JP3797280B2

JP3797280B2 - Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法

Info

Publication number: JP3797280B2
Application number: JP2002169090A
Authority: JP
Inventors: 瀧　　哲也; 誠浅井; 勝久沢崎; 直樹兼山; 俊也上村
Original assignee: Toyoda Gosei Co Ltd
Current assignee: Toyoda Gosei Co Ltd
Priority date: 2001-06-08
Filing date: 2002-06-10
Publication date: 2006-07-12
Anticipated expiration: 2022-06-10
Also published as: JP2004006556A

Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明はIII族窒化物系化合物半導体素子に関する。例えば、青色系発光ダイオードなどのIII族窒化物系化合物半導体発光素子のｐ型層の改良として好適な発明である。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、多層構造のｐ型層を備えるIII族窒化物系化合物半導体素子が提案されている。例えば（K.Kumakura and N.Kobayashi ; Jpn J Appl. Phys. 38(1999) L1012）においては、ＡｌＧａＮとＧａＮとを繰返し積層してなる超格子構造のｐ型層が開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記のようにｐ型層を超格子構造とすることにより、それ自体の電気抵抗が低下することとなるが、昨今の素子には更なるｐ型層の電気的特性の向上が要求されている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明者らはこのような超格子構造を有するｐ型層に着目し、その電気的特性を更に向上させるべき鋭意検討を重ねてきた。その結果、その抵抗を低下させるのに次なる製造方法が有効であることを見出した。即ち、
超格子構造のｐ型層を有するIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法であって、
前記超格子構造の各層をＭＯＣＶＤ法により成長させる間に、Ｖ族材料ガスの供給は維持してIII族材料ガスの供給を止めるパージステップが含まれる、III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
【０００５】
【発明の効果】
超格子構造の各層の成長をパージステップで切り分けることにより、ｐ型層の抵抗が低下する（図１参照）。そして、超格子構造の各層の組成を規定することによりその抵抗は更に低下する。特に、ＡｌＧａＮで形成された超格子構造の各層において、Ｉｎをドープするとその抵抗が更に低下し、Ｉｎのドープを一層おきとすると、その抵抗が更に更に低下する（図２参照）。Ｉｎのドープ量を調整すること（図３参照）及び各層の膜厚を調整すること（図４参照）も、ｐ型層の低抵抗化に影響を及ぼすことが明らかになった。
【０００６】
以下、試験例に沿って本発明を更に詳細に説明する。
▲１▼ 試験例１：ＡｌＧａＮ単層
膜厚は１０００ｎｍである。
▲２▼ 試験例２：ＡｌＧａＮ：Ｉｎ単層
膜厚は１０００ｎｍである。Ｉｎのドープ量は気相比でＴＭＩ／（ＴＭＩ＋ＴＭＧ＋ＴＭＡ）＝０．１６であり、固相比で１０^１６〜１０^２２／ｃｍ^３である。
▲３▼ 試験例３：ＡｌＧａＮ＼ＡｌＧａＮの超格子構造
各層の膜厚は８ｎｍであり、繰返し数は１２０である。
一つの層を形成した後、層表面にＨ_２ガスとＮＨ_３ガスを流通させた。各ガスの流量はＨ_２：２３、ＮＨ_３：１０ｓｌｍである。流通時間は２秒である。
▲４▼ 試験例４：ＡｌＧａＮ：Ｉｎ＼ＡｌＧａＮ：Ｉｎの超格子構造
試験例３において、III族元素として微量のＩｎをドープしたものである。Ｉｎのドープ量は気相比：０．１６、固相比：１０^１６〜１０^２３／ｃｍ^３とした。
【０００７】
