JP3603713B2 - Iii族窒化物系化合物半導体膜の成長方法及びiii族窒化物系化合物半導体素子 - Google Patents
Iii族窒化物系化合物半導体膜の成長方法及びiii族窒化物系化合物半導体素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3603713B2 JP3603713B2 JP37043799A JP37043799A JP3603713B2 JP 3603713 B2 JP3603713 B2 JP 3603713B2 JP 37043799 A JP37043799 A JP 37043799A JP 37043799 A JP37043799 A JP 37043799A JP 3603713 B2 JP3603713 B2 JP 3603713B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound semiconductor
- group iii
- iii nitride
- growth
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2304/00—Special growth methods for semiconductor lasers
- H01S2304/12—Pendeo epitaxial lateral overgrowth [ELOG], e.g. for growing GaN based blue laser diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【産業上の利用分野】
本発明はIII族窒化物系化合物半導体膜の成長方法に関する。更に詳しくは、横方向成長(Epitaxial Lateral Overgrowth)法を用いたIII族窒化物系化合物半導体膜の成長方法の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】
横方向成長法は特開平10−312971号公報において紹介されている。当該公報によれば、フォトリソグラフィー法とウエットエッチング法を用いてSiO2などの成長抑止材料からなるマスク層を基板表面にパターニングする。そして、マスクの窓、即ち基板が露出されている部分にIII族窒化物系化合物半導体層をファセット構造を形成しながら成長させて、結晶欠陥転移の少ないIII族窒化物系化合物半導体層をエピタキシャル成長させている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
上記の横方向成長法によれば、確かにIII族窒化物系化合物半導体層を結晶性よく成長させることができる。
しかしながら、従来の方法では成長抑止材料からなるマスク層を基板の全面に形成した後、これをフォトリソ工程やエッチング工程を経てパターニングしなければならないので形成方法が煩雑である。また、パターニングを確実に行うためには成長抑止材料からなるマスク層にある程度膜厚(例えば、0.1〜1.0μm)が要求されるため、III族窒化物系化合物半導体層の平坦化が困難である。換言すれば、III族窒化物系化合物半導体層を平坦にするにはこれを厚く積層しなければならず、その工程に時間がかかっていた。
【0004】
【課題を解決するための手段】
この発明は上記の課題を解決するためになされた。即ち、その構成は次のとおりである。
基板上に成長抑止材料を島状に蒸着し、横方向成長法を実行して前記基板と前記島状成長抑止材料の上にIII族窒化物系化合物半導体を成長させる、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体膜の成長方法。
【0005】
この発明の成長方法によれば、島状に蒸着された成長抑止材料の間から露出する基板表面においてIII族窒化物系化合物半導体層がファセット構造を形成しながら成長する。これにより、結晶欠陥転移を抑制する横方向成長が実行される。ここに、成長抑止材料は蒸着やスパッタリング等のCVD法若しくはPVD法により形成されるので、従来例のようにフォトリソ工程やエッチング工程を伴ったパターニングが不要となり、いわゆるマスク層の形成が簡易なものとなる。更には、パターニングを経ない当該島層はこれを薄くすることが可能であるので、その後に成長されるIII族窒化物系化合物半導体層の平坦化が容易になる。また、基板との密着点が細かく無数に存在するため密着が強くかつ均一であり、クラック等が入りにくい効果もある。
【0006】
以下、この発明の要素について詳細に説明する。
基板はその上にIII族窒化物系化合物半導体を成長させることができるものであれば特に限定されない。例えば、サファイア、スピネル、シリコン、炭化シリコン、酸化亜鉛、リン化ガリウム、ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化マンガン、III族窒化物系化合物半導体単結晶などを基板の材料として挙げることができる。
本発明者らの検討によれば、基板としてはサファイアが好ましく、特にそのa面を用いることが好ましい。
【0007】
結晶性の良いIII族窒化物系化合物半導体を形成させるためにはサファイア基板上にサファイア基板との格子不整合を是正するためにバッファ層を形成することが好ましい。バッファ層にはAlXGaYIn1ーXーYN(0<X<1、0<Y<1、0<X+Y<1)で表現される四元系の化合物半導体、AlXGa1−XN(0<X<1)で表現される三元系の化合物半導体、並びにAlN、GaN及びInNを用いることができる。
バッファ層を用いた場合には、当該バッファ層の上に成長抑止材料層が島状に形成される。
【0008】
