KR900015361A - 방사 방출 반도체 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

방사 방출 반도체 다이오드 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 방사 방출 반도체 다이오드의 제1실시예의 단면도,
제2도는 본 발명에 따른 방사방출 반도체 다이오드의 제2실시예의 단면도,
제3도는 제1도의 반도체 다이오드의 전류-전압 특성과 비교 가능한 다이오드의 전류 전압 특성의 비교를 위해 접촉층이 완전히 제거된 다이오드의 전류 전압 특성도.

Claims (11)

  1. 칼륨비소(GaAs)로 구성되며 제1전도형 반도체 기판을 가지는 반도체 몸체를 구비하며, 전도층과 함께 하부층에 제공되며, 제1전도 형태의 최소한 제1피복층, 활성층, 제1전도 형태와 대응한 제2전도 형태의 제2피복층, 제2전도형태의 접촉부층에 연속적으로 배치되어 있고 갈륨비소(GaAs)로 구성되며, 상기 반도체 몸체는 매사형 스트립을 포함하며, 그것의 면에 인접하며, 최소한 접촉부층을 포함하며, 전도층이 배치되어 있고, 메사형 스트립 뒤로 연장되며 상기 전도층 밑의 반도체 층과 함께 배리어로 형성되는 정션 외부에 형성되는 방사 방출 반도체 다이오드에 있어서, 상기 피복층은 인듐 알루미늄 갈륨 인화(InAlGap) 또는 인듐 알루미늄 인화(InAlp)를 포함하여, 상기 활성층은 인듐 갈륨 인화(InGap)또는 상기 피복층보다 낮은 알루미늄 하량을 가지는 인듐 알루미늄 갈륨 인화를 포함하며, 중간층은 상기 전도층과 제2피복층 사이에 배치되며 상기 중간층은 전도층을 가지는 배리어로 형성되는 졍션을 형성하며, 제2전도 형태로 구성되며 반도체 물질을 포함하며 띠 간격은 상기 접촉부층과 제2피복층 사이에 놓이는 것을 특징으로 하는 방사 방출 반도체 다이오드.
  2. 제1항에 있어서, 상기 중간층은 상기 피복층보다 낮은 알루미늄 함량을 가지는 인듐 알루미늄 갈륨 인화(In-AlGap) 또는 인듐 갈륨 인화(InCap)를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사 방출 반도체 다이오드.
  3. 제2항에 있어서, 상기 중간층의 혼합물인 하측에서 상측까지 대략 알루미늄의 10at.%에서 0at.%까지 변화하며, 띠 간격은 2.1eV에서 1.9eV가지 변화하는 것을 특징으로 방사 방출 반도체 다이오드.
  4. 제1항에 있어서, 상기 중간층은 알루미늄 갈륨비소(AlGaAs)를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사 방출 반도체 다이오드.
  5. 앞의 항중 어떤 한항에 있어서, 상기 제2피복층은 1.1017내지 5.1017at/cm3의 도핑을 가지며 상기 중간층은 5.1017내지 4.1018at/cm3의 도핑을 가지는 것을 특징으로 하는 방사 방출 반도체 다이오드.
  6. 앞의 항중 어떤 한항에 있어서, 상기 중간층의 도핑은 하측에서 상측까지 1018at/cm3에서 1017at/cm3까지로 변화하는 것을 특징으로 하는 방사 방출 반도체 다이오드.
  7. 앞의 항중 어떤 한항에 있어서, 상기 중간층의 두께는 대략 2000에서 200Å 사이에 놓인 것을 특징으로 하는 방사 방출 반도체 다이오드.
  8. 앞의 항중 어떤 한항에 있어서, 상기 반도체 몸체의 상측상에 있는 전도층은 백금(Pt), 크롬(Cr), 티타늄(Ti)를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사 방출 반도체 다이오드.
  9. 앞의 항중 어떤 한항에 있어서, 상기 반도체 몸체는 중간층과 접촉층 사이에 매사형 스트립을 포함하며 다른 중간층은 거기에 배치되어 있으며, 띠 간격의 값은 접촉층과 제3피복층 사이에 놓인 것을 특징으로 하는 방사 방출 반도체 다이오드.
  10. 제1항 내지 제8항의 어떤 한항에 청구된 바와 같은 방사 방출 반도체 다이오드 제조방법으로서, 상기 제1전도 형태의 제1의 피복층, 활성층 갈륨비소(GaAs)로 구성되며 제2전도 형태의 접촉부층 및 제2전도 형태의 제2피복층의 최소한 갈륨비소(GaAs)의 반도체 기판에 제공되며, 사진 평판 및 에칭에 의해 메사형 스트립이 형성되며, 전도층이 기판에 제공되고 전도층에 메사형 스트립 위 및 외측에 제공되고 전도층 밀의 반도체 층을 가지고 배리어로 형성되는 정션의 메사형 스트립 외측에 형성한후 최소한 전도층을 포함하며, 반도체 물질처럼 인듐 알루미늄 갈륨 인화(InAlGap) 또는 인듐 알루미늄 인화는 피복층에 대하여 선택되며, 상기 피복층보다 낮은 알루미늄 함량을 가지는 인듐 갈륨 인화(InGap) 또는 인듐 알루미늄 갈륨 인화(InAlGap)는 활성층에 대하여 선택되며, 중간층은 접촉층과 제2피복층 사이에 제공되며, 중간층은 반도체 물질로 구성되며, 띠 간격은 접촉부층과 제2피복층 사이에 놓이며, 메사형 스트립이 에칭될때, 상기 에칭 처리는 상기 층에서 정지되는 것을 특징으로 하는 방사 방출 반도체 다이오드 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 제3의 피복층과 다른 중간층은 중간층과 접촉부 층 사이에 제공되고 메사형 스트립은 중간층에 대하여 형성되며 제3의 피복층과 다른 중간층을 포함하는 것을 특징으로 하는 방사 방출 반도체 다이오드 제조 방법.
    ※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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