JPH05235406A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JPH05235406A JPH05235406A JP3906092A JP3906092A JPH05235406A JP H05235406 A JPH05235406 A JP H05235406A JP 3906092 A JP3906092 A JP 3906092A JP 3906092 A JP3906092 A JP 3906092A JP H05235406 A JPH05235406 A JP H05235406A
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- Japan
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- semiconductor
- layer
- buffer layer
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 半導体基板１上に形成したバッファ層２の一
部を切除した。 【効果】 半導体基板１とバッファ層２との接触面積が
小さくなり、もって半導体基板１とバッファ層２との応
力差が小さくなってバッファ層２にクラックが発生した
り、発光素子が短命化することが防止される。
部を切除した。 【効果】 半導体基板１とバッファ層２との接触面積が
小さくなり、もって半導体基板１とバッファ層２との応
力差が小さくなってバッファ層２にクラックが発生した
り、発光素子が短命化することが防止される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体発光素子に関し、
例えばページプリンタの感光ドラム用光源などに用いら
れる半導体発光素子に関する。
例えばページプリンタの感光ドラム用光源などに用いら
れる半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体発光素子は、ＭＯＣＶＤ
（有機金属化学気相成長）法やＭＢＥ（分子線エピタキ
シャル成長）法等の化合物半導体結晶成長技術の進歩に
ともなって盛んに研究されている。
（有機金属化学気相成長）法やＭＢＥ（分子線エピタキ
シャル成長）法等の化合物半導体結晶成長技術の進歩に
ともなって盛んに研究されている。
【０００３】従来の半導体発光素子を図３に基づいて説
明する。図３は、従来の半導体発光素子の断面を示す図
であり、２１は例えば一導電型半導体用不純物を含有す
るシリコンなどから成る半導体基板、２２は半導体基板
２１と同じ導電型を呈する半導体用不純物を含有するガ
リウム砒素などから成るバッファ層、２３は半導体基板
２１と同じ導電型を呈するアルミニウムガリウム砒素な
どから成る第一の半導体層、２４は第一の半導体層２３
とは逆導電型を呈する半導体用不純物を含有するアルミ
ニウムガリウム砒素などから成る第二の半導体層、２５
は逆導電型不純物を多量に含むガリウム砒素などから成
るオーミックコンタクト層、２６は例えば窒化シリコン
（ＳｉＮX ）などから成る保護層である。オーミックコ
ンタクト層２５上の保護層２６には、孔２６ａが形成さ
れており、この孔２６ａを介してオーミックコンタクト
層２５と上部電極２７が接続されている。また、半導体
基板２１の裏面側には、半導体基板２１とオーミックコ
ンタクトをとるための下部電極２８が設けられている。
なお、上記半導体基板２１、バッファ層２２、第一およ
び第二の半導体層２３、２４、およびオーミックコンタ
クト層２５は、それぞれＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法で形成
された単結晶半導体層で構成される。
明する。図３は、従来の半導体発光素子の断面を示す図
であり、２１は例えば一導電型半導体用不純物を含有す
るシリコンなどから成る半導体基板、２２は半導体基板
２１と同じ導電型を呈する半導体用不純物を含有するガ
リウム砒素などから成るバッファ層、２３は半導体基板
２１と同じ導電型を呈するアルミニウムガリウム砒素な
どから成る第一の半導体層、２４は第一の半導体層２３
とは逆導電型を呈する半導体用不純物を含有するアルミ
ニウムガリウム砒素などから成る第二の半導体層、２５