成長抑止材料とは、その上にIII族窒化物系化合物半導体が基板上又はバッファ層上に比較してエピタキシャル成長し難い材料をいう。成長抑止材料としては、金属としてのFe,Co,Ni,Cr,Mo,W,Ag及びRh、金属酸化物としてのFe,Co,Ni,Cr,Mo,W,Ag及びRhの酸化物、酸化物としてのSiOx、並びに窒化物としてのSiNxから選ばれる少なくとも1種の材料を挙げることができる。特開平10−312971号公報ではかかる成長抑止材料として、SiO2、SiNxが挙げられている。また、第60回応用物理学会学術講演会 講演予稿集(1999.9)2P−W−5によれば、タングステン(W)を成長抑止材として利用できることが記載されている。発光ダイオードの基板にこのような金属材料を成長抑止材として使用するとこれが反射層の役目をし、発光層で発光した光を有効に利用できるようになる。また、成長抑止材を導電性の金属としてかつ島状のそれらを連続させれば導電性も向上する。これにより、n型III族窒化物慶化合物半導体層の面内導電性が向上し、もって発光の面分布の均一化を図ることができる。
【0009】
島状とは、成長抑止材料の塊が相互に空間を空けて形成されていることをいい、各島は独立していても、連続していてもよい。各島の平均面積は0.1〜1000μm2であり前記基板の10〜95面積%を被覆するのとすることが好ましい。更に好ましくは、各島の平均面積は1〜10μm2であり前記基板の50〜90面積%を被覆するものとする。
【0010】
基板上に成長抑止材料層を島状に形成するためには、真空蒸着法、スパッタリング法、イオン蒸着法、プラズマCVD法などを用いることができる。このなかでも、島間に確実に空間をあけてそこから基板表面を露出させるため、成長抑止材料の蒸着粒子を大きくできる真空蒸着法が好ましい。蒸着粒子が小さいと、基板の一部を露出した状態で成長抑止材料層を形成することが困難だからである。
【0011】
成長抑止材料島群を備えた基板上にIII族窒化物系化合物半導体層を成長させる。
ここにIII族窒化物系化合物半導体とは一般式としてAlXGaYIn1−X−YN(0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦X+Y≦1)で表され、AlN、GaN及びInNのいわゆる2元系、AlxGa1−xN、AlxIn1−xN及びGaxIn1−xN(以上において0≦x≦1)のいわゆる3元系を包含する。III族元素の一部をボロン(B)、タリウム(Tl)等で置換しても良く、また、窒素(N)の一部もリン(P)、ヒ素(As)、アンチモン(Sb)、ビスマス(Bi)等で置換できる。
III族窒化物系化合物半導体層は任意のドーパントを含むものであっても良い。n型不純物として、Si、Ge、Se、Te、C等を用いることができる。p型不純物として、Mg、Zn、Be、Ca、Sr、Ba等を用いることができる。なお、p型不純物をドープした後にIII族窒化物系化合物半導体を電子線照射、プラズマ照射若しくは炉による加熱にさらすことも可能である。
III族窒化物系化合物半導体層の形成方法は特に限定されないが、有機金属気相成長法(MOCVD法)のほか、周知の分子線結晶成長法(MBE法)、ハライド系気相成長法(HVPE法)、スパッタ法、イオンプレーティング法、電子シャワー法等によっても形成することができる。
【0012】
成長抑止材料島群を備えた基板に上記方法を実行してIII族窒化物系化合物半導体をエピタキシャル成長させると、III族窒化物系化合物半導体層は初期段階では成長抑止材料の上の成長はないか、あっても遅く、露出した基板の部分(成長領域)上で急速な結晶成長が生じ、ここにファセット構造が形成される。更にエピタキシャル成長を続けると、ファセット構造の面に対して垂直な方向に成長が進むため、成長抑止材料層の上をIII族窒化物系化合物半導体が覆うことになる。そして、隣接する成長領域から成長したIII族窒化物系化合物半導体と接触する。更にエピタキシャル成長を進めると、ファセット構造が埋め込まれて最終的に平坦な表面のIII族窒化物系化合物半導体層が得られる。
かかる横方向成長法を実行すると、基板との界面で発生したIII族窒化物系化合物半導体の格子欠陥に起因する転位がファセット構造により横方向に曲げられ、その結果、III族窒化物系化合物半導体層表面の格子欠陥が大幅に低減される。
【0013】
このように本発明によれば、横方向成長法(ELO法)による効果が得られる。かかる効果を確認するため、本発明者らは次の実験を行った。
まず、サファイア基板のa面を洗浄した後、基板温度を約400℃にしAlNバッファ層(膜厚60nm)をMOCVD法により形成した。その後、基板を真空蒸着装置に移してニッケル(Ni)を膜厚成長速度0.5nm/secで7.5nmの膜厚に蒸着した。これにより、成長抑止材料としてのNi層が島状に形成される(図1)。バッファ層、成長抑止層ともイオン化蒸着法で形成すれば1プロセスで形成することができる。
その後、基板をMOCVD装置の反応室へ戻し、1000℃の基板温度でGaN層を2μmの膜厚で形成した。その表面は平坦であった。このGaN層のロッキングカーブを図2に示す。その半値幅は25.3secであった。一方、Niの蒸着を省略するほかは上記と同じ条件を実行して得られたGaN層のロッキングカーブは図3に示す通りであり、その半値幅は28.7secであった。図2と図3との比較より、島状のNi層を有するものはこれの無いものに比べてその結晶性が向上していることが確認できる。これは島状のNi層の間が成長領域となりそこにGaNのファセット構造が形成され、いわゆる横方向成長法によりGaN層が形成されたためである。
【0014】
成長抑止層が島状となる膜厚は30.0nm以下である。望ましくは20.0nm以下、更に望ましくは10.0nm以下である。
