JP2746883B2 - 光電変換装置 - Google Patents
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- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、光励起により発生したキャリアを制御電極
領域に蓄積する半導体トランジスタを有する光電変換装
置に関する。 ［従来技術］ 第４図（Ａ）は、従来の光電変換装置の概略的断面
図、第４図（Ｂ）は、その等価回路図である。 両図において、ｎシリコン基板１上に光センサセルが
配列されており、各光センサセルはn+素子分離領域６に
よって隣接する光センサセルから電気的に分離されてい
る。 各光センサセルは次のような構成を有する。 エピタキシャル技術等で形成される不純物濃度の低い
n-領域４上にはｐ型の不純物をドーピングすることでｐ
ベース領域９が形成され、ｐベース領域９には不純物拡
散技術又はイオン注入技術等によってn+エミッタ領域15
が形成されている。すなわち、n-1領域４をコレクタ領
域としたバイポーラトランジスタが構成されている。 このように各領域が形成されたn-領域４上には酸化膜
12を挟んで所定の面積を有するポリシリコン14が形成さ
れている。ポリシリコン14は、酸化膜12を挟んでｐベー
ス領域９と対向し、ｐベース領域９の電位を制御するた
めのキャパシタCoxを構成している。 その他に、エミッタ電極19、ポリシリコン14に接続し
たキャパシタ電極17、基板１の裏面に不純物濃度の高い
n+領域２、バイポーラトランジスタのコレクタ電極21等
がそれぞれ形成されている。 次に、基本的な動作を説明する。光はバイポーラトラ
ンジスタのｐベース領域９へ入射し、光量に対応した電
荷（ここではホール）がｐベース領域９に蓄積される。
この蓄積された電荷によってベース電位は変化する（蓄
積動作）。 続いて、キャパシタ電極17に正電圧を印加することで
ベース電位を上昇させ、ｐベース領域９をn+エミッタ領
域15に対して順方向にバイアスする。これによるトラン
ジスタ動作によって、ｐベース領域９の蓄積電圧は浮遊
状態にしたエミッタ電極19から読み出され、入射光量に
対応した電気信号を得ることができる（読出し動作）。 また、ｐベース領域９に蓄積された電荷を除去するに
は、エミッタ電極19を接地し、キャパシタ電極17に正電
圧のパルスを印加する。これによってｐベース領域９は
n+エミッタ領域15に対して順方向にバイアスされ、蓄積
された電荷が除去される（リフレッシュ動作）。以後、
蓄積、読出し、リフレッシュの各動作が繰り返される。 ［発明が解決しようとする問題点］ 上記従来の光電変換装置において、駆動能力を高めて
高速読出しを達成し、かつ読出し動作におけるベース中
のホールの破壊度を低下させるために、エミッタ接地の
電流増幅率Hfeは高い方が望ましい。絶縁耐圧を維持
し、高いHfeを確保するためには、ｐベース領域９の不
純物濃度を１×1015〜５×1017cm-3程度に低く抑えるこ
とが必要である。 しかしながら、濃度を低下させると、次のような問題
が生じてくる。 ｐベース領域９と酸化膜12との界面は、偏析により
不純物濃度は更に低下しており、表面発生電流Isurfが
大きなノイズ成分となる。 キャパシタ電極17に正電圧パルスが印加されると、
ポリシリコン14直下のｐベース領域９がｎ型反転し、Co
xの容量値が低下して、出力低下を生ずる。 ｐベース領域９と酸化膜12との界面に表面電流が生
じるとｐベース領域９の表面にチャネルが発生し、コレ
クタ・エミッタ間が表面においてパンチスルーし易くな
る。 ［問題点を解決するための手段］ 本発明による光電変換装置は、 半導体基体中に光励起により発生したキャリアを蓄積
するための制御電極領域を有する半導体トランジスタ
と、前記制御電極領域に対応して絶縁層を介して設けら
れた容量形成電極を有する光電変換装置において、前記
制御電極領域の前記容量形成電極と対向する部分の不純
物濃度が前記半導体トランジスタの動作に寄与する部分