は逆導電型不純物を多量に含むガリウム砒素などから成
るオーミックコンタクト層、２６は例えば窒化シリコン
（ＳｉＮX ）などから成る保護層である。オーミックコ
ンタクト層２５上の保護層２６には、孔２６ａが形成さ
れており、この孔２６ａを介してオーミックコンタクト
層２５と上部電極２７が接続されている。また、半導体
基板２１の裏面側には、半導体基板２１とオーミックコ
ンタクトをとるための下部電極２８が設けられている。
なお、上記半導体基板２１、バッファ層２２、第一およ
び第二の半導体層２３、２４、およびオーミックコンタ
クト層２５は、それぞれＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法で形成
された単結晶半導体層で構成される。
【０００４】このように構成された半導体発光素子の第
一の半導体層２３を例えばｎ型にし、第二の半導体層２
４を例えばｐ型にした場合の動作を説明すると、例えば
上部電極２７を正、下部電極２８を負として順バイアス
方向に電圧を印加すると、第一の半導体層２３から第二
の半導体層２４へ少数キャリアが注入され、第二の半導
体層２４と第一の半導体層２３の界面である半導体接合
部の第二の半導体層２４側界面でキャリアが再結合して
発光し、第二の半導体層２４と保護層２６を介して外部
へ取り出される。
一の半導体層２３を例えばｎ型にし、第二の半導体層２
４を例えばｐ型にした場合の動作を説明すると、例えば
上部電極２７を正、下部電極２８を負として順バイアス
方向に電圧を印加すると、第一の半導体層２３から第二
の半導体層２４へ少数キャリアが注入され、第二の半導
体層２４と第一の半導体層２３の界面である半導体接合
部の第二の半導体層２４側界面でキャリアが再結合して
発光し、第二の半導体層２４と保護層２６を介して外部
へ取り出される。
【０００５】
【発明が解決しようとする問題点】ところが、上述の半
導体発光素子では、シリコン基板２１上にガリウム砒素
層を形成すると、１０9 ｄｙｎｅ／ｃｍ2 程度の引っ張
り応力が発生する。すなわちシリコン基板２１上に、例
えば厚み２μｍ（２×１０-4ｃｍ）のガリウム砒素層か
ら成るバッファ層２２を堆積すると、このシリコン基板
２１とバッファ層２２には、１０9 ｄｙｎｅ／ｃｍ2 ×
（２×１０-4ｃｍ）＝２×１０5 ｄｙｎｅ／ｃｍ2 の絶
対応力（全応力）が存在し、膜厚の薄いガリウム砒素層
にクラックが発生したり、内部応力に起因して半導体発
光素子の寿命が短くなるという問題があった。
導体発光素子では、シリコン基板２１上にガリウム砒素
層を形成すると、１０9 ｄｙｎｅ／ｃｍ2 程度の引っ張
り応力が発生する。すなわちシリコン基板２１上に、例
えば厚み２μｍ（２×１０-4ｃｍ）のガリウム砒素層か
ら成るバッファ層２２を堆積すると、このシリコン基板
２１とバッファ層２２には、１０9 ｄｙｎｅ／ｃｍ2 ×
（２×１０-4ｃｍ）＝２×１０5 ｄｙｎｅ／ｃｍ2 の絶
対応力（全応力）が存在し、膜厚の薄いガリウム砒素層
にクラックが発生したり、内部応力に起因して半導体発
光素子の寿命が短くなるという問題があった。
【０００６】
【問題点を解決するための手段】本発明に係る半導体発
光素子は、このような従来技術の問題点を解決するため
になされたものであり、その特徴とするところは、半導
体基板上に導電型の異なる少なくとも二層の半導体層を
バッファ層を介して設けた半導体発光素子において、前
記バッファ層の一部を切除した点にある。
光素子は、このような従来技術の問題点を解決するため
になされたものであり、その特徴とするところは、半導
体基板上に導電型の異なる少なくとも二層の半導体層を
バッファ層を介して設けた半導体発光素子において、前
記バッファ層の一部を切除した点にある。
【０００７】
【作用】上記のように構成すると、半導体基板とバッフ
ァ層との接触面積が小さくなり、もって半導体基板とバ
ッファ層との応力差が小さくなってバッファ層にクラッ
クが発生したり、発光素子が短命化することが防止され
る。
ァ層との接触面積が小さくなり、もって半導体基板とバ
ッファ層との応力差が小さくなってバッファ層にクラッ
クが発生したり、発光素子が短命化することが防止され
る。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づき詳
