KR890004988B1 - 발광소자 어레이의 전극 형성방법 - Google Patents
발광소자 어레이의 전극 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음.
Description
제1(a)도는 종래 아연확산을 이용한 발광 다이오드 어레이의 단면도. 제1(b)도는 종래 메사에칭을 이용한 발광 다이오드 어레이의 단면도.
제2도는 본 발명 발광소자 어레이의 단면도.
제3(a)도∼제3(e)도는 본 발명 공정에 의한 발광소자 어레이의 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : n형 GaAs기판 2 : n형 GaAsP
3 : 아연확산영역 4 : P형전극
5 : S1O2마스크층 6 : P형 GaAs기판
7 : P형 AlGaAs활성층 8 : n형 AlGaAs투과층
9 : n형 GaAs캡층 10 : 오믹전극
11 : 인출전극 12 : 포토레지스트
본 발명은 복사기 및 팩시밀리 터미널등에 사용되는 광프린터 헤드의 발광소자 어레이에 관한 것으로, 특히 발광부가 산화막 또는 질화막 마스크를 사용한 선택적 액상 결정 성장법에 의하여 형성된 발광소자 어레이의 전극 형성 방법에 관한 것이다.
종래의 발광소자 어레이는 제1(a)도 및 제1(b)도에 도시한 바와같이 p-n접합에 의하여 형성된 발광부표면(3)(8)의 중심에 오믹전극(4)(10)이 위치함으로써 오믹전극(4)(10)에 의해 발광부 표면(3)(8)의 일부가 가려지게 되어 오믹전극(4)(10) 면적의 확대를 통한 광출력의 향상에 문제점이 발생되었다.
본 발명은 이와같은 문제점을 감안하여, 산화막 또는 질화막을 마스크로 하여 액상결정 성장된 메사형 발광소자 어레이의 측면에 오믹전극을 형성하여 표면 발광부의 감소없이 전체 발광면에 대한 일정 비율 이상의 오믹전극을 확보할 수 있도록 착안한 것으로, 이를 첨부된 도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
제2도는 본 발명 발광소자 어레이의 단면도로서 P형 GaAs기판(6)상에 S1O2마스크층(5)이 에칭되고 P형 AlGaAs활성층(7) 및 n형 AlGaAs투과층(8)과 n형 GaAs캡층(9)이 성장되어 형성된 메사형 발광소자 어레이의 측면에 오믹전극(10)이 형성되어 있는 구조로 되어 있어, 이와같은 구조를 갖고 있는 본 발명은 제3(a)도에 도시한 바와같이 화학적 기상증측법(Chemical Vapor Deposition)에 의하여 P형 GaAs기판(6)상에 S1O2또는 S13N+마스크층(5)을 약 500-1000Å정도 입히고 사진 식각법에 의하여 성장부분의 상기 막(5)을 에칭한 후, 제3(b)도에 도시한 바와같이 액상 결정성장(L·P·E : Liquid Phase Epitaxy)법에 의하여 P형 AlGaAs활성층(7) 및 n형 AlGaAs투과층(8)과 n형 GaAs캡층(9)을 차례로 성장시키고, 제3(c)도 및 제3(d)도에 도시한 바와같이 사진 식각법에 의하여 측면부를 노출시켜 AuGe,Ni,Au를 각각 600Å,100Å,1500Å 정도로 증착한 후, 제3(e)도에 도시한 바와같이 사진 식각법에 의하여 포토레지스트 패턴을 형성하고, Cr,Au를 각각 1000Å,8000Å 정도 증착하여 인출전극(11)을 형성한다.
이상에서와 같은 공정에 의하여 형성된 인출전극은 측면의 p-n접합부가 오믹전극부로 형성되어 표면의 발광면적을 줄이지 않아도 전체 발광면에 대한 일정비율 이상의 오믹 전극 면적을 확보하게 되어 광출력의 향상을 기대할 수 있는 것이다.
Claims (1)
- P형 GaAs기판(6)상에 S1O2또는 S13N4마스크층(5)을 에칭하고, P형 AlGaAs활성층(7) 및 n형 AlGaAs투과층(8)과 n형 GaAs캡층(9)을 액상결정 성장법에 의하여 메사형으로 성장시킨후 사진 식각법에 의하여 측면부를 노출시켜 AuGe,Ni,Au를 각각 증착하며, 포토레지스트 패턴을 사진 식각법에 의하여 형성하고 Cr,Au를 각각 증착하여 오믹전극(10)을 형성한 후 인출전극(11)을 형성함을 특징으로한 발광소자 어레이의 전극 형성방법.
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