より高い不純物濃度を有することを特徴とする。 また、半導体基体中に光励起により発生したキャリア
を蓄積するための制御電極領域を有する半導体トランジ
スタと、前記制御電極領域に対応して絶縁層を介して設
けられた容量形成電極を有する光電変換装置において、
前記制御電極領域の前記容量形成電極と対向する部分の
不純物濃度が前記半導体トランジスタの動作に寄与する
部分より高い不純物濃度を有し、更に前記高い不純物濃
度の部分をソースまたはドレイン領域とし、該不純物濃
度が高い領域と間隙をあけて前記ソース又はドレイン領
域と同じ導電型の別の不純物濃度が高い領域をもう一方
のソース又はドレイン領域として設け、前記間隙部分に
絶縁層を介してゲート電極が前記半導体基体上に設けら
れて構成されたMOSトランジスタを有することを特徴と
する。 さらに、該光電変換装置において、前記半導体トラン
ジスタの動作に寄与する部分は、該半導体トランジスタ
のエミッタ領域下を含むことを特徴とする。 ［作用］ 上記制御電極領域のトランジスタ動作に寄与する部分
の不純物濃度を低く抑え、容量形成電極に対向する部分
の濃度を高濃度にするために、高いHfeが得られると共
に、表面電流に起因するノイズ成分を低減させることが
でき、さらにトランジスタの耐圧を確保することができ
る。 例えば、前記制御電極領域のトランジスタ動作に寄与
する部分の不純物濃度としては、１×1015〜５×1017cm
-3、それ以外の部分の不純物濃度としては、１×1017〜
５×1019cm-3である。 ［実施例］ 以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明す
る。 第１図（Ａ）は、本発明による光電変換装置の第１実
施例の概略的平面図、第１図（Ｂ）は、その一つのセル
のＡ−Ａ線断面図である。 両図において、ｎシリコン基板１上にエピタキシャル
成長によってn-領域４が形成され、その中にn+素子分離
領域６によって相互に電気的に分離された光センサセル
が配列されている。 n-領域４上には、バイポーラトランジスタのｐベース
領域９およびn+エミッタ領域15が形成されている。 本実施例におけるｐベース領域９は、低濃度部分25お
よび高濃度部分26より成る。すなわち、トランジスタ動
作に寄与するn+エミッタ領域15直下の部分を低濃度と
し、その他の部分を高濃度としている。 本実施例では、低濃度部分25の不純物濃度は１×1015
〜５×1017cm-3、高濃度部分26は１×1017〜５×1019cm
-3である。 ｐベース領域９の高濃度部分26には酸化膜12を挟んで
ポリシリコン14が対向し、ベース電位を制御するための
キャパシタCoxを構成している。 さらに、絶縁層16上にキャパシタ電極17、絶縁層18上
にエミッタ電極19、その上に表面保護層20、そして基板
１の裏面に不純物濃度の高いn+領域２、バイポーラトラ
ンジスタのコレクタ電極21が各々形成されている。 このようにバイポーラトランジスタのｐベース領域９
を構成することで、ベース表面が高濃度となり、表面電
流によるノイズ発生を抑制でき、また耐圧を向上させる
ことができる。さらに、ベースが高濃度であるために、
読出し動作時にポリシリコン14に正電圧を印加しても、
Coxの容量値の低下を防止できる。 また、トランジスタ動作に寄与する部分の不純物濃度
は低く維持されているために、高いHfeが得られる。 本実施例の基本動作は、すでに述べたように、まず、
負電位にバイアスされたｐベース領域９を浮遊状態と
し、光励起により発生した電子・ホール対のうちホール
をｐベース領域９に蓄積する（蓄積動作）。 続いて、キャパシタ電極17に正電圧パルスを印加して
エミッタ・ベース間を順方向にバイアスし、蓄積された
ホールにより発生した蓄積電圧を浮遊状態のエミッタ側
へ読出す（読出し動作）。 また、エミッタ電極19を接地し、キャパシタ電極17に
正電圧のパルスを印加することで、ｐベース領域９に蓄
積されたホールを除去する（リフレッシュ動作）。 蓄積されていたホールが除去されることで、リフレッ