細に説明する。図１（ａ）は、本発明に係る半導体発光
素子を平面視した状態を示す図であり、同図（ｂ）は断
面構造を示す図であり、１は半導体基板、２はバッファ
層、３は第一の半導体層、４は第二の半導体層、５はオ
ーミックコンタクト層、６は保護層、７は上部電極、８
は下部電極である。
細に説明する。図１（ａ）は、本発明に係る半導体発光
素子を平面視した状態を示す図であり、同図（ｂ）は断
面構造を示す図であり、１は半導体基板、２はバッファ
層、３は第一の半導体層、４は第二の半導体層、５はオ
ーミックコンタクト層、６は保護層、７は上部電極、８
は下部電極である。
【０００９】前記半導体基板１は、例えば（１００）面
方向から（０１１）面方向に２°オフして切り出した単
結晶シリコン基板などで構成され、アンチモン（Ｓｂ）
などから成るドナーを１０19個／ｃｍ3 程度含有させた
半導体基板が用いられる。
方向から（０１１）面方向に２°オフして切り出した単
結晶シリコン基板などで構成され、アンチモン（Ｓｂ）
などから成るドナーを１０19個／ｃｍ3 程度含有させた
半導体基板が用いられる。
【００１０】前記半導体基板１上には、一導電型、例え
ばｎ型不純物を含有するバッファ層２が形成されてい
る。このバッファ層２は、半導体基板１との熱膨張係数
の相違に起因する内部応力をある程度発生させ、シリコ
ン基板１と第一の半導体層３の格子定数の相違に起因す
るミスフィット転移を低減させるために形成され、厚み
１〜３μｍ程度に形成される。このバッファ層２は、例
えばガリウム砒素（ＧａＡｓ）などのIII-Ｖ族化合物半
導体膜などから成り、シリコン（Ｓｉ）などから成るド
ナーを１０16個／ｃｍ3 程度含有している。
ばｎ型不純物を含有するバッファ層２が形成されてい
る。このバッファ層２は、半導体基板１との熱膨張係数
の相違に起因する内部応力をある程度発生させ、シリコ
ン基板１と第一の半導体層３の格子定数の相違に起因す
るミスフィット転移を低減させるために形成され、厚み
１〜３μｍ程度に形成される。このバッファ層２は、例
えばガリウム砒素（ＧａＡｓ）などのIII-Ｖ族化合物半
導体膜などから成り、シリコン（Ｓｉ）などから成るド
ナーを１０16個／ｃｍ3 程度含有している。
【００１１】前記半導体基板１と第一の半導体層３との
間のバッファ層２は、一部が切除されており、半導体基
板１と第一の半導体層３との間には、空所Ｃが形成され
ている。すなわち、例えば上部電極７の通路となる側壁
面だけを残してバッファ層２を切除する。この空所Ｃ
は、後述するように特定の層だけをエッチングするエッ
チング液を用いて切除することにより形成される。この
ようにバッファ層２の一部を切除することにより、半導
体基板１とバッファ層２との接触面積が小さくなり、半
導体基板１とバッファ層２との熱膨張率の相違に起因す
るバッファ層２内の残留応力は緩和され、バッファ層２
にクラックが発生したり、発光素子が短命化することが
防止される。
間のバッファ層２は、一部が切除されており、半導体基
板１と第一の半導体層３との間には、空所Ｃが形成され
ている。すなわち、例えば上部電極７の通路となる側壁
面だけを残してバッファ層２を切除する。この空所Ｃ
は、後述するように特定の層だけをエッチングするエッ
チング液を用いて切除することにより形成される。この
ようにバッファ層２の一部を切除することにより、半導
体基板１とバッファ層２との接触面積が小さくなり、半
導体基板１とバッファ層２との熱膨張率の相違に起因す
るバッファ層２内の残留応力は緩和され、バッファ層２
にクラックが発生したり、発光素子が短命化することが
防止される。
【００１２】前記バッファ層２上には、一導電型不純物
を含有する第一の半導体層３が形成されている。この第
一の半導体層３は、例えばアルミニウム・ガリウム・砒
素（Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ）などから成り、シリコンなど
から成るドナーを１０17個／ｃｍ3 程度含有している。
この第一の半導体層３のアルミニウム（Ａｌ）の混晶比
は、例えば０．３または０．６５などに設定される。
を含有する第一の半導体層３が形成されている。この第
一の半導体層３は、例えばアルミニウム・ガリウム・砒