成長抑止層をNi以外の材料で形成した場合も上記と同様な結果が得られる。
【0015】
なお、上記成長抑止層を多段に形成することができる。即ち、第1の成長抑止層の上にIII族窒化物系化合物半導体層を好ましくはその表面が平坦になるまで成長させ、その上に再度島状の成長抑止層を形成して更にIII族窒化物系化合物半導体層を成長させる(以下、必要に応じてこれを繰返す。)。
また、AlNやGaNからなるバッファ層をMOCVD法により400℃程度の比較的低い温度で成長させてその上にIII族窒化物系化合物半導体を当該バッファ層より高い温度で成長させ、このIII族窒化物系化合物半導体層の上に島状の成長抑止層を単層、若しくは既述のように多段に形成することもできる。
【0016】
【実施例】
次に、この発明の実施例を説明する。
実施例は発光ダイオード10であり、その構成を図4に示す。
【0017】
【0018】
n型クラッド層16は発光層17側の低電子濃度n−層と下地層15側の高電子濃度n+層とからなる2層構造とすることができる。
発光層17は超格子構造のものに限定されない。発光素子の構成としてはシングルへテロ型、ダブルへテロ型及びホモ接合型のものなどを用いることができる。
発光層17とp型クラッド層18との間にマグネシウム等のアクセプタをドープしたバンドギャップの広いIII族窒化物系化合物半導体層を介在させることもできる。これは発光層17中に注入された電子がp型クラッド層18に拡散するのを防止するためである。
p型クラッド層18を発光層17側の低ホール濃度p−層と電極側の高ホール濃度p+層とからなる2層構造とすることができる。
【0019】
上記構成の発光ダイオードにおいて、成長抑止材料層13は真空蒸着により形成し、成膜速度は0.5nm/sec、膜厚は7.5nmである。即ち、nクラッド層16までは図2の結果を得たときと同じ条件である。
n型クラッド層16より上のIII族窒化物系化合物半導体層は一般的な条件でMOCVDを実行して形成する。
【0020】
次に、マスクを形成してp型クラッド層18、活性層17及びn型クラッド層16の一部を反応性イオンエッチングにより除去し、n電極パッド21を形成すべきn型クラッド層16を表出させる。
【0021】
半導体表面上にフォトレジストを一様に塗布して、フォトリソグラフィにより、p型クラッド層18の上の電極形成部分のフォトレジストを除去して、その部分のp型クラッド層18を露出させる。蒸着装置にて、露出させたp型クラッド層18の上に、Au−Co透光性電極層19を形成する。
次に、同様にしてp電極パッド20、n電極パッド21を蒸着する。
この結果、島状のNi層を有する発光ダイオードでは5%程度の発光強度の向上が観測された。
【0022】
以上、明細書では発光素子を例に採り説明してきたが、この発明は各種半導体素子に適用される。ここに素子には、発光ダイオード、受光ダイオード、レーザダイオード、太陽電池等の光素子の他、整流器、サイリスタ及びトランジスタ等のバイポーラ素子、FET等のユニポーラ素子並びにマイクロウェーブ素子などの電子デバイスを挙げられる。また、これらの素子の中間体としての積層体にも本発明は適用されるものである。
なお、発光素子の構成としては、MIS接合、PIN接合やpn接合を有したホモ構造、ヘテロ構造若しくはダブルへテロ構造のものを用いることができる。発光層として量子井戸構造(単一量子井戸構造若しくは多重量子井戸構造)を採用することもできる。
【0023】
この発明は、上記発明の実施の形態及び実施例の説明に何ら限定されるものではない。特許請求の範囲の記載を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲で種々の変形態様もこの発明に含まれる。
【0024】
以下、次の事項を開示する。
(7) 基板と、該基板を露出させる部分を有する成長抑止材料層と、前記基板及び前記成長抑止材料層とを被覆するIII族窒化物系化合物半導体層とを備えてなるIII族窒化物系化合物半導体素子であって、
前記成長抑止材料層が物理蒸着法により形成されている、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子。
(8) 前記物理蒸着法は真空蒸着法である、ことを特徴とする(7)に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。
(9) 前記基板はサファイア製である、ことを特徴とする(8)に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。
(9−1) 前記サファイア基板の上にAlN製のバッファ層が形成され、該バッファ層の上に前記成長抑止材料層が形成されている、ことを特徴とする(9)に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。
(10) 前記成長抑止材料層はNiからなる、ことを特徴とする(9)又は(9−1)に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。
(11) 基板上に成長抑止材料を一部基板面が露出するように島状に形成し、横方向成長法を実行して前記基板と前記島状成長抑止材料の上にIII族窒化物系化合物半導体を成長させる、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
(12) 前記島状の成長抑止材料は真空蒸着法により形成される、ことを特徴とする(11)請求項1に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