シュ用の正電圧パルスが立下がった時点でｐベース領域
９は負電位にバイアスされた初期状態となる。 第２図（Ａ）〜（Ｄ）は、ｐベース領域９およびエミ
ッタ領域15の製造方法の一例を示す工程図である。 先ず、同図（Ａ）に示すように、レジストをパターニ
ングし、イオン注入法又は拡散法等によってn-領域４上
に低濃度部分25を形成する。 続いて、同図（Ｂ）に示すように、同様にしてエミッ
タ部分を除いて高濃度部分26を形成する。その際、低濃
度部分25および高濃度部分26は重なっておればよく、双
方の領域の外周が一致しても、また低濃度領域25が内側
にあってもよい。 続いて、同図（Ｃ）に示すように、レジストパターニ
ング後にn+エミッタ領域15を形成する。その際、エミッ
タ領域15と高濃度部分26とは図示するように数μｍ離し
ても、また第１図に示すように重ねて接合させてもよ
い。 実際には、容量のバラツキを抑えるために、１〜２μ
ｍ重ねるのが望ましい。 続いて、同図（Ｄ）に示すように、酸化膜12を挟ん
で、高濃度部分26に対向させてポリシリコン14を形成す
る。以下、電極や層間絶縁膜等を通常のプロセスで形成
する。 第３図（Ａ）は、本発明の第２実施例の概略的断面
図、第３図（Ｂ）は、その等価回路図である。 同図において、n-1領域４には素子分離領域６によっ
て相互に分離されたセンサセルが複数個形成されてい
る。 さらに、各セル内にｐベース領域９、ｐベース領域９
内にn+エミッタ領域15が形成され、npn型バイポーラト
ランジスタが構成されている。ｐベース領域９は、上述
したように、低濃度部分25および高濃度部分26から成
り、n+エミッタ領域15は高濃度部分26と重ねて形成さ
れ、直下部分を除いて周囲を囲まれている。 また、ｐベース領域９の高濃度部分26から一定距離を
おいてn-領域４にp+領域27が形成され、更に、酸化膜12
を介してゲート電極28が形成されている。 すなわち、本実施例では、ベースの高濃度部分26およ
びp+領域27をソース・ドレインとするリセット用のｐチ
ャネルMOSトランジスタ（以下、「リセットTr」とす
る。）が構成されている。 その他、同図（Ａ）では省略されているが、エミッタ
電極19、コレクタ電極21およびp+領域27に接続した電極
29が形成される。 次に、本実施例における光電変換セルの動作を説明す
る。 第３図（Ｂ）に示すように、上記光電変換セルは、np
n型バイポーラトランジスタのｐベース領域９がリセッ
トTrのドレインに接続された回路と等価である。 まず、蓄積動作において、ｐベース領域９の電位Vbは
初期の正電位で浮遊状態に、エミッタ領域15はゼロ電位
の浮遊状態に、各々設定されている。なお、コレクタ電
極21には正電圧Vccが印加され、またリセットTrのゲー
ト電極28は正電位にあり、リセットTrはOFF状態となっ
ている。 この状態で受光部に光が入射し、光量に対応したキャ
リア（ここでは正孔）がｐベース領域９に蓄積される。 その際、ｐベース領域９は初期の正電位に設定されて
いるために、光励起によってキャリアが蓄積されると、
その蓄積キャリアに応じた信号が同時に浮遊状態のエミ
ッタ側へ読出され、光電変換出力が得られる。すなわ
ち、本実施例では蓄積動作と同時に読出し動作が進行す
る。 次に、ｐベース領域９に蓄積されたキャリアを消滅さ
せる動作について説明する。なお、電極29には一定電圧
Vbgが印加されているものとする。 まず、リセットTrのゲート電極28に負電圧のパルスが
印加されると、リセットTrはON状態となる。これによっ
て、ｐベース領域９の電位は、それまでの蓄積電圧に関
係なく、すなわち入射光の照度に関係なく、一定電圧Vb
gとなる。ここで電圧Vbgは、バイポーラトランジスタの
過渡リフレッシュ動作後に残るベース残留電圧Vkよりも
十分に高い電圧に設定されている。 続いて、電圧Vbgより十分低い電圧をエミッタ電極19
に印加する。これによって、ｐベース領域９に蓄積され
たホールは、n+エミッタ領域15からｐベース領域９に注
入される電子と再結合し消滅する。すでに述べたよう
