KR930017199A - 화합물 반도체 소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
이 발명은 화합물 반도체를 이용하여 수광소자인 포토다이오드와 수광소자로부터 작은 광전류를 증폭시키는 교전류 이동 특성을 갖는 이종접합 바이폴라트랜지스터(Heterojunction Bipolar Transistor)를 결합시킨 화합물 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
따라서, 기존의 수광소자가 감지하기 어려운 낮은 출력의 광신호라도 이종접합 바이폴라 트랜지스터에 의해 높은 전류 이득 효과를 이용함으로써 미세한 광신호라도 검출이 가능하다.
또 고감도의 광센서로 이용할수 있으며 또한 화합물 반도체가 갖는 재료자체의 고이동도 특성을 이용하여 고주파용 광스위치로도 이용할수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 이 발명에 따른 화합물을 반도체 소자의 단면도이고, 제4도의 (가)~(아)는 이 발명에 따른 화합물 반도체 소자의 제조공정도이다.
Claims (11)
- 포토다이오드와 이종접합 바이폴라트랜지스터를 결합시킨 화합물 반도체 소자에 있어서, 소자분리영역에 의해 분리된 제1영역의 반절연성 화합물 반도체 기판상부에 적층된 제1도전형의 제1반도체층과, 상기 제1반도체층의 일부 영역에 순차적으로 적충된 제1도전형의 제2반도체층 및 제2도전형의 제3반도체층과, 상기 제3반도체층 상부의 제1영역의 소정부분에 형성된 제1전극과 상기 제2 및 제3반도체층이 적층되어 있지 않은 제1영역의 또다른 일부 영역의 제1반도체층 상부의 소정부분에 형성된 제2전극과 상기 제1및 제2전극 형성부분 이외의 제3반도체층과, 제1반도체층의 상부에 절연막이 형성되어진 포토다이오드, 소자분리영역에 의해 분리된 제2영역의 반절연성 화합물 반도체 기판 상부에 적층된 제1도전형의 제1반도체층과, 상기 제1반도체층 상부의 일부 영역에 순차적으로 적층된 제1도전형의 제2반도체층 및 제2도전형의 제3반도체층과, 상기 제3반도체층 상부의 일부 영역에 순차적으로 적층된 제1도전형의 제4반도체층 및 제1도전형의 제5반도체층과, 상기 제5반도체층 상부의 제2영역의 소정부분에 형성된 제3전극과, 상기 제4및 제5반도체층이 적층되어 있지 않은 제2영역의 제4전극과, 상기 제2및 제3반도체층이 적충되어 있지 않은 또다른 일부영역의 제1반도체층 상부의 소정부분에 형성된 제5전극과, 상기 제3, 제4및 제5전극 형성부분 이외의 제5, 제3및 제1반도체층 상부에 절연막이 형성되어 이루어진 바이폴라트랜지스터를 구비하여 이루어짐을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자.
- 제1항에 있어서, 반도체 기판은 Ⅲ - Ⅴ족 화합물임을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자.
- 제1항에 있어서, 제1도전형은 N형이고 제2도전형은 P형임을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자.
- 제1항에 있어서, 제1전극은 N형 전극이고, 제2전극은 P형 전극임을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자.
- 제1항에 있어서, 제3, 제4 및 제5전극은 각각 에미터 전극, 베이스 전극 및 콜렉터 전극임을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자.
- 제1항에 있어서, 화합물 반도체 소자는 포토다이오드와 HBT를 한 칩상에 집적화시킨 구조임을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자.
- 핀 포토다이오드(PIN)와 바이폴라 트랜지스터(HBT)를 결합시킨 화합물 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 반절연성 화합물 반도체 기판의 전표면상에 제1, 제2, 제3, 제4 및 제5반도체층을 순차적으로 형성하는 공정과, 통상적인 리소그래피 공정에 의해 제2영역의 에미터 영역을 제외한 부분의 제4및 제5반도체층을 제거하는 공정과, 통상적인 리소그래피 공정에 의해 제2영역의 베이스 영역과 제1영역의 P형 전극 영역을 제외한 부분의 제2및 제3반도체층을 제거하는 공정과, 제1및 제2영역의 노출된 제2및 제3반도체층과 제5반도체층 상부의 전표면에 절연막을 형성한후 이온주입하여 제1영역과 제2영역으로 소자분리하는 공정과, 통상적인 포토리소그래피공정에 의해 제1영역의 P형 전극 접촉부와 N형 전극 접촉부 및 제2영역의 에미터 접촉부, 베이스 접촉부와 콜렉터 접촉부의 절연막을 제거한후 P형 및 N형 전극, 에이터 전극,베이스 전극 및 콜렉터 전극을 각각 형성하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 제조방법.
- 제7항에 있어서, 반도체 기판은 I - V족 화합물로 이루어진 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 제조방법.
- 제7항에 있어서, 반도체층들은 MOCVD 또는 MBE법에 의해 형성되어짐을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 제조방법.
- 제7항에 있어서, 포토다이오드와 HBT소자를 동시에 한 칩상에 형성함을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 제조방법.
- 제7항에 있어서, 포토다이오드의 광전류를 HBT의 베이스 전류로 이용함을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920000384A KR930017199A (ko) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 화합물 반도체 소자 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920000384A KR930017199A (ko) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 화합물 반도체 소자 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930017199A true KR930017199A (ko) | 1993-08-30 |
Family
ID=65515450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920000384A KR930017199A (ko) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 화합물 반도체 소자 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930017199A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100948596B1 (ko) * | 2007-12-10 | 2010-03-23 | 한국전자통신연구원 | 레이저 레이다 영상 신호용 출력제어 회로 집적 광 검출기어레이 집적 소자 및 그의 제조 방법 |
| US7902577B2 (en) | 2006-10-25 | 2011-03-08 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Image sensor having heterojunction bipolar transistor and method of fabricating the same |
-
1992
- 1992-01-14 KR KR1019920000384A patent/KR930017199A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7902577B2 (en) | 2006-10-25 | 2011-03-08 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Image sensor having heterojunction bipolar transistor and method of fabricating the same |
| KR100948596B1 (ko) * | 2007-12-10 | 2010-03-23 | 한국전자통신연구원 | 레이저 레이다 영상 신호용 출력제어 회로 집적 광 검출기어레이 집적 소자 및 그의 제조 방법 |
| US7759703B2 (en) | 2007-12-10 | 2010-07-20 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Photo-detector array device with ROIC monolithically integrated for laser-radar image signal and manufacturing method thereof |
| US7892880B2 (en) | 2007-12-10 | 2011-02-22 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Method of manufacturing a photo-detector array device with ROIC monolithically integrated for laser-radar image signal |
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