(13) 前記成長抑止材料は、Fe、Co、Ni、Cr、Mo、W、Ag、Rh及びこれらの酸化物並びにSiOx、SiNxから選ばれる少なくとも1種の材料からなる、ことを特徴とする(11)または(12)に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
(21) 基板上に成長抑止材料を一部基板面が露出するように島状に形成し、横方向成長法を実行して前記基板と前記島状成長抑止材料の上にIII族窒化物系化合物半導体を成長させる、ことを特徴とする積層体の製造方法。
(22) 前記島状の成長抑止材料は真空蒸着法により形成される、ことを特徴とする(21)に記載の積層体の製造方法。
(23) 前記成長抑止材料は、Fe、Co、Ni、Cr、Mo、W、Ag、Rh及びこれらの酸化物並びにSiOx、SiNxから選ばれる少なくとも1種の材料からなる、ことを特徴とする(21)または(22)に記載の積層体の製造方法。
(34) 基板と、該基板上に形成された成長抑止材料島群であって各島の平均面積が0.1〜1000μm2であり前記基板の10〜95面積%を被覆する成長抑止材料島群と、前記基板及び前記成長抑止材料島群の上に横方向成長法により形成されたIII族窒化物系化合物半導体層を有する積層体。
(35) 前記各島の平均面積は1〜10μm2であり前記基板の50〜90面積%を被覆する、ことを特徴とする(34)に記載の積層体。
(36) 前記成長抑止材料は、Fe、Co、Ni、Cr、Mo、W、Ag、Rh及びこれらの酸化物並びにSiOx、SiNxから選ばれる少なくとも1種の材料からなる、ことを特徴とする(34)又は(35)に記載の積層体。
(37) 基板と、該基板を露出させる部分を有する成長抑止材料層と、前記基板及び前記成長抑止材料層とを被覆するIII族窒化物系化合物半導体層とを備えてなる積層体であって、
前記成長抑止材料層が物理蒸着法により形成されている、ことを特徴とする積層体。
(38) 前記物理蒸着法は真空蒸着法である、ことを特徴とする(37)に記載の積層体。
(39) 前記基板はサファイア製である、ことを特徴とする(38)に記載の積層体。
(39−1) 前記サファイア基板の上にAlN製のバッファ層が形成され、該バッファ層の上に前記成長抑止材料層が形成されている、ことを特徴とする(39)に記載の積層体。
(40) 前記成長抑止材料層はNiからなる、ことを特徴とする(39)又は(39−1)に記載の積層体。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1はサファイア基板状に形成された成長抑止材料島(Ni製)を示す模式図である。
【図2】図2は本発明により形成されたGaN層のX線ロッキングカーブを示す。
【図3】図3は比較例のGaN層のX線ロッキングカーブである。
【図4】図4はこの発明の実施例の発光ダイオードを示す。
【符号の説明】
10 発光ダイオード
12 AlNバッファ層
13 成長抑止材料層
16 n型クラッド層
17 発光層
18 p型クラッド層
Claims (7)
- 基板上に成長抑止材料をパターニングを経ないで一部基板面が露出するように真空蒸着法により島状に形成し、横方向成長法を実行して前記基板と前記島状成長抑止材料の上にIII族窒化物系化合物半導体を成長させる、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体膜の成長方法。
- 基板上にバッファ層を形成し、該バッファ層の直上にパターニングを経ないで一部バッファ層面が露出するように成長抑止材料を島状に形成し、横方向成長法を実行して前記バッファ層と前記島状成長抑止材料の上にIII族窒化物系化合物半導体を成長させる、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体膜の成長方法。
- 前記成長抑止材料は、Fe、Co、Ni、Cr、Mo、W、Ag、Rh及びSiNxから選ばれる少なくとも1種の材料からなる、ことを特徴とする請求項1又は2に記載のIII族窒化物系化合物半導体膜の成長方法。
- 前記成長抑止材料はNiからなる、ことを特徴とする請求項3に記載のIII族窒化物系化合物半導体膜の成長方法。
- 基板と、該基板上にパターニングを経ることなく真空蒸着法により島状に形成される成長抑止材料島群であって各島の平均面積が0.1〜1000μm2であり前記基板の10〜95面積%を被覆する成長抑止材料島群と、前記基板及び前記成長抑止材料島群の上に横方向成長法により形成されたIII族窒化物系化合物半導体層を有するIII族窒化物系化合物半導体素子。
- 前記各島の平均面積は1〜10μm2であり前記基板の50〜90面積%を被覆する、ことを特徴とする請求項5に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。
- 前記成長抑止材料は、Fe、Co、Ni、Cr、Mo、W、Ag、Rh及びこれらの酸化物並びにSiOx、SiNxから選ばれる少なくとも1種の材料からなる、ことを特徴とする請求項5又は6のいずれかに記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP37043799A JP3603713B2 (ja) | 1999-12-27 | 1999-12-27 | Iii族窒化物系化合物半導体膜の成長方法及びiii族窒化物系化合物半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP37043799A JP3603713B2 (ja) | 1999-12-27 | 1999-12-27 | Iii族窒化物系化合物半導体膜の成長方法及びiii族窒化物系化合物半導体素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001185498A JP2001185498A (ja) | 2001-07-06 |
JP3603713B2 true JP3603713B2 (ja) | 2004-12-22 |
Family
ID=18496915
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP37043799A Expired - Fee Related JP3603713B2 (ja) | 1999-12-27 | 1999-12-27 | Iii族窒化物系化合物半導体膜の成長方法及びiii族窒化物系化合物半導体素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3603713B2 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3544958B2 (ja) * | 2001-06-27 | 2004-07-21 | 士郎 酒井 | 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 |
US6576532B1 (en) * | 2001-11-30 | 2003-06-10 | Motorola Inc. | Semiconductor device and method therefor |
JP4593067B2 (ja) * | 2002-10-31 | 2010-12-08 | 古河電気工業株式会社 | 半導体材料の積層構造の製造方法 |
JP3997827B2 (ja) * | 2002-04-30 | 2007-10-24 | 住友電気工業株式会社 | 窒化ガリウム成長用基板及び窒化ガリウム成長用基板の製造方法並びに窒化ガリウム基板の製造方法 |
TWI255052B (en) * | 2003-02-14 | 2006-05-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method to produce a number of semiconductor-bodies and electronic semiconductor-bodies |
JP4882351B2 (ja) * | 2004-11-24 | 2012-02-22 | 住友化学株式会社 | 半導体積層基板、その製造方法及び発光素子 |
US20080087881A1 (en) * | 2004-11-24 | 2008-04-17 | Kazumasa Ueda | Semiconductor Multilayer Substrate, Method For Producing Same And Light-Emitting Device |
KR100712753B1 (ko) * | 2005-03-09 | 2007-04-30 | 주식회사 실트론 | 화합물 반도체 장치 및 그 제조방법 |
JP2007001855A (ja) * | 2005-05-27 | 2007-01-11 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 3−5族窒化物半導体積層基板、3−5族窒化物半導体自立基板の製造方法、及び半導体素子 |
EP2112699B1 (de) * | 2006-02-23 | 2020-05-06 | ALLOS Semiconductors GmbH | Nitridhalbleiter-Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
KR101316117B1 (ko) * | 2006-09-19 | 2013-10-11 | 서울바이오시스 주식회사 | 질화물 반도체 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
KR101321935B1 (ko) * | 2006-12-01 | 2013-10-25 | 서울바이오시스 주식회사 | 질화물 반도체 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
JP6270536B2 (ja) | 2013-06-27 | 2018-01-31 | 株式会社東芝 | 窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の形成方法 |
WO2015159844A1 (ja) * | 2014-04-16 | 2015-10-22 | Jx日鉱日石エネルギー株式会社 | エピタキシャル成長用基板の製造方法及びそれより得られるエピタキシャル成長用基板並びにその基板を用いた発光素子 |
JP2017017265A (ja) * | 2015-07-06 | 2017-01-19 | ナイトライド・セミコンダクター株式会社 | 発光装置 |
DE102022000520A1 (de) * | 2022-02-10 | 2023-08-10 | Azur Space Solar Power Gmbh | Halbleiterscheibe zur Ausbildung von Halbleiterbauelementen |
-
1999
- 1999-12-27 JP JP37043799A patent/JP3603713B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001185498A (ja) | 2001-07-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6841808B2 (en) | Group III nitride compound semiconductor device and method for producing the same | |
