JP3131106B2 - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体発光装置に関し、
特にページプリンタ用感光ドラムの露光光源などに用い
られる半導体発光装置に関する。
特にページプリンタ用感光ドラムの露光光源などに用い
られる半導体発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体発光装置の構造を図４に示
す。図４において、１は例えばｎ型半導体不純物を含有
するシリコンやガリウム砒素などから成る単結晶半導体
基板、２は例えばｎ型半導体不純物を含有するガリウム
砒素層などから成るバッファ層、３は例えばｎ型半導体
不純物を含有するアルミニウムガリウム砒素などから成
る電子注入層、４は例えばｐ型半導体不純物を含有する
アルミニウムガリウム砒素などから成る発光層、５は例
えばｐ型半導体不純物を含有するアルミニウムガリウム
砒素などから成る電子閉じ込め層、６は例えばｐ型半導
体不純物を含有するガリウム砒素などから成るオーミッ
クコンタクト層、７は窒化シリコン膜などから成るパッ
シベーション膜、８は単結晶半導体基板１の裏面側に設
けられた共通電極、９はオーミックコンタクト層６上に
設けられた個別電極である。
す。図４において、１は例えばｎ型半導体不純物を含有
するシリコンやガリウム砒素などから成る単結晶半導体
基板、２は例えばｎ型半導体不純物を含有するガリウム
砒素層などから成るバッファ層、３は例えばｎ型半導体
不純物を含有するアルミニウムガリウム砒素などから成
る電子注入層、４は例えばｐ型半導体不純物を含有する
アルミニウムガリウム砒素などから成る発光層、５は例
えばｐ型半導体不純物を含有するアルミニウムガリウム
砒素などから成る電子閉じ込め層、６は例えばｐ型半導
体不純物を含有するガリウム砒素などから成るオーミッ
クコンタクト層、７は窒化シリコン膜などから成るパッ
シベーション膜、８は単結晶半導体基板１の裏面側に設
けられた共通電極、９はオーミックコンタクト層６上に
設けられた個別電極である。
【０００３】上記のように構成して、個別電極９から共
通電極８に向けて（順方向に）電流を流すと、電子閉じ
込め層３には正孔（ホール）が注入され、発光層４には
電子が注入される。これら少数キャリアは一部が多数キ
ャリアと発光再結合することによって光を生じる。
通電極８に向けて（順方向に）電流を流すと、電子閉じ
込め層３には正孔（ホール）が注入され、発光層４には
電子が注入される。これら少数キャリアは一部が多数キ
ャリアと発光再結合することによって光を生じる。
【０００４】前記電子注入層３、発光層４、及び電子閉
じ込め層５は、いずれもアルミニウムガリウム砒素（Ａ
ｌＧａＡｓ）などで構成される。この場合、電子注入層
３と電子閉じ込め層５は、同じ混晶比のアルミニウムガ
リウム砒素膜（Ａｌx Ｇａ1- x Ａｓ）が用いられ、また
発光層４はこれら各層とは異なる混晶比のアルミニウム
ガリウム砒素膜（Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ）が用いられる。
じ込め層５は、いずれもアルミニウムガリウム砒素（Ａ
ｌＧａＡｓ）などで構成される。この場合、電子注入層
３と電子閉じ込め層５は、同じ混晶比のアルミニウムガ
リウム砒素膜（Ａｌx Ｇａ1- x Ａｓ）が用いられ、また
発光層４はこれら各層とは異なる混晶比のアルミニウム
ガリウム砒素膜（Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ）が用いられる。
【０００５】上述の半導体発光装置は、半導体基板１上
にＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長）法などで、バッ
ファ層２、電子注入層３、発光層４、電子閉じ込め層
５、及びオーミックコンタクト層６となる各半導体層を
順次形成した後、オーミックコンタクト層６を所定形状
にパターニングし、バッファ層２、電子注入層３、発光
層４、及び電子閉じ込め層５を順次所定形状にメサエッ
チングし、次いでパッシベーション膜７をＣＶＤ法など
で形成して、エッチングでコンタクトホール７ａを形成
し、さらに金属薄膜を蒸着法などで形成してパターニン
グすることにより個別電極９を形成していた。
にＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長）法などで、バッ
ファ層２、電子注入層３、発光層４、電子閉じ込め層
５、及びオーミックコンタクト層６となる各半導体層を