素（Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ）などから成り、シリコンなど
から成るドナーを１０17個／ｃｍ3 程度含有している。
この第一の半導体層３のアルミニウム（Ａｌ）の混晶比
は、例えば０．３または０．６５などに設定される。
【００１３】前記第一の半導体層３上には、逆導電型不
純物を含有する第二の半導体層４が形成されている。こ
の第二の半導体層４は、例えばアルミニウム・ガリウム
・砒素（Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ）などから成り、亜鉛（Ｚ
ｎ）などから成るアクセプタを１０19個／ｃｍ3 程度含
有している。この第二の半導体層３のアルミニウム（Ａ
ｌ）の混晶比は、例えば０．３などに設定される。
純物を含有する第二の半導体層４が形成されている。こ
の第二の半導体層４は、例えばアルミニウム・ガリウム
・砒素（Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ）などから成り、亜鉛（Ｚ
ｎ）などから成るアクセプタを１０19個／ｃｍ3 程度含
有している。この第二の半導体層３のアルミニウム（Ａ
ｌ）の混晶比は、例えば０．３などに設定される。
【００１４】前記第二の半導体層４上には、オーミック
コンタクト層５が形成されている。このオーミックコン
タクト層５は、例えばガリウム砒素などのIII-Ｖ族化合
物半導体で構成され、上部電極７とオーミックコンタク
トをとるために亜鉛（Ｚｎ）などから成る逆導電型不純
物を高濃度に含有させる。
コンタクト層５が形成されている。このオーミックコン
タクト層５は、例えばガリウム砒素などのIII-Ｖ族化合
物半導体で構成され、上部電極７とオーミックコンタク
トをとるために亜鉛（Ｚｎ）などから成る逆導電型不純
物を高濃度に含有させる。
【００１５】前記半導体基板１および各半導体層２〜５
上には、窒化シリコン（ＳｉＮx ）や酸化シリコン（Ｓ
ｉＯ2 ）などから成る保護膜６が形成されている。
上には、窒化シリコン（ＳｉＮx ）や酸化シリコン（Ｓ
ｉＯ2 ）などから成る保護膜６が形成されている。
【００１６】この保護層６のオーミックコンタクト層５
上には、スールホールが形成されており、このスールホ
ールを介してオーミックコンタクト層５と上部電極７が
接続される。また、半導体基板１の裏面側には、下部電
極８が形成されている。なお、この上部電極７および下
部電極８は、クロム（Ｃｒ）またはアルミニウム（Ａ
ｌ）、あるいはクロムとアルミニウムの二層構造のもの
などで形成される。
上には、スールホールが形成されており、このスールホ
ールを介してオーミックコンタクト層５と上部電極７が
接続される。また、半導体基板１の裏面側には、下部電
極８が形成されている。なお、この上部電極７および下
部電極８は、クロム（Ｃｒ）またはアルミニウム（Ａ
ｌ）、あるいはクロムとアルミニウムの二層構造のもの
などで形成される。
【００１７】次に、本発明に係る半導体発光素子の製法
を図２に基づいて説明する。まず、同図（ａ）に示すよ
うに、シリコン基板１上に、Ｎ型不純物を含有するガリ
ウム砒素から成るバッファ層２、第一の半導体層３、第
二の半導体層４、およびオーミックコンタクト層５をそ
れぞれＭＯＣＶＤ法などで形成する。バッファ層２およ
びオーミックコンタクト層５は、ＴＭＧａガス、ＡｓＨ
3 ガス、および半導体用不純物元素となるＳｉＨ4 ガス
またはＤＭＺｎガスなどを用いて形成され、第一の半導
体層３および第二の半導体層４は、ＴＭＡｌガス、ＴＭ
Ｇａガス、ＡｓＨ3 ガス、および半導体用不純物元素と
なるＳｉＨ4 ガスまたはＤＭＺｎガスなどを用いて形成
される。なお、上記バッファ層２は、二段階成長法や熱
サイクル法を適宜採用して形成される。すなわち、ＭＯ
ＣＶＤ装置内を９００〜１０００℃で一旦加熱した後
に、４００〜４５０℃に下げてガスを導入してガリウム
砒素膜を堆積させるとともに、６００〜６５０℃に上げ
てガリウム砒素膜を堆積（二段階成長法）させ、次に３
００〜９００℃で温度を上下（熱サイクル法）させて成
長させる。このように形成することにより、シリコンな
どから成る半導体基板１とガリウム砒素などから成るバ
ッファ層との熱膨張係数の相違に起因する内部応力をあ