に、ベース領域９の電位は、蓄積電位に関係なく、前記
残留電位Vkより十分高い電位Vbgに設定されているため
に、ｐベース領域９の電位は、照度の高低に関係なく一
定電位にリセットされる。 このように、本実施例では低照度状態での光電変換特
性の非直線性を改善でき、残像現象を完全に防止するこ
とができる。しかも、第１実施例と同様に、トランジス
タ動作は低濃度部分25で行われるために高いHfeが得ら
れ、さらにベース表面の濃度が高いために、表面電流に
よるノイズを抑制でき、また耐圧を向上させることがで
きる。 ［発明の効果］ 以上詳細に説明したように、本発明による光電変換装
置は、制御電極領域のトランジスタ動作に寄与する部分
の不純物濃度を低く抑え、容量形成電極に対向する部分
の濃度を高濃度にするために、制御用に容量を十分に確
保しつつ、高いHfeが得られ、高感度化を図れると共
に、表面電流に起因するノイズ成分を低減させることが
でき、さらにトランジスタの耐圧を確保することができ
る。 さらに、本発明によれば、リセット用MOSトランジス
タを設けることにより、低照度状態での光電変換特性の
非直線性を改善でき、残像減少を完全に防止できるとい
う効果を奏し得る。
領域に蓄積する半導体トランジスタを有する光電変換装
置に関する。 ［従来技術］ 第４図（Ａ）は、従来の光電変換装置の概略的断面
図、第４図（Ｂ）は、その等価回路図である。 両図において、ｎシリコン基板１上に光センサセルが
配列されており、各光センサセルはn+素子分離領域６に
よって隣接する光センサセルから電気的に分離されてい
る。 各光センサセルは次のような構成を有する。 エピタキシャル技術等で形成される不純物濃度の低い
n-領域４上にはｐ型の不純物をドーピングすることでｐ
ベース領域９が形成され、ｐベース領域９には不純物拡
散技術又はイオン注入技術等によってn+エミッタ領域15
が形成されている。すなわち、n-1領域４をコレクタ領
域としたバイポーラトランジスタが構成されている。 このように各領域が形成されたn-領域４上には酸化膜
12を挟んで所定の面積を有するポリシリコン14が形成さ
れている。ポリシリコン14は、酸化膜12を挟んでｐベー
ス領域９と対向し、ｐベース領域９の電位を制御するた
めのキャパシタCoxを構成している。 その他に、エミッタ電極19、ポリシリコン14に接続し
たキャパシタ電極17、基板１の裏面に不純物濃度の高い
n+領域２、バイポーラトランジスタのコレクタ電極21等
がそれぞれ形成されている。 次に、基本的な動作を説明する。光はバイポーラトラ
ンジスタのｐベース領域９へ入射し、光量に対応した電
荷（ここではホール）がｐベース領域９に蓄積される。
この蓄積された電荷によってベース電位は変化する（蓄
積動作）。 続いて、キャパシタ電極17に正電圧を印加することで
ベース電位を上昇させ、ｐベース領域９をn+エミッタ領
域15に対して順方向にバイアスする。これによるトラン
ジスタ動作によって、ｐベース領域９の蓄積電圧は浮遊
状態にしたエミッタ電極19から読み出され、入射光量に
対応した電気信号を得ることができる（読出し動作）。 また、ｐベース領域９に蓄積された電荷を除去するに
は、エミッタ電極19を接地し、キャパシタ電極17に正電
圧のパルスを印加する。これによってｐベース領域９は
n+エミッタ領域15に対して順方向にバイアスされ、蓄積
された電荷が除去される（リフレッシュ動作）。以後、
蓄積、読出し、リフレッシュの各動作が繰り返される。 ［発明が解決しようとする問題点］ 上記従来の光電変換装置において、駆動能力を高めて
高速読出しを達成し、かつ読出し動作におけるベース中
のホールの破壊度を低下させるために、エミッタ接地の
電流増幅率Hfeは高い方が望ましい。絶縁耐圧を維持
し、高いHfeを確保するためには、ｐベース領域９の不
純物濃度を１×1015〜５×1017cm-3程度に低く抑えるこ
とが必要である。 しかしながら、濃度を低下させると、次のような問題
が生じてくる。 ｐベース領域９と酸化膜12との界面は、偏析により
