KR950010250A - 레이저 다이오드와 그 제조방법 - Google Patents

레이저 다이오드와 그 제조방법 Download PDF

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KR950010250A KR1019930020363A KR930020363A KR950010250A KR 950010250 A KR950010250 A KR 950010250A KR 1019930020363 A KR1019930020363 A KR 1019930020363A KR 930020363 A KR930020363 A KR 930020363A KR 950010250 A KR950010250 A KR 950010250A
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김종렬
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 레이저 다이오우드에 관한 것으로 고출력을 얻기 위하여 개선된 구조의 레이저 다이오우드에 관한 것이다.
본 발명 레이저 다이오우드는 절연성 혹은 반 절연성 기판에 크래드층을 3층으로 구성하고 좌.우측에 선택적 아연 확산을 동시에 행하여 4_부분에서 레이징이 일어나게 한 4_빔 레이저 어레이 소자로써 고출력을 얻을 수 있도록 한 것이다.

Description

레이저 다이오드와 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도: 종래의 레이저 다이오드의 수직 단면도이며,
제2도: 본 발명에 따른 레이저 다이오드를 수직 도시한 것으로 (가) 수직 단면도이며 (나) 평면도이다.

Claims (3)

  1. 반도체 기판; 상기 기판위에 형성된 제1의 버퍼층; 상기 제1버퍼층 상에 형성된 제1의 크래드층; 상기 제1크래드층 상에 형성된 제1의 활성층; 상기 제1활성층 상에 형성된 제2크래드층; 상기 제2크래드층 상에 형성된 제2활성층; 상기 제2활성층 상에 형성된 제3크래드층; 상기 제3크래드층 상에 형성된 제2버퍼층; 상기 제2버퍼층 상에 형성된 캡층; 그리고 상기 적층의 좌. 우에 제1크래드층 깊숙이 까지 통상의 사진 식각 공정에 의한 제1차 Zn확산 영역; 상기 제1차 Zn확산 영역의 좌.우 양측의 외부로 제1차 확산시 보다 폭과 깊이를 좁고 얕게 확산 시킨 제2차 Zn확산 영역; 상기 확산 적층에 증착에 의하여 형성된 오믹 접촉 전극층을 구비하여서 된것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  2. 반도체 기판 상에; 제1의 버퍼층, 제1의 크래드층, 제1의 활성층, 제2크래드층, 제2활성층, 제3크래드층, 제2버퍼층, 캡층을 순차적으로 형성시키는 제1공정; 그리고 상기 제1공정에서 형성된 적층에 상기 Opening이 다른 마스크로 두 차례에 걸쳐 선택적으로 Zn을 확산 시켜 소정 거리를 둔 두 쌍의 레이징 영역을 형성시키는 제2공정; 그리고 상기 Zn확산층상 및 비 Zn확산층에 p형 및 n형의 오믹 접촉 전극층을 형성 시키는 제3공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 제1공정에서의 제1의 크래드층 상에 제1활성층을 형성시키는 제1의 단위 공정; 상기 제1단위 공정으로 형성된 제1활성층 상에 제2크래드층 및 제2활성층을 형성시키는 제2의 단위 공정; 상기 제2단위공정으로 형성된 제2활성층 상에 제3 크래드층을 형성시키는 제3의 단위 공정을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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