図１の結果において、試験例▲１▼と試験例▲２▼との比較により、単一層において、Ｉｎをドープすることにより、抵抗率が低下することがわかる。また、Ｈ_２ガスとＮＨ_３ガスとによりパージステップを実行することにより、ＡｌＧａＮの単一組成であっても（試験例▲３▼）、Ｉｎをドープした場合（試験例▲２▼）と同等の低い抵抗率が得られることが確認できた。Ｉｎをドープしたものについて各層をパージステップで切り分けると、更にその抵抗率が低下する（試験例▲４▼参照）。
【０００８】
上記において、各試験例の半導体層はＭＯＣＶＤ法にノンドープＧａＮ（２μｍ）の上に形成したものである。
パージステップは実質的にIII族窒化物系化合物半導体層をＭＯＣＶＤ法で成長させるときに、III族原料ガスの供給を止めることにより行うことができる。キャリアガスはＨ_２ガスとすることが好ましい。
このパージステップを介挿することにより半導体層の抵抗率が低下する理由は、Ｖ族材料ガス（ＮＨ_３ガス）を供給することにより、半導体結晶中においてＶ族元素の欠損を防止できるためと考えられる。
パージステップにおいて、Ｈ_２ガスとＮＨ_３ガスとの混合比は特に限定されるものではないが、製造工程管理を容易にする観点から、半導体層を成長させるときと同じ混合比とすることが好ましい。
パージステップの実行時間も特に限定されるものではないが、１〜２０秒とすることが好ましい。更に好ましくは１〜５秒である。
【０００９】
パージステップを行うことによる抵抗率の低下は他のIII族窒化物系化合物半導体においても得られると考えられる。
ここに、III族窒化物系化合物半導体は一般式としてＡｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｘ＋Ｙ≦１）で表され、ＡｌＮ、ＧａＮ及びＩｎＮのいわゆる２元系、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ、Ａｌ_ｘＩｎ_１−ｘＮ及びＧａ_ｘＩｎ_１−ｘＮ（以上において０＜ｘ＜１）のいわゆる３元系を包含する。III族元素の少なくとも一部をボロン（Ｂ）、タリウム（Ｔｌ）等で置換しても良く、また、窒素（Ｎ）の少なくとも一部もリン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等で置換できる。III族窒化物系化合物半導体層は任意のドーパントを含むものであっても良い。ｎ型不純物として、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等を用いることができる。ｐ型不純物として、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等を用いることができる。なお、ｐ型不純物をドープした後にIII族窒化物系化合物半導体を電子線照射、プラズマ照射若しくは炉による加熱にさらすことも可能であるであるが必須ではない。
有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）のほか、ハライド気相成長法（ＨＶＰＥ法）等によって各層を形成した場合においても当該パージステップを実行することにより、低抵抗化の効果が得られるものと考えられる。
なお、本明細書において、III族窒化物系化合物半導体素子には、発光ダイオード、受光ダイオード、レーザダイオード、太陽電池等の光素子の他、整流器、サイリスタ及びトランジスタ等のバイポーラ素子、ＦＥＴ等のユニポーラ素子並びにマイクロウェーブ素子などの電子デバイスを挙げられる。また、これらの素子の中間体としての積層体にも本発明は適用されるものである。
なお、発光素子の構成としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合やｐｎ接合を有したホモ構造、ヘテロ構造若しくはダブルへテロ構造のものを用いることができる。量子井戸構造（単一量子井戸構造若しくは多重量子井戸構造）含む層を採用することもできる。
【００１０】
試験例▲３▼及び▲４▼においては、各ＡｌＧａＮ層は全て同じ組成としたが、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ＼Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ（ｘ≠ｙ）の繰返し構造とすることもできる。
【００１１】
図２に試験例５を示した。
▲５▼ 試験例５：ＡｌＧａＮ＼ＡｌＧａＮ：Ｉｎの超格子構造
試験例５の半導体層は、試験例４のそれにおいて、一方の層へのみＩｎをドープしたものである。Ｉｎのドープ量は試験例４と同じである。
