KR970054979A - 광변조 수직공진형 표면방출 반도체 레이저 - Google Patents
광변조 수직공진형 표면방출 반도체 레이저 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 광변조 수직공진형 표면방출 반도체 레이저에 관한 것으로서, 제1도전형의 화합물 반도체 기판과; 상기 반도체 기판의 상부에 제1도전형의 불순물이 도핑되고 굴절률이 서로 다른 화합물 반도체가 교대로 성장되어 15~35주기의 DBR(Distributed Bragg reflector)구조로 형성된 제1거울층과; 상기 제1거울층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 화합물 반도체로 형성되어 주입되는 전자와 종공을 재결합시켜 광을 발생시키는 활성층과; 상기 활성층의 상부에 제2도전형의 불순물이 도핑되고 굴절률이 서로 다른 화합물 반도체가 교대로 성장되어 1~4주기의 DBR 구조로 이루어진 하부 접축층과, 3~6개 정도의 양자우물과 이 양자 우물 사이에 장벽으로 이루어진 양자 우물층과, 제1도전형의 불순물이 도핑되고 굴절률이 서로 다른 화합물 반도체가 교대로 성장되어 10~35주기의 DBR 구조로 이루어진 상부 접축층이 순차적으로 적층되고, 상기 양자 우물층과 상부 접축층이 하부 접촉층의 상부의 소정 부분에 원통형을 이루도록 형성된 제2거울층과; 상기 반도체 기판의 하부표면, 상기 하부 접촉층과 상기 상부 접촉층에 각각 형성된 제1, 제2및 제3전극을 구비하며 상기 제1및 제2전극 사이에 발진 전류를 가하고 상기 제2 및 제3전극에 변조 전압을 인가한다.
따라서, 제1및 제2전극 사이에 활성층의 광을 발진시키는 전류의 주입과 독립적으로 제2및 제3전극에 인가되는 전압에 의한 전기장에 의해 양자 우물층의 광흡수를 조절시키므로 캐리어의 이동 속도와 높은 저항에 무관하게 광 출력이 변조되어 광변조 속도 및 변조 특성을 향상할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 광변조 수직 공진형 표면 방출 반도체 레이저의 단면도.
Claims (3)
- 제1도전형의 화합물 반도체 기판과; 상기 반도체 기판의 상부에 제1도전형의 불순물이 도핑되고 굴절률이 서로 다른 화합물 반도체가 교대로 성장되어 15~35주기의 DBR(Distributed Bragg reflector)구조로 형성된 제1거울층과; 상기 제1거울층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 화합물 반도체로 형성되어 주입되는 전자와 종공을 재결합시켜 광을 발생시키는 활성층과; 상기 활성층의 상부에 제2도전형의 불순물이 도핑되고 굴절률이 서로 다른 화합물 반도체가 교대로 성장되어 1~4주기의 DBR 구조로 이루어진 하부 접축층과, 3~6개 정도의 양자우물과 이 양자 우물 사이에 장벽으로 이루어진 양자 우물층과, 제1도전형의 불순물이 도핑되고 굴절률이 서로 다른 화합물 반도체가 교대로 성장되어 10~35주기의 DBR 구조로 이루어진 상부 접축층이 순차적으로 적층되고, 상기 양자 우물층과 상부 접축층이 하부 접촉층의 상부의 소정 부분에 원통형을 이루도록 형성된 제2거울층과; 상기 반도체 기판의 하부표면, 상기 하부 접촉층과 상기 상부 접촉층에 각각 형성된 제1, 제2및 제3전극을 구비하며 상기 제1및 제2전극 사이에 발진 전류를 가하고 상기 제2 및 제3전극에 변조 전압을 인가하는 광변조 수직공진형 표면방출 반도체 레이저.
- 제1항에 있어서, 상기 제1도전형이 N형이고, 제2도전형이 P형인 광변조 수직공진형 표면방출 반도체 레이저.
- 제1항에 있어서, 상기 양자 우물층의 양자 우물의 두께가 전기장이 없는 상태에서 레이저 발진 파장( L)보다 5~50㎜ 작은 파장의 에너지 밴드 갭을 갖기 위해 3~20㎜의 두께로 형성된 광변조 수직공진형 표면방출 반도체 레이저.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950051481A KR970054979A (ko) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | 광변조 수직공진형 표면방출 반도체 레이저 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950051481A KR970054979A (ko) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | 광변조 수직공진형 표면방출 반도체 레이저 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970054979A true KR970054979A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66646301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950051481A KR970054979A (ko) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | 광변조 수직공진형 표면방출 반도체 레이저 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970054979A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100475848B1 (ko) * | 2002-03-07 | 2005-03-18 | 주식회사 테라스테이트 | 수직공진형 표면 발광레이저 |
| US7244923B2 (en) | 2004-12-10 | 2007-07-17 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Surface emitting laser device including optical sensor and optical waveguide device employing the same |
-
1995
- 1995-12-18 KR KR1019950051481A patent/KR970054979A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100475848B1 (ko) * | 2002-03-07 | 2005-03-18 | 주식회사 테라스테이트 | 수직공진형 표면 발광레이저 |
| US7244923B2 (en) | 2004-12-10 | 2007-07-17 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Surface emitting laser device including optical sensor and optical waveguide device employing the same |
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