기 오믹접촉층의 상부에 상기 공긴기의 길이 방향과 수직인 방향으로 소정 폭으로 형성된 분리층에 의해 분리되고 소정의 저항 차이를 갖는 제1 및 제2P형 전극을 구비하는 고출력 레이저 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 분리층이 SiO2 또는 Si3NX의 절연물로 형성된 고출력 레이저 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2P형 전극 사잉의 저항 차가 1Ω이상인 고출력 레이저 다이오드.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950052687A KR0178493B1 (ko) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 고출력 레이저 다이오드 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950052687A KR0178493B1 (ko) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 고출력 레이저 다이오드 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970054969A true KR970054969A (ko) | 1997-07-31 |
| KR0178493B1 KR0178493B1 (ko) | 1999-04-15 |
Family
ID=19441863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950052687A KR0178493B1 (ko) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 고출력 레이저 다이오드 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0178493B1 (ko) |
-
1995
- 1995-12-20 KR KR1019950052687A patent/KR0178493B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0178493B1 (ko) | 1999-04-15 |
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