KR970054979A - 광변조 수직공진형 표면방출 반도체 레이저 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (3)
- 제1도전형의 화합물 반도체 기판과; 상기 반도체 기판의 상부에 제1도전형의 불순물이 도핑되고 굴절률이 서로 다른 화합물 반도체가 교대로 성장되어 15~35주기의 DBR(Distributed Bragg reflector)구조로 형성된 제1거울층과; 상기 제1거울층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 화합물 반도체로 형성되어 주입되는 전자와 종공을 재결합시켜 광을 발생시키는 활성층과; 상기 활성층의 상부에 제2도전형의 불순물이 도핑되고 굴절률이 서로 다른 화합물 반도체가 교대로 성장되어 1~4주기의 DBR 구조로 이루어진 하부 접축층과, 3~6개 정도의 양자우물과 이 양자 우물 사이에 장벽으로 이루어진 양자 우물층과, 제1도전형의 불순물이 도핑되고 굴절률이 서로 다른 화합물 반도체가 교대로 성장되어 10~35주기의 DBR 구조로 이루어진 상부 접축층이 순차적으로 적층되고, 상기 양자 우물층과 상부 접축층이 하부 접촉층의 상부의 소정 부분에 원통형을 이루도록 형성된 제2거울층과; 상기 반도체 기판의 하부표면, 상기 하부 접촉층과 상기 상부 접촉층에 각각 형성된 제1, 제2및 제3전극을 구비하며 상기 제1및 제2전극 사이에 발진 전류를 가하고 상기 제2 및 제3전극에 변조 전압을 인가하는 광변조 수직공진형 표면방출 반도체 레이저.
- 제1항에 있어서, 상기 제1도전형이 N형이고, 제2도전형이 P형인 광변조 수직공진형 표면방출 반도체 레이저.
- 제1항에 있어서, 상기 양자 우물층의 양자 우물의 두께가 전기장이 없는 상태에서 레이저 발진 파장( L)보다 5~50㎜ 작은 파장의 에너지 밴드 갭을 갖기 위해 3~20㎜의 두께로 형성된 광변조 수직공진형 표면방출 반도체 레이저.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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|---|---|---|---|
| KR1019950051481A KR970054979A (ko) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | 광변조 수직공진형 표면방출 반도체 레이저 |
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| KR1019950051481A KR970054979A (ko) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | 광변조 수직공진형 표면방출 반도체 레이저 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR970054979A true KR970054979A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66646301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950051481A KR970054979A (ko) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | 광변조 수직공진형 표면방출 반도체 레이저 |
Country Status (1)
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100475848B1 (ko) * | 2002-03-07 | 2005-03-18 | 주식회사 테라스테이트 | 수직공진형 표면 발광레이저 |
| US7244923B2 (en) | 2004-12-10 | 2007-07-17 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Surface emitting laser device including optical sensor and optical waveguide device employing the same |
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1995
- 1995-12-18 KR KR1019950051481A patent/KR970054979A/ko not_active Application Discontinuation
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|---|---|---|---|---|
| KR100475848B1 (ko) * | 2002-03-07 | 2005-03-18 | 주식회사 테라스테이트 | 수직공진형 표면 발광레이저 |
| US7244923B2 (en) | 2004-12-10 | 2007-07-17 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Surface emitting laser device including optical sensor and optical waveguide device employing the same |
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Legal Events
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Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 19980722 Patent event code: PE09021S01D |
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| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 19981112 Patent event code: PE09021S01D |
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| PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 19990406 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 19981112 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I Patent event date: 19980722 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |