JP3236650B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
- Publication number
- JP3236650B2 JP3236650B2 JP4161392A JP4161392A JP3236650B2 JP 3236650 B2 JP3236650 B2 JP 3236650B2 JP 4161392 A JP4161392 A JP 4161392A JP 4161392 A JP4161392 A JP 4161392A JP 3236650 B2 JP3236650 B2 JP 3236650B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- island
- light emitting
- shaped
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体発光素子に関し、
例えばページプリンターの感光ドラム用光源などに用い
られる半導体発光素子に関する。
例えばページプリンターの感光ドラム用光源などに用い
られる半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体発光素子は、ＭＯＣＶＤ
（有機金属化学気相堆積）法やＭＢＥ（分子線エピタキ
シー）法などの化合物半導体結晶成長技術の進歩にとも
なって盛んに研究されている。
（有機金属化学気相堆積）法やＭＢＥ（分子線エピタキ
シー）法などの化合物半導体結晶成長技術の進歩にとも
なって盛んに研究されている。
【０００３】従来の半導体発光素子を図４に基づいて説
明する。図４は、従来の半導体発光素子の断面図であ
り、２１は例えば一導電型不純物を含有するシリコン
（Ｓｉ）などから成る単結晶半導体基板、２２はガリウ
ム砒素膜（ＧａＡｓ）などから成るバッファ層、２３は
半導体基板２１と同じ導電型を呈するアルミニウムガリ
ウム砒素膜（ＡｌxＧａ1-xＡｓ）などから成る第一の半
導体層、２４は逆導電型不純物を含有するアルミニウム
ガリウム砒素膜（ＡｌyＧａ1-yＡｓ）などから成る第二
の半導体層、２５は逆導電型不純物を多量に含むガリウ
ム砒素膜などから成るオーミックコンタクト層、２６は
例えば窒化シリコン膜（ＳｉＮx）などから成る保護層
である。この保護層２６上には、上部電極２７が形成さ
れており、オーミックコンタクト層２５と上部電極２７
が保護層２６のコンタクトホール２６ａ部分を介して接
続されている。なお、半導体基板２１の裏面側には、半
導体基板２１とオーミックコンタクトをとるための下部
電極２８が設けられている。また、バッファ層２２、第
一の半導体層２３、第二の半導体層２４、およびオーミ
ックコンタクト層２５は島状に形成されており、この一
つの島状部で一つの発光素子が構成される。
明する。図４は、従来の半導体発光素子の断面図であ
り、２１は例えば一導電型不純物を含有するシリコン
（Ｓｉ）などから成る単結晶半導体基板、２２はガリウ
ム砒素膜（ＧａＡｓ）などから成るバッファ層、２３は
半導体基板２１と同じ導電型を呈するアルミニウムガリ
ウム砒素膜（ＡｌxＧａ1-xＡｓ）などから成る第一の半
導体層、２４は逆導電型不純物を含有するアルミニウム
ガリウム砒素膜（ＡｌyＧａ1-yＡｓ）などから成る第二
の半導体層、２５は逆導電型不純物を多量に含むガリウ
ム砒素膜などから成るオーミックコンタクト層、２６は
例えば窒化シリコン膜（ＳｉＮx）などから成る保護層
である。この保護層２６上には、上部電極２７が形成さ
れており、オーミックコンタクト層２５と上部電極２７
が保護層２６のコンタクトホール２６ａ部分を介して接
続されている。なお、半導体基板２１の裏面側には、半
導体基板２１とオーミックコンタクトをとるための下部
電極２８が設けられている。また、バッファ層２２、第
一の半導体層２３、第二の半導体層２４、およびオーミ
ックコンタクト層２５は島状に形成されており、この一
つの島状部で一つの発光素子が構成される。
【０００４】このように構成された半導体発光素子の動
作を説明すると、第一の半導体層２３をＮ型にすると共
に第二の半導体層２４をＰ型にし、上部電極２７を正に
すると共に下部電極２８を負として順バイアス方向に電
圧を印加すると、Ｎ型を呈する第一の半導体層２３から
Ｐ型を呈する第二の半導体層２４へ少数キャリアが注入
され、第二の半導体層２４と第一の半導体層２３の界面
である半導体接合部の第二の半導体層２４側界面で、キ
ャリアが再結合して発光する。発光した光は、第二の半
導体層２４と保護層２６を通って外部へ取り出される。
作を説明すると、第一の半導体層２３をＮ型にすると共
に第二の半導体層２４をＰ型にし、上部電極２７を正に
すると共に下部電極２８を負として順バイアス方向に電
圧を印加すると、Ｎ型を呈する第一の半導体層２３から
Ｐ型を呈する第二の半導体層２４へ少数キャリアが注入
され、第二の半導体層２４と第一の半導体層２３の界面
である半導体接合部の第二の半導体層２４側界面で、キ
ャリアが再結合して発光する。発光した光は、第二の半
導体層２４と保護層２６を通って外部へ取り出される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この従来の
半導体発光素子では、半導体接合部近傍で発光した光を
島状部の上部から取り出すため、上部電極２７は光の取
り出しを遮らないようにできるだけ小面積に形成しなけ
ればならず、その結果、半導体接合部での電流の流れが
局所的になり、発光強度が弱くなるという問題があっ
た。
半導体発光素子では、半導体接合部近傍で発光した光を
島状部の上部から取り出すため、上部電極２７は光の取
り出しを遮らないようにできるだけ小面積に形成しなけ
ればならず、その結果、半導体接合部での電流の流れが
局所的になり、発光強度が弱くなるという問題があっ
た。
【０００６】また、この従来の半導体発光素子では、発
光強度を強めるためには、島状部を大きくして、半導体
接合部を大面積化すればよいが、島状部を大きくすると
発光素子の高精細化の妨げになるという問題があった。
光強度を強めるためには、島状部を大きくして、半導体
接合部を大面積化すればよいが、島状部を大きくすると
発光素子の高精細化の妨げになるという問題があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような従
来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、その特徴
とするところは、半導体基板上に、導電型の異なる少な
くとも二層の半導体層から成る島状部を設け、この島状
部に対向する面を有するＶ字溝を形成し、このＶ字溝の
対向する面が光の取り出し部と反射部となるようにＶ字
溝以外の島状部を電極で被覆して成る点にある。
来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、その特徴
とするところは、半導体基板上に、導電型の異なる少な
くとも二層の半導体層から成る島状部を設け、この島状
部に対向する面を有するＶ字溝を形成し、このＶ字溝の
対向する面が光の取り出し部と反射部となるようにＶ字
溝以外の島状部を電極で被覆して成る点にある。
【０００８】
【作用】上記のように構成することにより、半導体接合
部近傍で発光した光は、Ｖ字溝部分から取り出される。
この場合、島状部は一側面または対向する側面を除いて
電極で被覆されていることから、島状部の半導体接合部
の全体に亘って電流が流れ、発光強度は極めて強いもの
となる。また、Ｖ字溝の長さを短くすると共に、Ｖ字溝
の両側の島状部を大面積化することによって、発光ドッ
トを大きくすることなく半導体接合部を大面積化するこ
とができ、発光強度を強めつつ高精細化することができ
る。
部近傍で発光した光は、Ｖ字溝部分から取り出される。
この場合、島状部は一側面または対向する側面を除いて
電極で被覆されていることから、島状部の半導体接合部
の全体に亘って電流が流れ、発光強度は極めて強いもの
となる。また、Ｖ字溝の長さを短くすると共に、Ｖ字溝
の両側の島状部を大面積化することによって、発光ドッ
トを大きくすることなく半導体接合部を大面積化するこ
とができ、発光強度を強めつつ高精細化することができ
る。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づき詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１０】図１（ａ）は本発明に係る半導体発光素子
の一実施例を示す斜視図、同図（ｂ）は一つの発光素子
部分を示す断面図であり、１は半導体基板、２はバッフ
ァ層、３は第一の半導体層、４は第二の半導体層、５は
オーミックコンタクト層、６は保護層、７は上部電極、
８は下部電極である。
の一実施例を示す斜視図、同図（ｂ）は一つの発光素子
部分を示す断面図であり、１は半導体基板、２はバッフ
ァ層、３は第一の半導体層、４は第二の半導体層、５は
オーミックコンタクト層、６は保護層、７は上部電極、
８は下部電極である。
【００１１】前記半導体基板１は、例えばガリウム砒素
（ＧａＡｓ）などのIII-Ｖ族化合物半導体から成る単結
晶半導体基板、あるいは単結晶シリコン基板などで構成
される。半導体発光素子の製造上は、ガリウム砒素など
のIII-Ｖ族化合物半導体基板が有利であるが、価格、機
械的強度、および大面積化の点では、単結晶シリコン基
板が有利である。この半導体基板１には、一導電型不純
物、例えばＮ型にする場合は、アンチモン（Ｓｂ）、砒
素（Ａｓ）、リン（Ｐ）などの不純物を１０16〜１０18
個／ｃｍ3程度含有させ、例えばＰ型にする場合は、ボ
ロン（Ｂ）などの不純物を１０16〜１０18個／ｃｍ3程
度含有させる。
（ＧａＡｓ）などのIII-Ｖ族化合物半導体から成る単結
晶半導体基板、あるいは単結晶シリコン基板などで構成
される。半導体発光素子の製造上は、ガリウム砒素など
のIII-Ｖ族化合物半導体基板が有利であるが、価格、機
械的強度、および大面積化の点では、単結晶シリコン基
板が有利である。この半導体基板１には、一導電型不純
物、例えばＮ型にする場合は、アンチモン（Ｓｂ）、砒
素（Ａｓ）、リン（Ｐ）などの不純物を１０16〜１０18
個／ｃｍ3程度含有させ、例えばＰ型にする場合は、ボ
ロン（Ｂ）などの不純物を１０16〜１０18個／ｃｍ3程
度含有させる。
【００１２】前記バッファ層２は、ガリウム砒素などの
III-Ｖ族化合物半導体層から成り、ＴＭＧａガス、Ａｓ
Ｈ3ガス、および不純物元素源用ガスなどを用いたＭＯ
ＣＶＤ法などにより形成される。このバッファ層２は、
半導体基板１として単結晶シリコンを用いた場合に、半
導体基板１と第一の半導体層３との格子定数の不整合に
基づくミスフィット転移を防止するために形成するもの
であり、半導体基板１として例えばガリウム砒素などの
III-Ｖ族化合物半導体基板を用いる場合は不要である。
III-Ｖ族化合物半導体層から成り、ＴＭＧａガス、Ａｓ
Ｈ3ガス、および不純物元素源用ガスなどを用いたＭＯ