順次形成した後、オーミックコンタクト層６を所定形状
にパターニングし、バッファ層２、電子注入層３、発光
層４、及び電子閉じ込め層５を順次所定形状にメサエッ
チングし、次いでパッシベーション膜７をＣＶＤ法など
で形成して、エッチングでコンタクトホール７ａを形成
し、さらに金属薄膜を蒸着法などで形成してパターニン
グすることにより個別電極９を形成していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この従来の
半導体発光装置では、オーミックコンタクト層６のパタ
ーニング、バッファ層２、電子注入層３、発光層４及び
電子閉じ込め層５のメサエッチング、コンタクトホール
７ａの形成、個別電極９のパターニングの各工程がフォ
トリソ工程となり、製造工程が煩雑であると共に、バッ
ファ層２、電子注入層３、発光層４及び電子閉じ込め層
５から成る半導体発光素子の素子領域を島状に形成する
ことから、各半導体層２、３、４、５のかなりの部分を
エッチングすることになり、エッチング処理時の廃液も
大量に発生するという問題があった。
半導体発光装置では、オーミックコンタクト層６のパタ
ーニング、バッファ層２、電子注入層３、発光層４及び
電子閉じ込め層５のメサエッチング、コンタクトホール
７ａの形成、個別電極９のパターニングの各工程がフォ
トリソ工程となり、製造工程が煩雑であると共に、バッ
ファ層２、電子注入層３、発光層４及び電子閉じ込め層
５から成る半導体発光素子の素子領域を島状に形成する
ことから、各半導体層２、３、４、５のかなりの部分を
エッチングすることになり、エッチング処理時の廃液も
大量に発生するという問題があった。
【０００７】また、発光素子の最上層に電子閉じ込め層
５が位置することから、発光素子の発光量を調整しにく
いという問題もあった。
５が位置することから、発光素子の発光量を調整しにく
いという問題もあった。
【０００８】さらに、オーミックコンタクト層が形成さ
れた領域以外の領域では、パッシベーション膜７の直下
部にＡｌＧａＡｓから成る電子閉じ込め層が位置するこ
とから、このＡｌＧａＡｓ層が酸化され易いという問題
があった。
れた領域以外の領域では、パッシベーション膜７の直下
部にＡｌＧａＡｓから成る電子閉じ込め層が位置するこ
とから、このＡｌＧａＡｓ層が酸化され易いという問題
があった。
【０００９】
【発明の目的】本発明に係る半導体発光装置は、このよ
うな従来技術の問題点に鑑みて発明されたものであり、
製造が煩雑になるフォトリソ工程を少なくすると共に、
エッチング量を少なくし、また発光量を容易に調整でき
るようにすると共に、半導体層が酸化されにくい半導体
発光装置を提供することを目的とする。
うな従来技術の問題点に鑑みて発明されたものであり、
製造が煩雑になるフォトリソ工程を少なくすると共に、
エッチング量を少なくし、また発光量を容易に調整でき
るようにすると共に、半導体層が酸化されにくい半導体
発光装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る半導体発光装置では、一方の電極を設
けた半導体基板上にバッファ層、電子注入層、発光層、
電子閉じ込め層、オーミックコンタクト層および他方の
電極を順次形成した半導体発光装置において、前記オー
ミックコンタクト層を前記発光層よりもバンドギャップ
の小さい層で形成するとともに、このオーミックコンタ
クト層に膜厚の薄い薄肉部を列状に設け、この薄肉部に
前記他方の電極を形成した。
に、本発明に係る半導体発光装置では、一方の電極を設
けた半導体基板上にバッファ層、電子注入層、発光層、
電子閉じ込め層、オーミックコンタクト層および他方の
電極を順次形成した半導体発光装置において、前記オー
ミックコンタクト層を前記発光層よりもバンドギャップ
の小さい層で形成するとともに、このオーミックコンタ
クト層に膜厚の薄い薄肉部を列状に設け、この薄肉部に
前記他方の電極を形成した。
【００１１】
【作用】上記のように構成すると、半導体層内で発光し
た光はオーミックコンタクト層の薄肉部のみから取り出
されることから、フォトリソ工程を少なくできると共
に、エッチング量を少なくできる。
た光はオーミックコンタクト層の薄肉部のみから取り出
されることから、フォトリソ工程を少なくできると共
に、エッチング量を少なくできる。
【００１２】また、オーミックコンタクト層の薄肉部か
ら光を取り出すことから、薄肉部の膜厚を調整すること
によって光の取り出し量を調整できる。
ら光を取り出すことから、薄肉部の膜厚を調整すること
によって光の取り出し量を調整できる。
【００１３】さらに、パッシベーション膜の直下部に
は、オーミックコンタクト層が存在し、このオーミック
コンタクト層の下に発光層が位置することから、発光層
が酸化されることも防止できる。
は、オーミックコンタクト層が存在し、このオーミック
コンタクト層の下に発光層が位置することから、発光層
が酸化されることも防止できる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明に係る半導体発光装置の一実施
例を添付図面に基づき詳細に説明する。図１は、本発明
に係る半導体発光装置の一実施例を示す平面図、図２は
図１のＡ−Ａ線断面図であり、１はｎ型半導体不純物を
含有する半導体基板、２はｎ型半導体不純物を含有する
ガリウム砒素などから成るバッファ層、３はｎ型半導体
不純物を含有するアルミニウムガリウム砒素などから成
る電子注入層、４はｐ型半導体不純物を含有するアルミ
ニウムガリウム砒素などから成る発光層、５はｐ型半導
体不純物を含有するアルミニウムガリウム砒素などから
成る電子閉じ込め層、６はｐ型半導体不純物を含有する
ガリウム砒素などから成るオーミックコンタクト層であ
る。
例を添付図面に基づき詳細に説明する。図１は、本発明
に係る半導体発光装置の一実施例を示す平面図、図２は
図１のＡ−Ａ線断面図であり、１はｎ型半導体不純物を
含有する半導体基板、２はｎ型半導体不純物を含有する
ガリウム砒素などから成るバッファ層、３はｎ型半導体
不純物を含有するアルミニウムガリウム砒素などから成
る電子注入層、４はｐ型半導体不純物を含有するアルミ
ニウムガリウム砒素などから成る発光層、５はｐ型半導
体不純物を含有するアルミニウムガリウム砒素などから
成る電子閉じ込め層、６はｐ型半導体不純物を含有する
ガリウム砒素などから成るオーミックコンタクト層であ
る。
【００１５】本発明に係る半導体発光装置に用いられる
半導体基板１は、（１００）面から（０１１）面に２°
オフして切り出した単結晶シリコン基板や単結晶ガリウ
ム砒素基板などで構成され、アンチモン（Ｓｂ）などか
ら成るドナーを１０18ａｔｍ／ｃｍ3 程度含有させた単
結晶半導体基板が用いられる。
半導体基板１は、（１００）面から（０１１）面に２°
オフして切り出した単結晶シリコン基板や単結晶ガリウ
ム砒素基板などで構成され、アンチモン（Ｓｂ）などか
ら成るドナーを１０18ａｔｍ／ｃｍ3 程度含有させた単
結晶半導体基板が用いられる。
【００１６】前記ｎ型半導体基板１上には、ｎ型不純物
を含有するバッファ層２が形成されている。このバッフ
ァ層２はガリウム砒素などから成り、シリコン（Ｓｉ）
などから成るドナーを１０18個／ｃｍ3 程度含有する。
上記半導体基板１を例えば単結晶シリコン基板で形成す
る場合、このバッファ層２はシリコンとガリウム砒素の
格子定数の相違に基づくミスフィット転位を防止するた
めに、二段階成長法や熱サイクル法を適宜採用したＭＯ
ＣＶＤ法で厚み１〜３μｍ程度に形成する。すなわち、
ＭＯＣＶＤ装置内を９００〜１０００℃で一旦加熱した
後に、４００〜４５０℃に下げてＧａＡｓ膜を成長させ
ると共に、６００〜６５０℃に上げてＧａＡｓ膜を成長
（二段階成長）させ、次に３００〜９００℃で温度を上
下させ（熱サイクル法）、熱膨張係数の相違に起因する
内部応力を発生させ、シリコン基板１とＧａＡｓ層２の
格子定数の相違に起因するミスフィット転位を低減させ
るように形成する。
を含有するバッファ層２が形成されている。このバッフ
ァ層２はガリウム砒素などから成り、シリコン（Ｓｉ）
などから成るドナーを１０18個／ｃｍ3 程度含有する。
上記半導体基板１を例えば単結晶シリコン基板で形成す
る場合、このバッファ層２はシリコンとガリウム砒素の
格子定数の相違に基づくミスフィット転位を防止するた
めに、二段階成長法や熱サイクル法を適宜採用したＭＯ
ＣＶＤ法で厚み１〜３μｍ程度に形成する。すなわち、
ＭＯＣＶＤ装置内を９００〜１０００℃で一旦加熱した
後に、４００〜４５０℃に下げてＧａＡｓ膜を成長させ
ると共に、６００〜６５０℃に上げてＧａＡｓ膜を成長
（二段階成長）させ、次に３００〜９００℃で温度を上
下させ（熱サイクル法）、熱膨張係数の相違に起因する
内部応力を発生させ、シリコン基板１とＧａＡｓ層２の
格子定数の相違に起因するミスフィット転位を低減させ
るように形成する。
【００１７】前記ｎ型不純物を含有するバッファ層２上
には、ｎ型不純物を含有する電子注入層３が形成されて
いる。このｎ型不純物を含有する電子注入層３は、例え
ばＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ層などから成り、シリコン（Ｓ