US7244957B2 (en) | Group III nitride compound semiconductor light-emitting device and method for producing the same | |
JP3209096B2 (ja) | 3族窒化物化合物半導体発光素子 | |
JP3700492B2 (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体素子 | |
KR100448662B1 (ko) | 질화물반도체소자 및 그 제조방법 | |
JP4092927B2 (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体、iii族窒化物系化合物半導体素子及びiii族窒化物系化合物半導体基板の製造方法 | |
JP3603713B2 (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体膜の成長方法及びiii族窒化物系化合物半導体素子 | |
US20060068601A1 (en) | Wafer for compound semiconductor devices, and method of fabrication | |
US8936950B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor light-emitting device | |
JP3654738B2 (ja) | 3族窒化物半導体発光素子 | |
JP4458223B2 (ja) | 化合物半導体素子及びその製造方法 | |
US20090085054A1 (en) | III-Nitride Semiconductor Light Emitting Device | |
JP2003037289A (ja) | 低駆動電圧のiii族窒化物発光素子 | |
JP3753793B2 (ja) | 3族窒化物化合物半導体発光素子 | |
WO2005029588A1 (ja) | 窒化物系半導体素子及びその製造方法 | |
US20080248639A1 (en) | Method for forming electrode for group III nitride based compound semiconductor and method for manufacturing p-type group III nitride based compound semiconductor | |
US7029939B2 (en) | P-type semiconductor manufacturing method and semiconductor device | |
JP3772707B2 (ja) | 3族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法 | |
JP3841146B2 (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 | |
JP3692867B2 (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体素子 | |
JP2010040692A (ja) | 窒化物系半導体素子及びその製造方法 | |
JP2004179457A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 | |
JP5314257B2 (ja) | 低欠陥の半導体基板、半導体発光素子、およびそれらの製造方法 | |
US20020149026A1 (en) | Nitride semiconductor device | |
JP3797280B2 (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040224 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040415 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040608 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040727 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040907 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040920 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081008 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081008 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091008 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091008 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101008 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |