KR890004446A - 선택적 에피택셜 성장을 이용한 광소자 어레이의 제조방법 - Google Patents
선택적 에피택셜 성장을 이용한 광소자 어레이의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 발광다이오드 어레이의 제조공정도
Claims (2)
- 발광다이오드 어레이를 제조하는데 있어서, 반도체 GaAs기판(1)상에 소정 두께의 산화막, 또는 질화막으로 마스크(2)를 형성하는 제공정과, 상기 기판(7)위에 소정두께의 P형 AlGaAs활성층(3), n형AlGaAs투과층(4), n형 GaAs캡층(5)을 순차적으로 에피택셜성장하는 제2공정과, 상기n형 GaAs캡층(5)을 에칭하여 저항접촉부를 형성하는 제3공정과, 상기 에피택셜층(3-5)위에 보호막(6)을 도포하는 제4공정과, 상기 형성된 저합접촉부(5)위의 보호막층(6)을 에칭하여 n형 전극(7)을 형성하는 제5공정과, 상기 GaAs기판(1) 뒷면에 P형전극(8)을형성하는 제6공정과, 상기 n형 전극(7)위에 인출전극(9)을 형성하는 제7공정으로 제조되어지는 것을 특징으로 하는 선택적 에피택셜 성장을 이용한 광소자어레이의 제조방법.
- 제1항의 제1공정에 있어서, 상기 반도체기판(1)상에 산화막 혹은 질화막 마스크(2)를 이용하여 발광부를 분리시키는 것을 특징으로 하는 선택적 에피택셜성장을 이용한 광소자어레이의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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|---|---|---|---|
| KR1019870009331A KR890004987B1 (ko) | 1987-08-26 | 1987-08-26 | 선택적 에피택셜 성장을 이용한 광소자 어레이의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019870009331A KR890004987B1 (ko) | 1987-08-26 | 1987-08-26 | 선택적 에피택셜 성장을 이용한 광소자 어레이의 제조방법 |
Publications (2)
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| KR890004446A true KR890004446A (ko) | 1989-04-22 |
| KR890004987B1 KR890004987B1 (ko) | 1989-12-02 |
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ID=19263984
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| KR1019870009331A KR890004987B1 (ko) | 1987-08-26 | 1987-08-26 | 선택적 에피택셜 성장을 이용한 광소자 어레이의 제조방법 |
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| KR (1) | KR890004987B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030007061A (ko) * | 2001-07-11 | 2003-01-23 | 히다찌 케이블 리미티드 | 발광 다이오드 어레이 |
| KR102089876B1 (ko) * | 2018-12-18 | 2020-03-16 | 한국광기술원 | 선택 성장을 이용한 광소자 제조방법 |
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1987
- 1987-08-26 KR KR1019870009331A patent/KR890004987B1/ko not_active IP Right Cessation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR890004987B1 (ko) | 1989-12-02 |
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