る程度発生させ、格子定数の相違に起因するミスフィッ
ト転移を低減させる。
を図２に基づいて説明する。まず、同図（ａ）に示すよ
うに、シリコン基板１上に、Ｎ型不純物を含有するガリ
ウム砒素から成るバッファ層２、第一の半導体層３、第
二の半導体層４、およびオーミックコンタクト層５をそ
れぞれＭＯＣＶＤ法などで形成する。バッファ層２およ
びオーミックコンタクト層５は、ＴＭＧａガス、ＡｓＨ
3 ガス、および半導体用不純物元素となるＳｉＨ4 ガス
またはＤＭＺｎガスなどを用いて形成され、第一の半導
体層３および第二の半導体層４は、ＴＭＡｌガス、ＴＭ
Ｇａガス、ＡｓＨ3 ガス、および半導体用不純物元素と
なるＳｉＨ4 ガスまたはＤＭＺｎガスなどを用いて形成
される。なお、上記バッファ層２は、二段階成長法や熱
サイクル法を適宜採用して形成される。すなわち、ＭＯ
ＣＶＤ装置内を９００〜１０００℃で一旦加熱した後
に、４００〜４５０℃に下げてガスを導入してガリウム
砒素膜を堆積させるとともに、６００〜６５０℃に上げ
てガリウム砒素膜を堆積（二段階成長法）させ、次に３
００〜９００℃で温度を上下（熱サイクル法）させて成
長させる。このように形成することにより、シリコンな
どから成る半導体基板１とガリウム砒素などから成るバ
ッファ層との熱膨張係数の相違に起因する内部応力をあ
る程度発生させ、格子定数の相違に起因するミスフィッ
ト転移を低減させる。
【００１８】次に、同図（ｂ）に示すように、バッファ
層２、第一の半導体層３、第二の半導体層４、およびオ
ーミックコンタクト層５を硫化水素（Ｈ2 ＳＯ4 ）と過
酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）の混合液から成るエッチング液を
用いて島状に形成する。この島状部分が一つの発光素子
となる。
層２、第一の半導体層３、第二の半導体層４、およびオ
ーミックコンタクト層５を硫化水素（Ｈ2 ＳＯ4 ）と過
酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）の混合液から成るエッチング液を
用いて島状に形成する。この島状部分が一つの発光素子
となる。
【００１９】次に、同図（ｃ）に示すように、ガリウム
砒素などから成るバッファ層２の一部をエッチングで切
除する。このエッチング液としては、水酸化アンモニウ
ム（ＮＨ4 ＯＨ）と過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）の混合液な
どがある。この水酸化アンモニウムと過酸化水素の混合
液は、ガリウム砒素とは反応性を示すが、アルミニウム
ガリウム砒素には反応性を示さないため、オーミックコ
ンタクト層５上をレジスト膜で被覆しておけば、バッフ
ァ層２の中央部分のみが柱状に残るようにエッチングさ
れる。
砒素などから成るバッファ層２の一部をエッチングで切
除する。このエッチング液としては、水酸化アンモニウ
ム（ＮＨ4 ＯＨ）と過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）の混合液な
どがある。この水酸化アンモニウムと過酸化水素の混合
液は、ガリウム砒素とは反応性を示すが、アルミニウム
ガリウム砒素には反応性を示さないため、オーミックコ
ンタクト層５上をレジスト膜で被覆しておけば、バッフ
ァ層２の中央部分のみが柱状に残るようにエッチングさ
れる。
【００２０】次に、同図（ｄ）に示すように、第一の半
導体層３と第二の半導体層４との片側をヨウ素溶液（Ｉ
2 ）とヨウ化カリウム（ＫＩ）の混合液でエッチング除
去し、次いで硫化水素（Ｈ2 ＳＯ4 ）と過酸化水素（Ｈ
2 Ｏ2 ）の混合液でエッチングすることにより、側面形
状を上部電極７を形成し易くするためにメサ形状に形成
する。
導体層３と第二の半導体層４との片側をヨウ素溶液（Ｉ
2 ）とヨウ化カリウム（ＫＩ）の混合液でエッチング除
去し、次いで硫化水素（Ｈ2 ＳＯ4 ）と過酸化水素（Ｈ
2 Ｏ2 ）の混合液でエッチングすることにより、側面形
状を上部電極７を形成し易くするためにメサ形状に形成
する。
【００２１】最後に、半導体基板１上および島状部上に
窒化シリコンや酸化シリコンなどから成る保護層６を例
えばプラズマＣＶＤ法などで形成してパターニングし、
上部電極７と下部電極８を真空蒸着法などで形成してパ