不純物濃度は更に低下しており、表面発生電流Isurfが
大きなノイズ成分となる。 キャパシタ電極17に正電圧パルスが印加されると、
ポリシリコン14直下のｐベース領域９がｎ型反転し、Co
xの容量値が低下して、出力低下を生ずる。 ｐベース領域９と酸化膜12との界面に表面電流が生
じるとｐベース領域９の表面にチャネルが発生し、コレ
クタ・エミッタ間が表面においてパンチスルーし易くな
る。 ［問題点を解決するための手段］ 本発明による光電変換装置は、 半導体基体中に光励起により発生したキャリアを蓄積
するための制御電極領域を有する半導体トランジスタ
と、前記制御電極領域に対応して絶縁層を介して設けら
れた容量形成電極を有する光電変換装置において、前記
制御電極領域の前記容量形成電極と対向する部分の不純
物濃度が前記半導体トランジスタの動作に寄与する部分
より高い不純物濃度を有することを特徴とする。 また、半導体基体中に光励起により発生したキャリア
を蓄積するための制御電極領域を有する半導体トランジ
スタと、前記制御電極領域に対応して絶縁層を介して設
けられた容量形成電極を有する光電変換装置において、
前記制御電極領域の前記容量形成電極と対向する部分の
不純物濃度が前記半導体トランジスタの動作に寄与する
部分より高い不純物濃度を有し、更に前記高い不純物濃
度の部分をソースまたはドレイン領域とし、該不純物濃
度が高い領域と間隙をあけて前記ソース又はドレイン領
域と同じ導電型の別の不純物濃度が高い領域をもう一方
のソース又はドレイン領域として設け、前記間隙部分に
絶縁層を介してゲート電極が前記半導体基体上に設けら
れて構成されたMOSトランジスタを有することを特徴と
する。 さらに、該光電変換装置において、前記半導体トラン
ジスタの動作に寄与する部分は、該半導体トランジスタ
のエミッタ領域下を含むことを特徴とする。 ［作用］ 上記制御電極領域のトランジスタ動作に寄与する部分
の不純物濃度を低く抑え、容量形成電極に対向する部分
の濃度を高濃度にするために、高いHfeが得られると共
に、表面電流に起因するノイズ成分を低減させることが
でき、さらにトランジスタの耐圧を確保することができ
る。 例えば、前記制御電極領域のトランジスタ動作に寄与
する部分の不純物濃度としては、１×1015〜５×1017cm
-3、それ以外の部分の不純物濃度としては、１×1017〜
５×1019cm-3である。 ［実施例］ 以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明す
る。 第１図（Ａ）は、本発明による光電変換装置の第１実
施例の概略的平面図、第１図（Ｂ）は、その一つのセル
のＡ−Ａ線断面図である。 両図において、ｎシリコン基板１上にエピタキシャル
成長によってn-領域４が形成され、その中にn+素子分離
領域６によって相互に電気的に分離された光センサセル
が配列されている。 n-領域４上には、バイポーラトランジスタのｐベース
領域９およびn+エミッタ領域15が形成されている。 本実施例におけるｐベース領域９は、低濃度部分25お
よび高濃度部分26より成る。すなわち、トランジスタ動
作に寄与するn+エミッタ領域15直下の部分を低濃度と
し、その他の部分を高濃度としている。 本実施例では、低濃度部分25の不純物濃度は１×1015
〜５×1017cm-3、高濃度部分26は１×1017〜５×1019cm
-3である。 ｐベース領域９の高濃度部分26には酸化膜12を挟んで
ポリシリコン14が対向し、ベース電位を制御するための
キャパシタCoxを構成している。 さらに、絶縁層16上にキャパシタ電極17、絶縁層18上
にエミッタ電極19、その上に表面保護層20、そして基板
１の裏面に不純物濃度の高いn+領域２、バイポーラトラ
ンジスタのコレクタ電極21が各々形成されている。 このようにバイポーラトランジスタのｐベース領域９
を構成することで、ベース表面が高濃度となり、表面電
流によるノイズ発生を抑制でき、また耐圧を向上させる
ことができる。さらに、ベースが高濃度であるために、
読出し動作時にポリシリコン14に正電圧を印加しても、