試験例５の結果から、繰返し構造の一方のみへＩｎをドープすると、抵抗率が更に低下することが確認できた。
【００１２】
図３において、Ｉｎのドープ量と抵抗率との関係を調べた。
試験例５の構成において、Ｉｎのドープ量を変化させたところ、Ｉｎの材料ガスであるＴＭＩ（トリメチルインジウム）の供給量が５０ｓｃｃｍを超えたあたりから抵抗率が大きく低下し始めた。当該５０ｓｃｃｍのときのIII族材料ガス（ＴＭＧ、ＴＭＡ、ＴＭＩ）におけるＴＭＩ（Ｉｎ材料ガス）の供給量は９体積％である。従って、III族材料ガス中においてＴＭＩの供給量を９体積％以上とすることが好ましい。更に好ましくは１６体積％以上であり、更に更に好ましくは２５体積％以上である。なお、ＴＭＩ供給量の上限は特に制限されるものではないが、５００sccmとすることが好ましい。
換言すれば、超格子構造を構成する層においてＩｎの添加量は１０^１６／ｃｍ^３以上とすることが好ましく、更に好ましくは１０^１７／ｃｍ^３以上であり、更に更に好ましくは１０^１８／ｃｍ^３％以上である。Ｉｎの組成比の上限は特に制限されるものではないが、１０^２２／ｃｍ^３以下とすることが好ましく、更に好ましくは１０^２３／ｃｍ^３以下とする。
【００１３】
図３の例では、試験例５の構造（ＡｌＧａＮ＼ＡｌＧａＮ：Ｉｎ）についてのＩｎの配合量について検討したが、ここで得られたＩｎの配合量は試験例２（ＡｌＧａＮ：Ｉｎ単層）、試験例４（ＡｌＧａＮ：Ｉｎ＼ＡｌＧａＮ：Ｉｎ）にも適用されると考えられる。
更に敷衍して、ＧａＮ：Ｉｎ単層、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ：Ｉｎ＼Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ：Ｉｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ＼Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ：Ｉｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の場合にも当該Ｉｎの配合量の関係は適用されると考えられる。
【００１４】
図４において、超格子構造を構成する層の膜厚と抵抗率との関係を調べた。
試験例５の構成において、各層の膜厚を変化させたところ、膜厚が１５ｎｍを超えるあたりから抵抗率が高くなることがわかった。この結果より、各層の膜厚は１８ｎｍ以下とすることが好ましい。更に好ましくは５〜１５ｎｍである。
【００１５】
図４の例では、試験例５の構造（ＡｌＧａＮ＼ＡｌＧａＮ：Ｉｎ）についての各膜について検討したが、ここで得られた膜厚の関係は試験例３（ＡｌＧａＮ＼ＡｌＧａＮ）、試験例４（ＡｌＧａＮ：Ｉｎ＼ＡｌＧａＮ：Ｉｎ）にも適用されると考えられる。
更に敷衍して、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ＼Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ：Ｉｎ＼Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ：Ｉｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ＼Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ：Ｉｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の場合にも膜厚の関係は適用されると考えられる。
【００１６】
以上の試験例では、Ｍｇ等のｐ型不純物を何ら添加していないが、ｐ型不純物を添加した場合も同等な効果が得られるものと考えられる。
【００１７】
【実施例】
以下、この発明の実施例について説明する。
図５に実施例の発光ダイオード１０の構成を示す。

【００１８】