ＣＶＤ法などにより形成される。このバッファ層２は、
半導体基板１として単結晶シリコンを用いた場合に、半
導体基板１と第一の半導体層３との格子定数の不整合に
基づくミスフィット転移を防止するために形成するもの
であり、半導体基板１として例えばガリウム砒素などの
III-Ｖ族化合物半導体基板を用いる場合は不要である。
【００１３】前記バッファ層２上には、一導電型不純物
を含有する第一の半導体層３が形成されている。この第
一の半導体層３は、例えばアルミニウム・ガリウム・砒
素（ＡｌxＧａ1-xＡｓ）などから成り、シリコン（Ｓ
ｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、錫（Ｓｎ）などから成る
ドナー或いは亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）などか
ら成るアクセプタを１０16〜１０18個／ｃｍ3程度含有
させる。この第一の半導体層３も、ＴＭＧａガス、Ａｓ
Ｈ3ガス、および不純物元素源用ガスなどを用いたＭＯ
ＣＶＤ法などにより形成される。
を含有する第一の半導体層３が形成されている。この第
一の半導体層３は、例えばアルミニウム・ガリウム・砒
素（ＡｌxＧａ1-xＡｓ）などから成り、シリコン（Ｓ
ｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、錫（Ｓｎ）などから成る
ドナー或いは亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）などか
ら成るアクセプタを１０16〜１０18個／ｃｍ3程度含有
させる。この第一の半導体層３も、ＴＭＧａガス、Ａｓ
Ｈ3ガス、および不純物元素源用ガスなどを用いたＭＯ
ＣＶＤ法などにより形成される。
【００１４】前記第一の半導体層３上には、第二の半導
体層４が形成されている。この第二の半導体層４も、例
えばアルミニウム・ガリウム・砒素（ＡｌyＧａ1-yＡ
ｓ）などから成り、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム
（Ｇｅ）、錫（Ｓｎ）などから成るドナー或いは亜鉛
（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）などから成るアクセプタ
を１０16〜１０18個／ｃｍ3程度含有させる。この第二
の半導体層４は、第一の半導体層３とは逆導電型となる
ように半導体不純物を含有させ、第一の半導体層３と第
二の半導体層４とで半導体接合を形成する。この第一の
半導体層３も、ＴＭＧａガス、ＡｓＨ3ガス、および不
純物元素源用ガスなどを用いたＭＯＣＶＤ法などにより
形成される。
体層４が形成されている。この第二の半導体層４も、例
えばアルミニウム・ガリウム・砒素（ＡｌyＧａ1-yＡ
ｓ）などから成り、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム
（Ｇｅ）、錫（Ｓｎ）などから成るドナー或いは亜鉛
（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）などから成るアクセプタ
を１０16〜１０18個／ｃｍ3程度含有させる。この第二
の半導体層４は、第一の半導体層３とは逆導電型となる
ように半導体不純物を含有させ、第一の半導体層３と第
二の半導体層４とで半導体接合を形成する。この第一の
半導体層３も、ＴＭＧａガス、ＡｓＨ3ガス、および不
純物元素源用ガスなどを用いたＭＯＣＶＤ法などにより
形成される。
【００１５】前記第二の半導体層４上には、オーミック
コンタクト層５が形成されている。このオーミックコン