Coxの容量値の低下を防止できる。 また、トランジスタ動作に寄与する部分の不純物濃度
は低く維持されているために、高いHfeが得られる。 本実施例の基本動作は、すでに述べたように、まず、
負電位にバイアスされたｐベース領域９を浮遊状態と
し、光励起により発生した電子・ホール対のうちホール
をｐベース領域９に蓄積する（蓄積動作）。 続いて、キャパシタ電極17に正電圧パルスを印加して
エミッタ・ベース間を順方向にバイアスし、蓄積された
ホールにより発生した蓄積電圧を浮遊状態のエミッタ側
へ読出す（読出し動作）。 また、エミッタ電極19を接地し、キャパシタ電極17に
正電圧のパルスを印加することで、ｐベース領域９に蓄
積されたホールを除去する（リフレッシュ動作）。 蓄積されていたホールが除去されることで、リフレッ
シュ用の正電圧パルスが立下がった時点でｐベース領域
９は負電位にバイアスされた初期状態となる。 第２図（Ａ）〜（Ｄ）は、ｐベース領域９およびエミ
ッタ領域15の製造方法の一例を示す工程図である。 先ず、同図（Ａ）に示すように、レジストをパターニ
ングし、イオン注入法又は拡散法等によってn-領域４上
に低濃度部分25を形成する。 続いて、同図（Ｂ）に示すように、同様にしてエミッ
タ部分を除いて高濃度部分26を形成する。その際、低濃
度部分25および高濃度部分26は重なっておればよく、双
方の領域の外周が一致しても、また低濃度領域25が内側
にあってもよい。 続いて、同図（Ｃ）に示すように、レジストパターニ
ング後にn+エミッタ領域15を形成する。その際、エミッ
タ領域15と高濃度部分26とは図示するように数μｍ離し
ても、また第１図に示すように重ねて接合させてもよ
い。 実際には、容量のバラツキを抑えるために、１〜２μ
ｍ重ねるのが望ましい。 続いて、同図（Ｄ）に示すように、酸化膜12を挟ん
で、高濃度部分26に対向させてポリシリコン14を形成す
る。以下、電極や層間絶縁膜等を通常のプロセスで形成
する。 第３図（Ａ）は、本発明の第２実施例の概略的断面
図、第３図（Ｂ）は、その等価回路図である。 同図において、n-1領域４には素子分離領域６によっ
て相互に分離されたセンサセルが複数個形成されてい
る。 さらに、各セル内にｐベース領域９、ｐベース領域９
内にn+エミッタ領域15が形成され、npn型バイポーラト
ランジスタが構成されている。ｐベース領域９は、上述
したように、低濃度部分25および高濃度部分26から成
り、n+エミッタ領域15は高濃度部分26と重ねて形成さ
れ、直下部分を除いて周囲を囲まれている。 また、ｐベース領域９の高濃度部分26から一定距離を
おいてn-領域４にp+領域27が形成され、更に、酸化膜12
を介してゲート電極28が形成されている。 すなわち、本実施例では、ベースの高濃度部分26およ
びp+領域27をソース・ドレインとするリセット用のｐチ
ャネルMOSトランジスタ（以下、「リセットTr」とす
る。）が構成されている。 その他、同図（Ａ）では省略されているが、エミッタ
電極19、コレクタ電極21およびp+領域27に接続した電極
29が形成される。 次に、本実施例における光電変換セルの動作を説明す
る。 第３図（Ｂ）に示すように、上記光電変換セルは、np
n型バイポーラトランジスタのｐベース領域９がリセッ
トTrのドレインに接続された回路と等価である。 まず、蓄積動作において、ｐベース領域９の電位Vbは
初期の正電位で浮遊状態に、エミッタ領域15はゼロ電位
の浮遊状態に、各々設定されている。なお、コレクタ電
極21には正電圧Vccが印加され、またリセットTrのゲー
ト電極28は正電位にあり、リセットTrはOFF状態となっ
ている。 この状態で受光部に光が入射し、光量に対応したキャ
リア（ここでは正孔）がｐベース領域９に蓄積される。 その際、ｐベース領域９は初期の正電位に設定されて
いるために、光励起によってキャリアが蓄積されると、
その蓄積キャリアに応じた信号が同時に浮遊状態のエミ
ッタ側へ読出され、光電変換出力が得られる。すなわ
ち、本実施例では蓄積動作と同時に読出し動作が進行す