基板１の上にはバッファ層２を介してｎ型不純物してＳｉをドープしたＧａＮからなる第１の層（ｎ型層）３を形成した。ここで、基板１にはサファイアを用いたが、これに限定されることはなく、サファイア、スピネル、シリコン、炭化シリコン、酸化亜鉛、リン化ガリウム、ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化マンガン、III族窒化物系化合物半導体単結晶等を用いることができる。さらにバッファ層はＡｌＮを用いてＭＯＣＶＤ法で形成されるがこれに限定されることはなく、材料としてはＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＩｎＧａＮ等を用いることができ、製法としては分子線結晶成長法（ＭＢＥ法）、ハライド系気相成長法（ＨＶＰＥ法）、スパッタ法、イオンプレーティング法、電子シャワー法等を用いることができる。III族窒化物系化合物半導体を基板として用いた場合は、当該バッファ層を省略することができる。
さらに基板とバッファ層は半導体素子形成後に、必要に応じて、除去することもできる。
【００１９】
ここで第１の層はＧａＮで形成したが、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ若しくはＡｌＩｎＧａＮを用いることができる。
また、ｎ型層はｎ型不純物してＳｉをドープしたが、このほかにｎ型不純物として、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等を用いることもできる。
第１の層３は発光する層を含む層（第２の層）４側の低電子濃度ｎ-層とバッファ層２側の高電子濃度ｎ＋層とからなる２層構造とすることができる。
第２の層（発光する層を含む層）４は量子井戸構造の発光層を含んでいてもよく、また発光素子の構造としてはシングルへテロ型、ダブルへテロ型及びホモ接合型のものなどでもよい。
【００２０】
第２の層４は第３の層（ｐ型層）５の側にマグネシウム等のアクセプタをドープしたバンドギャップの広いIII族窒化物系化合物半導体層を含むこともできる。これは第２の層４中に注入された電子が第３の層５に拡散するのを効果的に防止するためである。
【００２１】
第２の層４の上にｐ型不純物としてＭｇをドープしたＧａＮからなる第３の層５を形成した。このｐ型層はＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ又はＩｎＡｌＧａＮとすることもできる、また、ｐ型不純物としてはＺｎ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａを用いることもできる。
さらに、第３層５を第２の層側の低ホール濃度ｐ−層と電極側の高ホール濃度ｐ＋層とからなる２層構造とすることができる。
【００２２】
上記構成の発光ダイオードにおいて、各III族窒化物系化合物半導体層は一般的な条件でＭＯＣＶＤを実行して形成する。キャリアガスはＨ_２、Ｖ族材料ガスはＮＨ_３である。そして、第４の層６において、一つの層を形成した後、III族材料ガス（ＴＭＧ、ＴＭＡ及び必要に応じてＴＭＩ）及びドープガス（ＲＣ_５Ｈ_４）_２Ｍｇをとめ、Ｈ_２ガスとＮＨ_３ガスとを流通させてパージを５秒間実行する。基板温度は特に変化させずほぼ１０００℃を維持する。
【００２３】
その後、マスクを形成して第４の層６、第３の層５、第２の層４及び第１の層３の一部を反応性イオンエッチングにより除去し、ｎ電極９を形成すべきｎ電極形成面１１を表出させる。
【００２４】
次に、ウエハの全面に、蒸着装置にて、Ｃｏ層（１．５ｎｍ）とＡｕ層（６０ｎｍ）を順次積層する。次に、フォトレジストを一様に塗布して、フォトリソグラフィにより、ｎ電極形成面１１及びその周囲からほぼ１０μｍ幅の部分（クリアランス領域）でフォトレジストを除去して、エッチングによりその部分の透光性電極形成材料を除去し、半導体層５を露出させる。その後、フォトレジストを除去する。
次に、リフトオフ法により、Ｖ層（１７．５ｎｍ）、Ａｕ層（１．５μｍ）及びＡｌ層（１０ｎｍ）を順次蒸着積層してｐ台座電極形成層を形成する。
なお、バナジウムとアルミニウムとを順次積層してｎ電極形成層も同様にリフトオフ法により形成される。
【００２５】
上記のようにして得られた試料を酸素の存在する雰囲気下で熱処理をする。熱処理の結果、透光性電極形成層は合金化して透光性電極７となり、ｐ台座電極形成層も合金化してｐ台座電極８となり、ｎ電極形成層も合金化してｎ電極９となる。
【００２６】
比較例
図５に示す実施例の発光ダイオードにおいて、超格子構造の第４の層６（ｐ型）を省略し、当該第４の層の膜厚分だけ第３の層５（ｐ型）を厚くした発光ダイオードを比較例として調製した。即ち、比較例の発光ダイオードのｐ型層は単一層構造である。
【００２７】