タクト層５は、半導体用不純物を高濃度に含有するガリ
ウム砒素膜（ＧａＡｓ）などで形成される。
コンタクト層５が形成されている。このオーミックコン
タクト層５は、半導体用不純物を高濃度に含有するガリ
ウム砒素膜（ＧａＡｓ）などで形成される。
【００１６】上記バッファ層２、第一の半導体層３、第
二の半導体層４、およびオーミックコンタクト層５は、
複数の島状に形成されており、この島状部Ｉのほぼ中央
部には、Ｖ字溝Ｇが形成されている。島状部ＩおよびＶ
字溝Ｇは、硫酸（Ｈ2ＳＯ4）、過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）、
水（Ｈ2Ｏ）からなる混合液などを用いて半導体層２〜
５の面方位を選択してメサエッチングすることにより形
成される。
二の半導体層４、およびオーミックコンタクト層５は、
複数の島状に形成されており、この島状部Ｉのほぼ中央
部には、Ｖ字溝Ｇが形成されている。島状部ＩおよびＶ
字溝Ｇは、硫酸（Ｈ2ＳＯ4）、過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）、
水（Ｈ2Ｏ）からなる混合液などを用いて半導体層２〜
５の面方位を選択してメサエッチングすることにより形
成される。
【００１７】前記島状部Ｉの側面部、Ｖ字溝部Ｇ、およ
び半導体基板１上には、透光性保護層６が形成されてい
る。この保護層６は、例えば窒化シリコン膜（Ｓｉ
Ｎx）や酸化シリコン膜（ＳｉＯ2）などで形成される。
この保護層６は、例えばシランガス（ＳｉＨ4）とアン
モニアガス（ＮＨ3）や笑気ガス（Ｎ2Ｏ）などを用いた
プラズマＣＶＤ法などで形成される。
び半導体基板１上には、透光性保護層６が形成されてい
る。この保護層６は、例えば窒化シリコン膜（Ｓｉ
Ｎx）や酸化シリコン膜（ＳｉＯ2）などで形成される。
この保護層６は、例えばシランガス（ＳｉＨ4）とアン
モニアガス（ＮＨ3）や笑気ガス（Ｎ2Ｏ）などを用いた
プラズマＣＶＤ法などで形成される。
【００１８】前記島状部Ｉの上部から側面部には、Ｖ字
溝Ｇ部を除いて電極７が形成されている。この電極７
は、クロム（Ｃｒ）と金（Ａｕ）の二層構造のもの、銀
（Ａｇ）、あるいは銀と亜鉛（Ｚｎ）の合金などで形成
され、真空蒸着法やスパッタリング法などで形成され
る。
溝Ｇ部を除いて電極７が形成されている。この電極７
は、クロム（Ｃｒ）と金（Ａｕ）の二層構造のもの、銀
（Ａｇ）、あるいは銀と亜鉛（Ｚｎ）の合金などで形成
され、真空蒸着法やスパッタリング法などで形成され
る。
【００１９】また、半導体基板１の裏面側には、下部電
極８が形成されている。この下部電極８も、クロム（Ｃ
ｒ）と金（Ａｕ）の二層構造のもの、銀（Ａｇ）、ある
いは銀と亜鉛（Ｚｎ）の合金などで形成され、真空蒸着
法やスパッタリング法などで形成される。
極８が形成されている。この下部電極８も、クロム（Ｃ
ｒ）と金（Ａｕ）の二層構造のもの、銀（Ａｇ）、ある
いは銀と亜鉛（Ｚｎ）の合金などで形成され、真空蒸着
法やスパッタリング法などで形成される。
【００２０】このように島状部Ｉの上部から側面部に、
Ｖ字溝Ｇ部を除いて電極７を形成すると、島状部Ｉ内の
半導体接合部で発光した光は、島状部Ｉ内では電極７の
裏面で反射して、Ｖ字溝Ｇ部分のみから取り出される。
Ｖ字溝Ｇ部分から取り出された光は、Ｖ字溝Ｇの対向す
る面で反射して島状部Ｉの上方へ取り出される。この場
合、電極７は島状部Ｉ上のほぼ全面に形成されることか
ら、電流は半導体接合部の広い領域に亘って均一に流
れ、発光強度が強くなると共に、Ｖ字溝Ｇの両側の島状
部Ｉを大面積化することにより、半導体接合部をさらに
大面積化することができ、発光強度の強い高精細化した