ターニングすることにより、図１（ｂ）に示すような半
導体発光素子が完成する。
窒化シリコンや酸化シリコンなどから成る保護層６を例
えばプラズマＣＶＤ法などで形成してパターニングし、
上部電極７と下部電極８を真空蒸着法などで形成してパ
ターニングすることにより、図１（ｂ）に示すような半
導体発光素子が完成する。
【００２２】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る半導体発光
素子によれば、半導体基板上に形成したバッファ層の一
部を切除したことから、半導体基板とバッファ層との接
触面積が小さくなり、もって半導体基板とバッファ層と
の応力差が小さくなってバッファ層にクラックが発生し
たり、発光素子が短命化することが防止される。
素子によれば、半導体基板上に形成したバッファ層の一
部を切除したことから、半導体基板とバッファ層との接
触面積が小さくなり、もって半導体基板とバッファ層と
の応力差が小さくなってバッファ層にクラックが発生し
たり、発光素子が短命化することが防止される。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明に係る半導体発光素子を平面視
した状態を示す図、（ｂ）は同じく断面形状を示す図で
ある。
した状態を示す図、（ｂ）は同じく断面形状を示す図で
ある。
【図２】（ａ）ないし（ｄ）は本発明に係る半導体発光
素子の製造工程を示す図である。
素子の製造工程を示す図である。
【図３】従来の半導体発光素子の断面形状を示す図であ
る。
る。
１・・・半導体基板、２・・・バッファ層、３・・・第
一の半導体層、４・・・第二の半導体層、５・・・オー
ミックコンタクト層、６・・・保護層、７・・・上部電
極、８・・・下部電極。
一の半導体層、４・・・第二の半導体層、５・・・オー
ミックコンタクト層、６・・・保護層、７・・・上部電
極、８・・・下部電極。
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に導電型の異なる少なくと
も二層の半導体層をバッファ層を介して設けた半導体発
光素子において、前記バッファ層の一部を切除したこと
を特徴とする半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3906092A JPH05235406A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3906092A JPH05235406A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05235406A true JPH05235406A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=12542596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3906092A Pending JPH05235406A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05235406A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102832307A (zh) * | 2011-06-13 | 2012-12-19 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件、发光器件封装件及包括其的照明系统 |
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| JP2015008256A (ja) * | 2013-06-26 | 2015-01-15 | 京セラ株式会社 | 受発光素子およびこれを用いたセンサ装置 |
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1992
- 1992-02-26 JP JP3906092A patent/JPH05235406A/ja active Pending
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