実施例の発光ダイオードと比較例の発光ダイオードとの特性を比較したところ、図６の結果を得た。図６の上図は各発光ダイオードへ順方向に２０ｍＡの電流を印加したときの駆動電圧を示し、同下図は各発光ダイオードへ順方向に２０ｍＡの電流を印加したときの光出力を示す。
図６の結果から、ｐ型層に超格子構造を有する実施例の発光ダイオードは単一層構造のｐ型層を有する比較例の発光ダイオードに比べて、駆動電圧の低下と光出力の向上がみられる。
【００２８】
この発明は、上記発明の実施の形態及び実施例の説明に何ら限定されるものではない。特許請求の範囲の記載を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲で種々の変形態様もこの発明に含まれる。
【００２９】
以下、次の事項を開示する。
２１ III族窒化物系化合物半導体発光素子の超格子構造を製造する方法であって、
前記超格子構造の各層をＭＯＣＶＤ法により成長させる間に、Ｖ族材料ガスの供給は維持してIII族材料ガスの供給を止めるパージステップが含まれる、III族窒化物系化合物半導体の超格子構造の製造方法。
２２前記Ｖ族材料ガスがＮＨ_３ガスであり、キャリアガスとしてＨ_２ガスが採用される、２１に記載の製造方法。
２３前記超格子構造のｐ型層は第１の層と第２の層を繰返し積層したものである、ことを特徴とする２１又は２２に記載の製造方法。
２４前記第１の層はＡｌＧａＮであり、前記第２の層はＡｌＧａＮである、ことを特徴とする２３に記載の製造方法。
２５前記第１の層はＡｌＧａＮ：Ｉｎであり、前記第２の層はＡｌＧａＮ：Ｉｎである、ことを特徴とする２３に記載の製造方法。
２６前記第１の層はＡｌＧａＮであり、前記第２の層はＡｌＧａＮ：Ｉｎである、ことを特徴とする２３に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
２７前記Ｉｎの添加量はIII族元素中において１０^１６〜１０^２２／ｃｍ^３である、２５又は２６に記載の製造方法。
２８前記Ｉｎの添加量はIII族元素中において１０^１７〜１０^２０／ｃｍ^３である、２５又は２６に記載の製造方法。
２９ III族材料ガス中において前記Ｉｎの材料ガスは５〜５０体積％である、２５又は２６に記載の製造方法。
３０前記第１の層と第２の層の各膜厚は１８ｎｍ以下である、２３〜２９の何れかに記載の製造方法。
３１前記第１の層と前記第２の層の各膜厚は５〜１５ｎｍである、２３〜２９のいずれかに記載の製造方法。
４１超格子構造のｐ型層を有するIII族窒化物系化合物半導体素子であって、前記超格子構造は一つの半導体層を成長させたのち、該半導体層の表面へキャリアガスを供給しかつＶ族材料ガスの供給を止めてパージし、その後次の半導体層を成長させて得られたものであるIII族窒化物系化合物半導体素子。
４２前記Ｖ族材料ガスがＮＨ_３ガスであり、キャリアガスとしてＨ_２ガスが採用される、４１に記載の製造方法。
４３前記超格子構造のｐ型層は第１の層と第２の層を繰返し積層したものである、ことを特徴とする４１又は４２に記載の製造方法。
４４前記第１の層はＡｌＧａＮであり、前記第２の層はＡｌＧａＮである、ことを特徴とする４３に記載の製造方法。
４５前記第１の層はＡｌＧａＮ：Ｉｎであり、前記第２の層はＡｌＧａＮ：Ｉｎである、ことを特徴とする４３に記載の製造方法。
４６前記第１の層はＡｌＧａＮであり、前記第２の層はＡｌＧａＮ：Ｉｎである、ことを特徴とする４３に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
４７前記Ｉｎの添加量はIII族元素中において１０^１６〜１０^２２／ｃｍ^３である、４５又は４６に記載の製造方法。
４８前記Ｉｎの添加量はIII族元素中において１０^１７〜１０^２０／ｃｍ^３である、４５又は４６に記載の製造方法。
４９ III族材料ガス中において前記Ｉｎの材料ガスは５〜５０体積％である、４５又は４６に記載の製造方法。
５０前記第１の層と第２の層の各膜厚は１８ｎｍ以下である、４３〜４９の何れかに記載の製造方法。
５１前記第１の層と前記第２の層の各膜厚は５〜１５ｎｍである、４３〜４９のいずれかに記載の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は試験例１〜４のキャリア濃度及び抵抗率を示すグラフである。
【図２】図２は試験例３〜５のキャリア濃度及び抵抗率を示すグラフである。
【図３】図３は試験例５においてＩｎ供給量を変化させたときのキャリア濃度及び抵抗率の変化を示すグラフである。