る。 次に、ｐベース領域９に蓄積されたキャリアを消滅さ
せる動作について説明する。なお、電極29には一定電圧
Vbgが印加されているものとする。 まず、リセットTrのゲート電極28に負電圧のパルスが
印加されると、リセットTrはON状態となる。これによっ
て、ｐベース領域９の電位は、それまでの蓄積電圧に関
係なく、すなわち入射光の照度に関係なく、一定電圧Vb
gとなる。ここで電圧Vbgは、バイポーラトランジスタの
過渡リフレッシュ動作後に残るベース残留電圧Vkよりも
十分に高い電圧に設定されている。 続いて、電圧Vbgより十分低い電圧をエミッタ電極19
に印加する。これによって、ｐベース領域９に蓄積され
たホールは、n+エミッタ領域15からｐベース領域９に注
入される電子と再結合し消滅する。すでに述べたよう
に、ベース領域９の電位は、蓄積電位に関係なく、前記
残留電位Vkより十分高い電位Vbgに設定されているため
に、ｐベース領域９の電位は、照度の高低に関係なく一
定電位にリセットされる。 このように、本実施例では低照度状態での光電変換特
性の非直線性を改善でき、残像現象を完全に防止するこ
とができる。しかも、第１実施例と同様に、トランジス
タ動作は低濃度部分25で行われるために高いHfeが得ら
れ、さらにベース表面の濃度が高いために、表面電流に
よるノイズを抑制でき、また耐圧を向上させることがで
きる。 ［発明の効果］ 以上詳細に説明したように、本発明による光電変換装
置は、制御電極領域のトランジスタ動作に寄与する部分
の不純物濃度を低く抑え、容量形成電極に対向する部分
の濃度を高濃度にするために、制御用に容量を十分に確
保しつつ、高いHfeが得られ、高感度化を図れると共
に、表面電流に起因するノイズ成分を低減させることが
でき、さらにトランジスタの耐圧を確保することができ
る。 さらに、本発明によれば、リセット用MOSトランジス
タを設けることにより、低照度状態での光電変換特性の
非直線性を改善でき、残像減少を完全に防止できるとい
う効果を奏し得る。
【図面の簡単な説明】
第１図（Ａ）は、本発明による光電変換装置の第１実施
例の概略的平面図、第１図（Ｂ）は、その一つのセルの
Ａ−Ａ線断面図、 第２図（Ａ）〜（Ｄ）は、ｐベース領域９およびエミッ
タ領域15の製造方法の一例を示す工程図、 第３図（Ａ）は、本発明の第２実施例の概略的断面図、
第３図（Ｂ）は、その等価回路図、 第４図（Ａ）は、従来の光電変換装置の概略的断面図、
第４図（Ｂ）は、その等価回路図である。 １……基板 ４……n-領域 ６……素子分離領域 ９……ｐベース領域 15……n+エミッタ領域 17……キャパシタ電極 19……エミッタ電極 21……コレクタ電極 25……低濃度部分 26……高濃度部分
例の概略的平面図、第１図（Ｂ）は、その一つのセルの
Ａ−Ａ線断面図、 第２図（Ａ）〜（Ｄ）は、ｐベース領域９およびエミッ
タ領域15の製造方法の一例を示す工程図、 第３図（Ａ）は、本発明の第２実施例の概略的断面図、
第３図（Ｂ）は、その等価回路図、 第４図（Ａ）は、従来の光電変換装置の概略的断面図、
第４図（Ｂ）は、その等価回路図である。 １……基板 ４……n-領域 ６……素子分離領域 ９……ｐベース領域 15……n+エミッタ領域 17……キャパシタ電極 19……エミッタ電極 21……コレクタ電極 25……低濃度部分 26……高濃度部分
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フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名)
H01L 31/00
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．半導体基体中に光励起により発生したキャリアを蓄
積するための制御電極領域を有する半導体トランジスタ
と、前記制御電極領域に対応して絶縁層を介して設けら
れた容量形成電極を有する光電変換装置において、 前記制御電極領域の前記容量形成電極と対向する部分の
