KR930017250A - 레이저다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
소정기판에 2개의 경사면을 형성한 후 선택적 에피택시 방법을 이용하며 기판의 소정부분에 전류차단층을 형성한 후 후속공정을 진행하여 BTS-LD를 형성하였다.
따라서 BTS-LD의 전류제한층 형성공정시 열처리공정을 거치지 않으므로 임계전류값이 낮아지며, 광출력 효율 및 모우드 제어가 용이하며, 소자의 도핑농도 제어의 재현성이 우수하다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1(A)~(C)도는 종래의 레이저다이오드 제조 공정도, 제2도는 이 발명에 따른 레이저다이오드의 단면도, 제3(A)~(D)도는 이 발명에 따른 레이저다이오드 제조공정도이다.
Claims (6)
- 레디저다이오드에 있어서, 계단형성으로 된 제1및 제2경사면과 그 사이에 중간층을 가지는 제1도전형의 반도체기판과, 상기 반도체기판상의 제1경사면 및 중간층 이외의 부분에 형성된 제2도전형의 전류차단층과, 상기 반도체기판의 제1경사면, 중간층 및 그에 인접한 전류차단층의 상부에 형성된 제1도전형의 제1클레드층과, 상기 제1클레드층 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층의 상부에 형성된 제2도전형의 제2클레드층과, 상기 제2클레드층의 상부에 형성된 제2도전형의 캡층과, 상기 캡층의 일측에상기 캡층 및 제2클레드층과 수직방향으로 겹치도록 형성된 제2도전형의 확산영역과, 상기 제1클레드층이 형성되어 있지 않은 전류차단층의 상부에 제1클레드층, 활성층, 제2클레드층 및 캡층이 매몰되도록 형성된 제1도전형의 윈도우층과, 상기 확산영역의 상부를 제외한 상기 윈도우층 및 캡층의 상부에 형성된 절연층과, 상기 제2도전형의 확산영역 및 절연층의 상부에 형성된 제2도전형의 전극과, 상기 반도체기판의 하부에 형성된 제2도전형의 전극을 구비하는 레이저다이오드.
- 레이저다이오드의 제조방법에 있어서, 제1도전형의 반도체기판을 제1및 제2경사면과 그 사이에 중간층을 갖도록 식각하는 공정과, 상기 반도체기판의 제1경사면 및 중간층상에 마스크를 형성하는 공정과, 상기 반도체 기판상의 마스크를 제외한 부분에 전류차단층을 형성한 후 상기 마스크를 제거하는 공정과, 상기 기판과 전류차단층의 상부에 제1도전형의 제1클레드층, 활성층, 제2도전형의 제2클레드층 및 제2도전형의 캡층을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 반도체기판의 제1경사면 및 중간층과 대향되는 캡층의 상부가 보호되도록 감광막 패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막 패턴에 의해 노출된 캡층, 제2클레드층 활성층 및 제1클레드층을 순차적으로 제거하여 전류차단층을 노출시킨 후 상기 감광막 패턴을 제거하는 공정과, 상기 노출된 전류차단층의 상부에 제1클레드층, 활성층, 제2클레드층 및 캡층의 측면이 매몰되도록 형성하는 공정과, 상기 캡층 및 윈도우층의 상부에 상기 캡층의 일부가 노출되도록 접속창을 가지는 절연층을 형성하는 공정과, 상기 접속창에 의해 노출된 캡층 및 제2클레드층에 제2도전형의 확산영역을 형성하는 공정과, 확산영역 및 절연층의 상부에 제2도전형의 전극을 형성하는 공정과, 상기 기판하부에 제1도전형의 전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 레이저다이오드 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 제1도전형을 n형으로 제2도전형을 p형으로 형성하는 레이저다이오드 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 마스크를 질화규소 또는 산화규소로 형성하는 레이저다이오드 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 전류차단층을 선택적 에피택시 방법으로 형성하는 레이저다이오드 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 윈도우층을 선택적 에피택시 방법으로 형성하는 레이저다이오드 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930017250A true KR930017250A (ko) | 1993-08-30 |
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