【図４】図４は試験例５において各層の膜厚を変化させたときのキャリア濃度と抵抗率の変化を示すグラフである。
【図５】実施例の発光ダイオードの構成を示す断面図である。
【図６】実施例の発光ダイオードと比較例の発光ダイオードとの特性を比較したグラフである。
【符号の説明】
５第３の層
６第４の層
７透光性電極
８ｐ台座電極
９ｎ電極
１０発光素子

Claims

超格子構造のｐ型層を有するIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法であって、
前記超格子構造の各層をＭＯＣＶＤ法により成長させる間に、Ｖ族材料ガスの供給は維持してIII族材料ガスの供給を止めるパージステップが含まれる、III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
前記Ｖ族材料ガスがＮＨ_３ガスであり、キャリアガスとしてＨ_２ガスが採用される、請求項１に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
前記超格子構造のｐ型層は第１の層と第２の層を繰返し積層したものである、ことを特徴とする請求項１又は２に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
前記第１の層はＡｌＧａＮであり、前記第２の層はＡｌＧａＮである、ことを特徴とする請求項３に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
前記第１の層はＡｌＧａＮ：Ｉｎであり、前記第２の層はＡｌＧａＮ：Ｉｎである、ことを特徴とする請求項３に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
前記第１の層はＡｌＧａＮであり、前記第２の層はＡｌＧａＮ：Ｉｎである、ことを特徴とする請求項３に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
前記Ｉｎの添加量はIII族元素中において１０^１６〜１０^２２／ｃｍ^３である、請求項５又は６に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
前記Ｉｎの添加量はIII族元素中において１０^１７〜１０^２０／ｃｍ^３である、請求項５又は６に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
III族材料ガス中において前記Ｉｎの材料ガスは５〜５０体積％である、請求項５又は６に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
前記第１の層と第２の層の各膜厚は１８ｎｍ以下である、請求項３〜９の何れかに記載のIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
前記第１の層と前記第２の層の各膜厚は５〜１５ｎｍである、請求項３〜９のいずれかに記載のIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
超格子構造のｐ型層を有するIII族窒化物系化合物半導体素子であって、
前記超格子構造のｐ型層はＡｌＧａＮ：Ｉｎからなる第１の層とＡｌＧａＮ：Ｉｎからなる第２の層を繰返し積層したもの、若しくはＡｌＧａＮからなる第１の層とＡｌＧａＮ：Ｉｎからなる第２の層を繰返し積層したものであり、前記Ｉｎの添加量は III 族元素中において１０ ^１６〜１０ ^２２／ｃｍ ^３である、III族窒化物系化合物半導体素子。
前記Ｉｎの添加量はIII族元素中において１０^１７〜１０^２０／ｃｍ^３である、請求項１２に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。
前記第１の層と第２の層の各膜厚は１８ｎｍ以下である、請求項１２又は１３に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。
前記第１の層と前記第２の層の各膜厚は５〜１５ｎｍである、請求項１２又は１３に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。
発光する層を更に有する、請求項１２〜１５の何れかに記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。