KR930020789A - 레이저다이오드의 제조방법 - Google Patents
레이저다이오드의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
이 발명은 레이저다이오드의 제조방법에 관한 것으로 임계전류를 낮게하고 빛의 가로방향 모드를 제한하기 위하여 P형 전극을 통해 주입되는 정공들이 제2클래드 층에서 확산되는 것을 최소화하기 위하여 P형영역을 전류차단층에 상기 제2클래드층과 겹쳐 활성층과의 거리를 좁히도록 형성한다. 따라서, 주입되는 정공들이 제2클래드층에서 확산되는 것을 최소화하므로 임계전류를 작게하며 빛의 가로방향 모드를 제한할 수 있다. 또한, 다른 실시예는 한번의 에피택시로 결정성장하므로 공정이 간단하고 결함이 발생되지 않는다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1(a)~(b)도는 종래의 레이저다이오드의 제조공정도.
제2(a)~(c)도는 이 발명의일실시예에 따른 레이저 다이오드의 제조공정도.
제3(a)~(c)도는 이 발명의 다른 실시예에 따른 레이저다이오드의 제조공정도이다.
Claims (7)
- 제1도전형의 반도체기판의 표면에 제1도전형의 버퍼층, 제1도전형의 제1클래드층, 활성층, 제2도전형의 제2클래드층 및 제1도전형의 전류차단층을 한번의 스텝으로 결정성장시키는 제1공정과, 상기전류차단층, 제2클래드층, 활성층 및 제1클래드층을 메사에칭하는 제2공정과, 상술한 구조의 전표면에 제3도전형의 제3클래드층을 결정성장시키는 제3공정과, 상기 제3클래드층의 표면에 절연막을 형성하는 제4공정과, 상기 활성층 상부의 절연막을 제거한 후 상기 제3클래드층에 제2클래드층과 겹치도록 제2도전형영역을 형성한 제5공정과, 제1및 제2도전형전극을 형성하는 제6공정을 구비하는 레이저다이오드의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 제1도전형은 N형, 제2도전형은 P형, 제3도전형은 I형인 레이저다이오드의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1및 제3공정을 LPE 또는 MOCVD중 어느 하나로 형성하는 레이저다이오드의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 활성층을 In1-yGayP로, 제1및 제2클래드층을 In-y (GaAl)yP로 형성한 레이저다이오드의 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 y가 0.5정도인 레이저다이오드의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 메사에칭은 전류차단층을 에칭하는 1단계와, 제1및 제2클래드층과 활성층을 에칭하는 2단계로 이루어지는 레이저다이오드의 제조방법.
- 제1도전형의 반도체기판의 표면에 제1도전형의 버퍼층, 제1도전형의 제1클래드층, 활성층, 제2도전형의 제2클래드층 및 제1도전형의 전류차단층을 결정성장하는 제1공정과, 상기 전류차단층을 줄무늬 형태의 메사구조를 갖도록 에칭하는 제2공정과, 상술한 구조의 전표면에 절연막을 형성하는 제3공정과, 상기 절연막과 전류차단 층을 V-홈을 길게 형성하는 제4공정과, 상기 V-홈을 통해 상기 전류제한층에 상기 제2클래드층과 겹치도록 제2도전형 영역을 형성하는 제5공정과, 제1및 제2도전형전극을 형성하는 제6공정을 구비한 레이저다이오드의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920005183A KR100234349B1 (ko) | 1992-03-28 | 1992-03-28 | 레이저다이오드의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920005183A KR100234349B1 (ko) | 1992-03-28 | 1992-03-28 | 레이저다이오드의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930020789A true KR930020789A (ko) | 1993-10-20 |
| KR100234349B1 KR100234349B1 (ko) | 1999-12-15 |
Family
ID=19331029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920005183A KR100234349B1 (ko) | 1992-03-28 | 1992-03-28 | 레이저다이오드의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100234349B1 (ko) |
-
1992
- 1992-03-28 KR KR1019920005183A patent/KR100234349B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100234349B1 (ko) | 1999-12-15 |
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