KR930020792A - 레이저다이오드의 어레이 제조방법 - Google Patents
레이저다이오드의 어레이 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
반도체기판상에 제1클레드층, 활성층 및 제2클레드층을 순차적으로 형성한 후, 통상의 사진식각공정에 의해 제2클레드층상에 소정깊이의 홈들을 형성한다. 계속해서 상기 홈들이 형성된 제2클레드층의 전표면에 LPE 방법으로 제2클레드층과 반대도전형의 반도체층을 형성하고, 상기 홈들을 메운 반도체층만 남기고 나머지는 별도의 마스크없이 용해식각하여 전류차단층을 형성한다. 계속해서 LPE 챔버내에서 캡층을 형성한 후 후속공정을 진행하여 LD-어레이를 형성한다.
따라서 전류차단층 형성 및 캡층 형성을 LPE 챔버내에서 단일공정으로 행할 수 있으므로 전류차단층과 캡층의 경계면에 산화막이나 핀홀등의 결함이 발생하지 않아 LD 어레이의 전류차단 효과가 향상되며, 열처리공정을 거치지 않으므로 임계전류가 낮아지고, 발진모우드 제어가 용이하며, 도핑농도 제어의 재현성이 우수하다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1(a)~(b)도는 종래 레이저다이오드 어레이 제조공정도.
제2(a)~(d)도는 이 발명에 따른 레이저다이오드 어레이 제조공정도이다.
Claims (3)
- 레이더다이오드 어레이의 제조방법에 있어서, 제1도전형의 반도체기판상에 제1도전형의 제1클래드층, 제1 또는 제2도전형의 활성층 및 제2도전형의 제2클레드층을 순차적으로 형성하는 1차 에피택시공정과, 제2클래드층 상부의 전류차단층을 형성할 부분을 소정깊이 제거하여 홈들을 형성하는 제1식각공정과, 상기 홈들이 형성된 제2클레드층 표면에 제1도전형의 반도체층을 형성하는 2차 에피택시공정과, 상기 홈들을 메운 반도체층만 남기고 반도체층을 모두 제거하여 전류차단층을 형성하는 용해식각공정과, 상기 전류차단층 및 제2클레드층의 표면에 제2도전형의 캡층을 형성하는 공정과, 상기 캡층의 상부에 절연층을 형성하는 공정과, 상기 전류차단층 상부의 절연층만 남도록 절연층의 일부를 제거하여 캡층의 소정부분을 노출시키는 공정과, 상기 절연층 및 캡층의 표면에 제2도전형의 전극을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판의 하부표면에 제1도전형의 전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 레이저다이오드 어레이 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1도전형의 p형으로하고 제2도전형을 n형으로 하는 레이저다이오드 어레이 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 용해식각공정과 캡층 형성 공정을 단일 LPE 챔버내에서 행하는 레이저다이오드 어레이 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920003580A KR940011271B1 (ko) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | 레이저다이오드 어레이 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920003580A KR940011271B1 (ko) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | 레이저다이오드 어레이 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR930020792A true KR930020792A (ko) | 1993-10-20 |
| KR940011271B1 KR940011271B1 (ko) | 1994-12-03 |
Family
ID=19329964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920003580A KR940011271B1 (ko) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | 레이저다이오드 어레이 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940011271B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100960764B1 (ko) * | 2003-01-28 | 2010-06-01 | 엘지전자 주식회사 | 레이저 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
-
1992
- 1992-03-04 KR KR1019920003580A patent/KR940011271B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100960764B1 (ko) * | 2003-01-28 | 2010-06-01 | 엘지전자 주식회사 | 레이저 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940011271B1 (ko) | 1994-12-03 |
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