ｉ）などから成るドナーを１０17ａｔｍ／ｃｍ3 程度含
有している。
には、ｎ型不純物を含有する電子注入層３が形成されて
いる。このｎ型不純物を含有する電子注入層３は、例え
ばＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ層などから成り、シリコン（Ｓ
ｉ）などから成るドナーを１０17ａｔｍ／ｃｍ3 程度含
有している。
【００１８】前記電子注入層３上には、発光層４が形成
される。この発光層４は、Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓなどから
成り、亜鉛（Ｚｎ）などから成るアクセプタを１０17個
／ｃｍ3 程度含有している。なお、電子注入層３におけ
るＡｌx Ｇａ1-x Ａｓの混晶比ｘは０．３〜０．４程度
に設定され、発光層４におけるＡｌy Ｇａ1-y Ａｓの混
晶比ｙは０．６〜０．７程度に設定される。いずれにし
てもｎ型不純物を含有するＡｌy Ｇａ1-y Ａｓから成る
発光層４の両側にバンドギャップの大きな電子注入層３
と電子閉じ込め層５が位置するようにこれら各層の混晶
比を設定する。
される。この発光層４は、Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓなどから
成り、亜鉛（Ｚｎ）などから成るアクセプタを１０17個
／ｃｍ3 程度含有している。なお、電子注入層３におけ
るＡｌx Ｇａ1-x Ａｓの混晶比ｘは０．３〜０．４程度
に設定され、発光層４におけるＡｌy Ｇａ1-y Ａｓの混
晶比ｙは０．６〜０．７程度に設定される。いずれにし
てもｎ型不純物を含有するＡｌy Ｇａ1-y Ａｓから成る
発光層４の両側にバンドギャップの大きな電子注入層３
と電子閉じ込め層５が位置するようにこれら各層の混晶
比を設定する。
【００１９】前記発光層４上には、ｐ型半導体不純物を
含有するＡｌx Ｇａ1-x Ａｓから成る電子閉じ込め層５
が形成されている。この電子閉じ込め層５は１μｍ程度
の厚みに形成され、混晶比ｘは上述のように０．３〜
０．４程度に設定される。
含有するＡｌx Ｇａ1-x Ａｓから成る電子閉じ込め層５
が形成されている。この電子閉じ込め層５は１μｍ程度
の厚みに形成され、混晶比ｘは上述のように０．３〜
０．４程度に設定される。
【００２０】前記電子閉じ込め層５上には、ｐ型不純物
を多量に含有するＧａＡｓなどから成るオーミックコン
タクト層６が形成される。このオーミックコンタクト層
６は、電子閉じ込め層５よりバンドギャップが小さく、
薄肉部６ａが列状に設けてある。すなわち、このオーミ
ックコンタクト層６を発光層４よりもバンドギャップの
小さいＧａＡｓで形成した場合、発光層４で発光した光
はオーミックコンタクト層６の厚肉部では遮光される
が、薄肉部６ａでは透過する。したがって、発光層４で
発光した光は、薄肉部６ａのみから取り出され、薄肉部
６ａの形状が発光素子の形状となる。
を多量に含有するＧａＡｓなどから成るオーミックコン
タクト層６が形成される。このオーミックコンタクト層
６は、電子閉じ込め層５よりバンドギャップが小さく、
薄肉部６ａが列状に設けてある。すなわち、このオーミ
ックコンタクト層６を発光層４よりもバンドギャップの
小さいＧａＡｓで形成した場合、発光層４で発光した光
はオーミックコンタクト層６の厚肉部では遮光される
が、薄肉部６ａでは透過する。したがって、発光層４で
発光した光は、薄肉部６ａのみから取り出され、薄肉部
６ａの形状が発光素子の形状となる。
【００２１】図３に、オーミックコンタクト層（ＧａＡ
ｓ層）６の膜厚と強度１００μＷの光の吸収率の関係を
示す。オーミックコンタクト層６の膜厚が０．１５μｍ
のときは、光吸収率は１２％であるのに対し、膜厚が
１．５μｍになると光吸収率は１００％になる。すなわ
ち、オーミックコンタクト層６の膜厚が１．５μｍ以上
になると発光層４で発光した光は完全に遮光される。一
方、薄肉部の膜厚を０．１５μｍにすれば、発光層４で
発光した光の９０％程度は取り出される。なお、このオ
ーミックコンタクト層６は、オーミックコンタクトに必
要なキャリア密度を有していなければならない。
ｓ層）６の膜厚と強度１００μＷの光の吸収率の関係を
示す。オーミックコンタクト層６の膜厚が０．１５μｍ
のときは、光吸収率は１２％であるのに対し、膜厚が
１．５μｍになると光吸収率は１００％になる。すなわ
ち、オーミックコンタクト層６の膜厚が１．５μｍ以上
になると発光層４で発光した光は完全に遮光される。一
方、薄肉部の膜厚を０．１５μｍにすれば、発光層４で
発光した光の９０％程度は取り出される。なお、このオ