不純物濃度が前記半導体トランジスタの動作に寄与する
部分より高い不純物濃度を有することを特徴とする光電
変換装置。 ２．前記半導体トランジスタの動作に寄与する部分は、
該半導体トランジスタのエミッタ領域下を含むことを特
徴とする特許請求の範囲第１項に記載の光電変換装置。 ３．半導体基体中に光励起により発生したキャリアを蓄
積するための制御電極領域を有する半導体トランジスタ
と、前記制御電極領域に対応して絶縁層を介して設けら
れた容量形成電極を有する光電変換装置において、 前記制御電極領域の前記容量形成電極と対向する部分の
不純物濃度が前記半導体トランジスタの動作に寄与する
部分より高い不純物濃度を有し、 更に前記高い不純物濃度の部分をソースまたはドレイン
領域とし、該不純物濃度が高い領域と間隙をあけて前記
ソース又はドレイン領域と同じ導電型の別の不純物濃度
が高い領域をもう一方のソース又はドレイン領域として
設け、前記間隙部分に絶縁層を介してゲート電極が前記
半導体基体上に設けられて構成されたMOSトランジスタ
を有することを特徴とする光電変換装置。 ４．前記半導体トランジスタの動作に寄与する部分は、
該半導体トランジスタのエミッタ領域下を含むことを特
徴とする特許請求の範囲第３項に記載の光電変換装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62226711A JP2746883B2 (ja) | 1987-09-11 | 1987-09-11 | 光電変換装置 |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62226711A JP2746883B2 (ja) | 1987-09-11 | 1987-09-11 | 光電変換装置 |
Publications (2)
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|---|---|
| JPS6471185A JPS6471185A (en) | 1989-03-16 |
| JP2746883B2 true JP2746883B2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=16849439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62226711A Expired - Fee Related JP2746883B2 (ja) | 1987-09-11 | 1987-09-11 | 光電変換装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5598023A (ja) |
| JP (1) | JP2746883B2 (ja) |
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| US4800171A (en) * | 1987-10-02 | 1989-01-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for making bipolar and CMOS integrated circuit structures |
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1987
- 1987-09-11 JP JP62226711A patent/JP2746883B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-11-15 US US08/339,749 patent/US5598023A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| US5598023A (en) | 1997-01-28 |
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