KR930007015A - 레이저다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents
레이저다이오드 및 그 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
V채널에 의해 형성되는 방도체기판의 개구폭을 V 채널 양측의 반도체 기판표면에 고농도로 형성된 반대 도전형의 이온주입영역에 의해 좁게한다. 반도체기판의 개구폭을 좁게 하므로 광의 출력모드를 안정하게 유지하면서 드레쉬홀드전류를 낮출 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래 VISIS 형 레이저다이오드의 수직다면도,
제2도는 이 발명에 따른 VSIS 형 레이저다이오드의 수직 단면도.
제3(A)~(B)도는 이 발명에 따른 레이저다이오드의 제조공정이다.
Claims (6)
- 레이저다이오드에 있어서, 제1도전형의 화합물 반도체 기판과 상기 화합물 반도체 기판의 상붕에 형성되며 이 화합물 반도체 기판의 소정두께까지 길게 형성되는 V 채널을 가지는 제2도전형의 전류제한층과, 상기 V 채널 양측의 화합물 반도체 기판의 표면에 형성된 제2도전형의 이온주입영역과, 상기 전류제한층의 상부에 형성되어 상기 V 채널을 통해 상기 화합물 반도체 기판과 연결되는 제1도전형의 제1클래드층과, 상기 제1클래드층의 상부에 형성되는 제1 또는 제2도전형의 활성층과, 상기 활성층의 상부에 형성된 제2도전형의 제2클래드층과 상기 제2클래드층의 상부에 형성된 제2도전형의 캡층과, 상기 V 채널과 대응하는 부분을 제외한 캡층의 상부에 형성된 절연막과, 상기 절연막의 상부에 상기 노출된 캡층과 접촉하는 제2도전형 전극과, 상기 화합물 반도체 기판의 하부표면에 형성된 제1도전형 전극을 구비하는 레이저다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 화합물 반도체 기판이 GaAs 또는 InP 중 어느 하나인 레이저다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 이온주입영역이 Se 또는 Te 중 어느 하나가 주입된 레이저다이오드.
- 레이저다이오드의 제조방법에 있어서, 제1도전형의 화합물 반도체 기판표면의 소정부분에 제2도전형의 이온주입영역을 형성하는 공정과, 상기 이온주입영역이 양측으로 분리되도록 길게 상기 화합물 반도체 기판의 소정 두께까지 메사에 칭하여 V 채널을 형성하는 공정과, 상기 전류제한층의 상부에 상기 화합물 반도체 기판의 노즐된 부분과 접촉하는 제1도전형의 제1클래드층과 제1 또는 제2도전형의 활성층과, 제2도전형의 제2클래층과, 제2도전형의 캡층을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 V 채널과 대응하는 부분을 제외한 캡층의 표면에 산화막을 형성하는 공정과, 상술한 구조의 전 표면과 상기 화합물 반도체 기판의 하부표면에 제2 및 제1도전형 전극을 형성하는 공정을 구비한 레이저다이오드의 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 층들을 LPE로 형성하는 레이저다이오드의 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 산화막을 형성할때 V 채널형성과 동일한 마스크를 사용하는 레이저다이오드의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910015332A KR930007015A (ko) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | 레이저다이오드 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910015332A KR930007015A (ko) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | 레이저다이오드 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR930007015A true KR930007015A (ko) | 1993-04-22 |
Family
ID=67433592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910015332A KR930007015A (ko) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | 레이저다이오드 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930007015A (ko) |
-
1991
- 1991-09-03 KR KR1019910015332A patent/KR930007015A/ko not_active IP Right Cessation
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