ーミックコンタクト層６は、オーミックコンタクトに必
要なキャリア密度を有していなければならない。
【００２２】前記オーミックコンタクト層６上には、個
別電極（他方の電極）９が形成されており、この個別電
極９は金（Ａｕ）／クロム（Ｃｒ）などから成り、蒸着
法などで厚み５０００Å程度に形成される。
別電極（他方の電極）９が形成されており、この個別電
極９は金（Ａｕ）／クロム（Ｃｒ）などから成り、蒸着
法などで厚み５０００Å程度に形成される。
【００２３】また、半導体基板１の裏面側には共通電極
（一方の電極）８が形成されており、この共通電極８は
アルミニウムまたは珪化アルミニウム（ＡｌＳｉ）など
から成り、蒸着法などで厚み５０００Å程度に形成され
る。
（一方の電極）８が形成されており、この共通電極８は
アルミニウムまたは珪化アルミニウム（ＡｌＳｉ）など
から成り、蒸着法などで厚み５０００Å程度に形成され
る。
【００２４】上述のように形成した半導体発光装置は、
個別電極９と共通電極８間に電流を流して、ｎ型の電子
注入層３とｐ型の発光層層４部分でキャリアを発生させ
て、界面部分で再結合させることによって発光させるも
のである。
個別電極９と共通電極８間に電流を流して、ｎ型の電子
注入層３とｐ型の発光層層４部分でキャリアを発生させ
て、界面部分で再結合させることによって発光させるも
のである。
【００２５】上述のような半導体発光装置は、まず半導
体基板１上に、ガリウム砒素などから成るバッファ層
２、ｎ型のアルミニウムガリウム砒素膜などから成る電
子注入層３、ｐ型のアルミニウムガリウム砒素膜などか
ら成る電子閉じ込め層５、及びガリウム砒素膜などから
成るオーミックコンタクト層６をＭＯＣＶＤ法などで順
次形成する。次に、オーミックコンタクト層６に、平面
視したときに列状に配列されるような薄肉部６ａを形成
する。この薄肉部６ａは、発光層４で発光した光を外部
に取り出すものであり、発光素子の計上そのものにな
る。具体的には、５０×５０μｍ程度の大きさでピッチ
６０μｍ程度に形成される。この薄肉部６ａは、オーミ
ックコンタクト層６の所定部分をエッチングすることに
より形成する。次に、プラズマＣＶＤ法などでパッシベ
ーション膜７を形成した後に、フォトリソ工程でコンタ
クトホール７ａを形成し、最後に半導体基板１の裏面側
に共通電極８を形成すると共に、裏面側に個別電極９を
パターニングして形成する。このような半導発光装置の
製造工程では、オーミックコンタクト層６の薄肉部６ａ
の形成、パッシベーション膜７へのコンタクトホール７
ａの形成、個別電極９のパターニングの３工程がフォト
リソ工程となる。
体基板１上に、ガリウム砒素などから成るバッファ層
２、ｎ型のアルミニウムガリウム砒素膜などから成る電
子注入層３、ｐ型のアルミニウムガリウム砒素膜などか
ら成る電子閉じ込め層５、及びガリウム砒素膜などから
成るオーミックコンタクト層６をＭＯＣＶＤ法などで順
次形成する。次に、オーミックコンタクト層６に、平面
視したときに列状に配列されるような薄肉部６ａを形成
する。この薄肉部６ａは、発光層４で発光した光を外部
に取り出すものであり、発光素子の計上そのものにな
る。具体的には、５０×５０μｍ程度の大きさでピッチ
６０μｍ程度に形成される。この薄肉部６ａは、オーミ
ックコンタクト層６の所定部分をエッチングすることに
より形成する。次に、プラズマＣＶＤ法などでパッシベ
ーション膜７を形成した後に、フォトリソ工程でコンタ
クトホール７ａを形成し、最後に半導体基板１の裏面側
に共通電極８を形成すると共に、裏面側に個別電極９を
パターニングして形成する。このような半導発光装置の
製造工程では、オーミックコンタクト層６の薄肉部６ａ
の形成、パッシベーション膜７へのコンタクトホール７
ａの形成、個別電極９のパターニングの３工程がフォト
リソ工程となる。
【００２６】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る半導体発光
装置によれば、オーミックコンタクト層を電子閉じ込め
層や発光層よりもバンドギャップの小さい材料で形成す
るとともに、このオーミックコンタクト層に膜厚の薄い
薄肉部を列状に設け、この薄肉部に電極を形成したこと
から、オーミックコンタクト層の薄肉部のみから光が取
り出され、フォトリソ工程を少なくできると共に、エッ
チング量を少なくできる。
装置によれば、オーミックコンタクト層を電子閉じ込め
層や発光層よりもバンドギャップの小さい材料で形成す
るとともに、このオーミックコンタクト層に膜厚の薄い
薄肉部を列状に設け、この薄肉部に電極を形成したこと
から、オーミックコンタクト層の薄肉部のみから光が取
