KR970053784A - 반도체 레이저 패키지 구조 - Google Patents

반도체 레이저 패키지 구조 Download PDF

Info

Publication number
KR970053784A
KR970053784A KR1019950069315A KR19950069315A KR970053784A KR 970053784 A KR970053784 A KR 970053784A KR 1019950069315 A KR1019950069315 A KR 1019950069315A KR 19950069315 A KR19950069315 A KR 19950069315A KR 970053784 A KR970053784 A KR 970053784A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
semiconductor laser
type
package structure
lead
Prior art date
Application number
KR1019950069315A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100357161B1 (ko
Inventor
노민수
Original Assignee
구자홍
Lg 전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 구자홍, Lg 전자 주식회사 filed Critical 구자홍
Priority to KR1019950069315A priority Critical patent/KR100357161B1/ko
Publication of KR970053784A publication Critical patent/KR970053784A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100357161B1 publication Critical patent/KR100357161B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 레이저에 관한 것으로, 수평전류 주입형 반도체 레이저와, 상기 반도체 레이저를 상기 스템에 부착시키기 위한 반도체 레이저의 하부에 분리 구성되는 제1,2솔더와, 상기 반도체 레이저의 제1,2솔더중에 어느 하나가 부착되는 부분에 하나의 솔더와 동일 형태로 홈ㅁ이 형성되어 스템의 일측에 돌출 구성하는 리드와, 상기 리드의 홈 부분에 대응하여 제1,2 솔더중에 어느 하나가 부착되는 부분에 솔더와 동일 형태로 홈이 형성되어 스템의 타측에 구성되는 히트 싱크 블럭으로 이루어져 와이어 본딩(Wire Bonding)없이 패키지 (Package)공정이 효율적으로 이루어지도록 한 반도체 레이저 패키지 구조에 관한 것이다.

Description

반도체 레이저 패키지 구조
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 반도체 레이저 패키지 구성도.

Claims (8)

  1. 스템을 이용한 반도체 레이저 패키지에 있어서, 수평전류 주입형 반도체 레이저와, 상기 반도체 레이저를 상기 스템에 부착시키기 위해 반도체 레이저의 하부에 분리 구성되는 제1,2 솔더와, 상기 반도체 레이저의 제1,2 솔더중에 어느 하나가 부착되는 부분에 하나의 솔더와 동일 형태로 홈이 형성되어 스템의 일측에 돌출 구성되는 리드와, 상기 리드의 홈 부분에 대응하여 제1,2솔더중에 어느 하나가부착되는 부분에 솔더와 동일 형태로 홈이 형성되어 스템의 타측에 구성되는 히트 싱크 블럭을 포하하여 구성됨을 특징으로하느 반도체 레이저 패키지 구조.
  2. 제1항에 있어서, 리드에 솔더와 동일 형태로 형성되는 홈은 리드의 말단부에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 패키지 구조.
  3. 제1항에 있어서, 리드와 히트 싱크 블럭은 서로 분리 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체레이저 패키지 구조.
  4. 제1항에 있어서, 리드는 절연체에 의해 스템과 서로 절연 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 패키지 구조.
  5. 제1항에 있어서, 수평전류 주입형 반도체 레이저는 GaAs 기판과, 상기 GaAs 기판의 일정 깊이까지 식각되어진 소정영역에 차례대로 형성되는 불순물이 도핑되지 않은 A10.45Ga0.55As층, Al0.14Ga0.86As활성층, Al0.45Ga0.55As층, GaAs캡층과, 상기 적층 형성되어진 반도체층의 일측 기판상에 상기 GaAs 캡층과 동일 높이로 형성되는 n형 Al0.45Ga0.55As층, n형 GaAs층과, 상기 적층 형성되어진 반도체층의 타측 기판상에 상기 GaAs캡층과 동일 높이로 형성되는 P형 반전층과, 상기 P형 반전층과 n형 GaAs층상에 형성되는 제1,2콘택 메탈층을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 반도체 레이저 패키지 구조.
  6. 제5항에 있어서, 제1,2콘택 메탈층상에는 히트 싱크과 리드의 말단부에 형성된 홈과 동일 형태의 제1,2솔더가 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 패키지 구조.
  7. 제5항에 있어서, P형 반전층은 Zn 확산공정으로 반전되어진 n형 Al0.45Ga0.55As층, n형 GaAs층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 패키지 구조.
  8. 제1항에 있어서, 수평전류 주입형 반도체 레이저는 GaAs 기판과, 상기 GaAs 기판상에 차례대로 형성되는 불순물이 도핑되지 않은 Al0.45Ga0.55As층, Al0.14Ga0.86As활성층, Al0.45Ga0.55As캡층과, 상기 적층되어진 반도체층의 일측에 Zn 확산공정으로 기타의 일정 깊이까지 형성되는 P형 반전층과, 상기 적층되어진 반도체층의 타측에 Si 확산공정으로 기판의 일정 깊이까지 형성되는 n형 반전층과, 상기P형, n형 반전층에 각각 형성되는 제1,2메탈층을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 반도체 레이저 패키지 구조.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950069315A 1995-12-30 1995-12-30 반도체 레이저 패키지 구조 KR100357161B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950069315A KR100357161B1 (ko) 1995-12-30 1995-12-30 반도체 레이저 패키지 구조

