KR980006472A - 바이폴라 트랜지스터 및 그의 제조방법 - Google Patents

바이폴라 트랜지스터 및 그의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 트렌치 산화막으로 소자를 분리하여 기생캐패시터의 발생을 방지하고, 베이스-콜렉터간에 쇼트키다이오드를 형성하여 초고속으로 동작하며, 메몰층과 콜렉터 영역을 전기적으로 접합시켜 콜렉터 직렬저항을 감소시킬 수 있는 초고속 바이폴라 트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 초고속 바이폴라 트랜지스터는 제1도전형의 기판상에 형성된 고농도의 제2도전형의 메몰층과; 고농도의 제2도전형의 메몰층을 포함한 기판상에 형성된 제2도전형의 에피택셜층과; 제2도전형의 에피택셜층에 형성된 제1도전형의 베이스 영역과; 베이스 영역에 형성된 고농도의 제2도전형의 에미터과; 상기 에피택셜층상에 형성되어, 상기 메몰층과 전기적으로 접합된 고농도의 제2도전형의 콜렉터영역과; 상기 콜렉터영역과 에피택셜층사이에 형성된 소자분리층과; 기판전면에 형성된, 상기 에미터영역과 베이스 영역 및 에피택셜층 그리고 콜렉터영역에 각 콘택을 갖는 절연막과; 상기의 콘택을 통해 각 영역과 콘택되는 각 전극을 포함한다.

Description

바이폴라 트랜지스터 및 그의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 쇼트키 다이오드를 구비한 초고속 바이폴라 트랜지스터의 단면 구조도.

Claims (8)

  1. 제1도전형의 기판상에 형성된 고농도의 제2도전형의 메몰층과, 고농도의 제2도전형의 메몰층을 포함한 상기 기판상에 형성된 제2도전형의 에피택셜층과, 상기 제2도전형의 에피택셜층에 형성된 제1도전형의 베이스 영역과, 상기 베이스 영역에 형성된 고농도의 제2도전형의 에미터과, 상기 에피택셜층상에 형성되어, 상기 메몰층과 전기적으로 접합된 고농도의 제2도전형의 콜렉터영역과, 상기 콜렉터영역과 상기 에피택셜층사이에 형성된 소자분리층과, 기판전면에 형성된, 상기 에미터영역과, 상기 베이스 영역 및 상기 에피택셜층 그리고 콜렉터영역에 각 콘택을 갖는 절연막과, 상기의 콘택을 통해 상기 에미터영역과, 상기 베이스 영역 및 상기 콜렉터영역과 콘택되는 에미터전극, 베이스전극 및 콜렉터 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 소자분리층은 상기 콜렉터영역과 에피택셜층사이의 트렌치에 형성된 산화막인 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
  3. 제1항에 있어서, 상기 베이스 전극은 상기 베이스 콘택을 통해 상기 베이스 영역 및 상기 에피택셜층과 콘택되어 쇼트키 다이오드를 형성하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
  4. 제1도전형의 기판상에 고농도의 제2도전형의 메몰층을 형성하는 공정과, 상기 제2도전형의 메몰층을 포함한 상기 기판상에 제2도전형의 에피택셜층을 성장시키는 공정과, 상기 에피택셜층으로 고농도의 제2도전형의 불순물을 이온주입하여 고농도의 제2도전형의 콜렉터영역을 형성하는 공정과, 상기 에피택셜층과 상기 콜렉터 영역사이에 소자분리층을 형성하는 공정과, 상기 에피택셜층에 제1도전형의 베이스 영역을 형성하는 공정과, 상기 제1도전형의 베이스 영역에 제2도전형의 고농도 에미터영역을 형성하는 공정과, 기판전면에 절연막을 형성하는 공정과, 상기 에미터영역과, 상기 베이스 영역 및 상기 에피택셜층 그리고 상기 콜렉터영역 상부의 상기 절연막을 식각하여 각 콘택을 형성하는 공정과, 상기의 콘택을 통해 상기 에미터영역과, 상기 베이스 영역 및 상기 콜렉터영역에 콘택되는 에미터전극, 베이스전극 및 콜렉터 전극을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 소자분리층은 상기 콜렉터 영역과 인접한 상기 에피택셜층을 식각하여 트렌치를 형성하고, 상기 트렌치내에 산화막을 메몰시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 소자분리층을 형성하기 위한 상기 에피택셜층의 식각시 기판이 노출될때까지 식각하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
  7. 제4항에 있어서, 상기 콜렉터영역은 상기 에미터 영역을 중심으로 대칭적으로 상기 메몰층과 전기적으로 접합되는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
  8. 제4항에 있어서, 상기 베이스 전극은 상기 베이스 콘택을 통해 상기 콜렉터영역과 상기 에피택셜층과 콘택되도록 형성되어, 쇼트키 다이오드를 형성하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
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