り出され、フォトリソ工程を少なくできると共に、エッ
チング量を少なくできる。
【００２７】また、オーミックコンタクト層の薄肉部か
ら光を取り出すことから、薄肉部の膜厚を調整すること
によって光の取り出し量を調整できる。
ら光を取り出すことから、薄肉部の膜厚を調整すること
によって光の取り出し量を調整できる。
【００２８】さらに、パッシベーション膜の直下部に
は、オーミックコンタクト層が存在し、このオーミック
コンタクト層の下に発光層が位置することから、発光層
が酸化されることを防止できる。
は、オーミックコンタクト層が存在し、このオーミック
コンタクト層の下に発光層が位置することから、発光層
が酸化されることを防止できる。
【図１】本発明に係る半導体発光装置の一実施例を示す
平面図である。
平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】オーミックコンタクト層の厚みと光吸収率の関
係を示す図である。
係を示す図である。
【図４】従来の半導体発光装置を示す断面図である。
１・・・半導体基板、２・・・バッファ層、３・・・電
子注入層、４・・・発光層、５・・・電子閉じ込め層、
６・・・オーミックコンタクト層、７・・・パッシベー
ション膜、８・・・共通電極、９・・・個別電極
子注入層、４・・・発光層、５・・・電子閉じ込め層、
６・・・オーミックコンタクト層、７・・・パッシベー
ション膜、８・・・共通電極、９・・・個別電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−190895（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−225178（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−281762（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−106093（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−243610（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−87381（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 33/00 H01S 5/00 - 5/50
Claims (1)
- 【請求項１】 一方の電極を設けた半導体基板上にバッ
ファ層、電子注入層、発光層、電子閉じ込め層、オーミ
ックコンタクト層および他方の電極を順次形成した半導
体発光装置において、前記オーミックコンタクト層を前
記発光層よりもバンドギャップの小さい材料で形成する
とともに、このオーミックコンタクト層に膜厚の薄い薄
肉部を列状に設け、この薄肉部に前記他方の電極を形成
したことを特徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32184594A JP3131106B2 (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32184594A JP3131106B2 (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | 半導体発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08181355A JPH08181355A (ja) | 1996-07-12 |
| JP3131106B2 true JP3131106B2 (ja) | 2001-01-31 |
Family
ID=18137073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32184594A Expired - Fee Related JP3131106B2 (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3131106B2 (ja) |
-
1994
- 1994-12-26 JP JP32184594A patent/JP3131106B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08181355A (ja) | 1996-07-12 |
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