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950069315A KR100357161B1 (ko) 1995-12-30 1995-12-30 반도체 레이저 패키지 구조

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970053784A true KR970053784A (ko) 1997-07-31
KR100357161B1 KR100357161B1 (ko) 2003-01-24

Family

ID=37490327

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950069315A KR100357161B1 (ko) 1995-12-30 1995-12-30 반도체 레이저 패키지 구조

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100357161B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6700911B2 (en) 1999-12-01 2004-03-02 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device, fabricating method thereof and optical pickup employing the semiconductor laser device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6700911B2 (en) 1999-12-01 2004-03-02 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device, fabricating method thereof and optical pickup employing the semiconductor laser device
KR100446714B1 (ko) * 1999-12-01 2004-09-01 샤프 가부시키가이샤 반도체 레이저 장치, 그의 제조방법 및 반도체 레이저장치를 사용한 광 픽업
US6972205B2 (en) 1999-12-01 2005-12-06 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device, fabricating method thereof and optical pickup employing the semiconductor laser device

Also Published As

Publication number Publication date
KR100357161B1 (ko) 2003-01-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5360984A (en) IGBT with freewheeling diode
US6472718B2 (en) Semiconductor device
JP2005217406A (ja) 電流拡散層を含む半導体発光装置
CN109473528B (zh) 具有共背面电极的面光源vcsel及其制备方法
KR970053784A (ko) 반도체 레이저 패키지 구조
JP2000323750A (ja) 発光ダイオードアレイ
JPH05343744A (ja) ダイボンド型発光ダイオード及びその製造方法
JPS61234588A (ja) 光半導体素子用サブマウント
JPH07254731A (ja) 発光素子
KR100518059B1 (ko) 스위칭 다이오드 및 그 제조 방법
JPS5939726Y2 (ja) 固定表示装置
JP2663581B2 (ja) 半導体装置
JP2633833B2 (ja) 半導体レーザ
KR960002991A (ko) 화합물 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법
KR940010431A (ko) 수직 발진형 반도체 레이저 다이오드
JPH06334271A (ja) 半導体レーザ
JPS60219776A (ja) シリ−ズダイオ−ド
JPS61184889A (ja) 半導体発光装置
JPS6171690A (ja) 半導体レ−ザ素子
JPS60187056A (ja) 半導体装置
KR950012864A (ko) 레이저 다이오드의 제조방법
KR890004446A (ko) 선택적 에피택셜 성장을 이용한 광소자 어레이의 제조방법
KR960043387A (ko) 화합물 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법
JPH03145784A (ja) 半導体レーザ装置
KR970077846A (ko) 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20060911

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee