KR920013796A - 화합물 반도체소자 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음

Description

화합물 반도체소자 및 그 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제3도는 이 발명에 따른 화합물 반도체 소자의 수직단면도

Claims (11)

1. 이종접합 바이폴라 트랜지스터와 양자우물 레이저 다이오드를 구비하는 화합물 반도체소자에 있어서, 반절연성 화합물 반도체 기판의 전표면에 형성되어 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 부콜렉터 및 레이저다이오드의 기판이 되는 제1도전형의 제1반도체층과, 상기 제1반도체층의 이종접합 바이폴리 트랜지스터의 영역상에 형성되며 콜렉터영역이 되는 제1도전형의 제1반도체층과, 상기 제2반도체층의 상부에 형성되며 베이스영역이 되는 제2도전형의 제3반도체층과, 상기 제3반도체층의 상부에 형성되며 에미터영역이 되는 제1도전형의 제4반도체층과, 상기 제4반도체층의 상부에 형성되며 캡층이 되는 제1도전형의 제5반도체층과, 상기 제5반도체층 상부의 소정부분에 형성된 T자형의 에미터 전극과, 상기 에미터전극을 이온주입마스크로 이용하여 상기 제2반도체층과 소정두께가 겹치도록 형성된 제2도전형의 이온주입영역과, 상기 이온주입영역의 상부에 형성된 베이스전극과, 상기 노출된 제1반도체층상의 일측에 상기 반절연성 화합물 반도체기판과 겹치도록 형성된 소자분리영역과, 상기 이종접합 바이폴라 트랜지스터 영역과 흠에 의해 소정거리 이격되어 상기 제1반도체층의 앙자우물 레이저다이오드의 영역상에 형성되며 제1도전형의 클래드층이 되는 제2반도체층과, 상기 제2반도체층의 상부에 에너지밴드구조가 서로 다른 화합물반도체를 반복 적층하여 형성되며 활성층이 되는 제6반도체층과, 상기 제6반도체층의 상부에 형성되며 제2도전형의 클래드층이 되는 제7반도체층과, 상기 제7반도체층의 상부에 형성되며 캡층이 되느 제2도전형의 제8반도체층과, 상기 제8반도체층상의 소정부분을 제외한 영역상에 형성된 절연막과, 상기 절연막의 상부에 형성되며 상기 제8반도체층의 소정부분과 접촉되는 제2도전형전극과, 상기 절연막의 하부에 상기 제2반도체층과 겹쳐지도록 형성된 고저항 영역과, 상기 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 영역과, 레이저다이오드의 영역사이의 노출된 제1반도체층상에 형성되며 이종접합바이폴라 트랜지스터의 콜렉터전극 및 양자우물 레이저 다이오드의 제1도전형 전극으로 이용되는 공통전극으로 구성됨을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자.
2. 제1항에 있어서, 상기 반절연성 화합물 반도체기판은 GaAs임을 특징으로 하는 화합물 반도체소자.
3. 제1항에 있어서, 상기 제1도전형은 N형이고, 제2도전형은 P형임을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자.
4. 제1항에 있어서, 제1, 제3, 제5 및 제8반도체층은 GaAs층이고, 제2, 제4 및 제7반도체층은 AlGaAs층임을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자.
5. 제1항에 있어서, 상기 제6반도체층은 GaAs와 AlGaAs가 불순물이 도핑되지 않고 반복 적층됨을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자.
6. 제1항에 있어서, 상기 소자분리 영역 및 고저항영역은 B또는 H이온 주입영역임을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자.
7. 제1항에 있어서, 상기 절연막 SiO₂또는 Al₂O₃임을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자.
8. 이종접합 바이폴라 트랜지스터와 레이저다이오드를 구비한 화합물 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 반절연성 화합물 반도체 기판의 전표면에 제1, 제2, 제3, 제4 및 제5반도체층을 순차적으로 형성한 후 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 영역과 레이저다이오드의 영역을 제외한 부분을 메사에칭하여 제1반도체층을 노출시키는 공정과, 상기 레이저다이오드의 영역의 제5, 제4 및 제3반도체층을 선택적으로 에칭하는 공정과, 전술한 구조의 전표면에 에너지 밴드구조가 서로 다른 화합물 반도체를 반복적층하여 제6반도체층을 형성하는 공정과, 상기 제6반도체층의 상부에 제7및 제8반도체층을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 레이저다이오드의 영역이외의 영역에 형성된 제8, 제7 및 제6반도체층을 선택적 에칭하는 공정과, 상기 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 영역과 레이저다이오드의 영역사이 이외의 노출된 제1반도체층 및 상기 제8반도체층의 소정부분을 제외한 부분에 이온 주입하여 소자분리영역과 고저항영역을 형성하는 공정과, 상기 제5반도체층의 상부에 T자형의 에미터전극을 형성하는 공정과, 상기 에미터전극을 이온주입마스크로 이용하여 상기 제2바도체층과 겹치도록 제2도전형의 이온주입영역을 형성하는 공정과, 상기 제2도전형의 이온주입 영역상에 베이스전극을 형성하는 공정과, 상기 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 영역과 레이저다이오드의 영역사이의 노출된 제1반도체층의 표면에 공통전극을 형성함과 동시에 상기 절연막의 상부에 사기 제8반도체층의 소정부분과 접촉되는 제2도전형 전극을 형성하는 공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 화합물 반도체소자의 제조방법.
9. 제8항에 있어서, 상기 제1, 제2, 제4 및 제5반도체층은 제1도전형의 층이고, 상기 제3, 제7 및 제8반도체층은 제2도전형의 층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 제조방법.
10. 제9항에 있어서, 상기 제1도전형은 N형이고, 제2도전형은 P형임을 특징으로 하는 화합물반도체소자의 제조방법.
11. 제8항에 있어서, 상기 제6반도체층은 GaAs와 AlGaAs를 반복 적층하여 형성함을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 제조방법.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.