発光素子となる。
Ｖ字溝Ｇ部を除いて電極７を形成すると、島状部Ｉ内の
半導体接合部で発光した光は、島状部Ｉ内では電極７の
裏面で反射して、Ｖ字溝Ｇ部分のみから取り出される。
Ｖ字溝Ｇ部分から取り出された光は、Ｖ字溝Ｇの対向す
る面で反射して島状部Ｉの上方へ取り出される。この場
合、電極７は島状部Ｉ上のほぼ全面に形成されることか
ら、電流は半導体接合部の広い領域に亘って均一に流
れ、発光強度が強くなると共に、Ｖ字溝Ｇの両側の島状
部Ｉを大面積化することにより、半導体接合部をさらに
大面積化することができ、発光強度の強い高精細化した
発光素子となる。
【００２１】図２は、本発明に係る半導体発光素子の二
番目の実施例を説明するための図である。この実施例で
は、島状部Ｉを帯状に形成して、この島状部Ｉに複数の
Ｖ字溝Ｇ1〜Ｇ4を形成し、横方向で隣合う電極を共通に
使用するように電極７ａ〜７ｃを形成し、さらにこの電
極７ａ〜７ｃと対向する部分に、横方向で隣合う電極を
共通に使用するように、且つ電極７ａ〜７ｃとは一つず
らして電極７ｄ〜７ｆを櫛歯状に形成したものである。
このように形成して、電極７ｂを選択して電流を流す
と、Ｖ字溝Ｇ2、Ｇ3、Ｇ4部分が１ドットを構成して発
光し、電極７ｅを選択して電流を流すと、Ｖ字溝Ｇ1、
Ｇ2、Ｇ3部分が１ドットを構成して発光する。この場
合、Ｖ字溝Ｇ2、Ｇ3は共通して発光することから、走査
方向での発光ドット間に隙間が無くなり、発光ドットを
高精細化することができる。
番目の実施例を説明するための図である。この実施例で
は、島状部Ｉを帯状に形成して、この島状部Ｉに複数の
Ｖ字溝Ｇ1〜Ｇ4を形成し、横方向で隣合う電極を共通に
使用するように電極７ａ〜７ｃを形成し、さらにこの電
極７ａ〜７ｃと対向する部分に、横方向で隣合う電極を
共通に使用するように、且つ電極７ａ〜７ｃとは一つず
らして電極７ｄ〜７ｆを櫛歯状に形成したものである。
このように形成して、電極７ｂを選択して電流を流す
と、Ｖ字溝Ｇ2、Ｇ3、Ｇ4部分が１ドットを構成して発
光し、電極７ｅを選択して電流を流すと、Ｖ字溝Ｇ1、
Ｇ2、Ｇ3部分が１ドットを構成して発光する。この場
合、Ｖ字溝Ｇ2、Ｇ3は共通して発光することから、走査
方向での発光ドット間に隙間が無くなり、発光ドットを
高精細化することができる。
【００２２】図３（ａ）は、本発明に係る半導体発光素
子の三番目の実施例を説明するための図であり、同図
（ｂ）は断面図である。この実施例では、島状部Ｉを帯
状に形成して、この島状部Ｉに複数のＶ字溝Ｇ1〜Ｇ3、
およびＶ字溝Ｇ4〜Ｇ6を離間して形成し、Ｖ字溝Ｇ1、
Ｇ2、Ｇ3が１ドットとして発光するように電極７ａを形
成すると共に、Ｖ字溝Ｇ4、Ｇ5、Ｇ6が１ドットとして
発光するように電極７ｂを形成したものである。また、
Ｖ字溝Ｇ1、Ｇ3の対向する片側とＶ字溝Ｇ4、Ｇ6の対向
する片側は、電極材料で被覆されており、Ｖ字溝Ｇ1、
Ｇ3およびＶ字溝Ｇ4、Ｇ6の一方側から発光する光を反
射して島状部Ｉの上部方向に向けるように構成してい
る。このように構成することにより、Ｖ字溝Ｇ1、Ｇ3お
よびＶ字溝Ｇ4、Ｇ6の一方側から発光する光も効率よく
島状部Ｉの上方へ向けることができる。
子の三番目の実施例を説明するための図であり、同図
（ｂ）は断面図である。この実施例では、島状部Ｉを帯
状に形成して、この島状部Ｉに複数のＶ字溝Ｇ1〜Ｇ3、
およびＶ字溝Ｇ4〜Ｇ6を離間して形成し、Ｖ字溝Ｇ1、
Ｇ2、Ｇ3が１ドットとして発光するように電極７ａを形
成すると共に、Ｖ字溝Ｇ4、Ｇ5、Ｇ6が１ドットとして
発光するように電極７ｂを形成したものである。また、
Ｖ字溝Ｇ1、Ｇ3の対向する片側とＶ字溝Ｇ4、Ｇ6の対向
する片側は、電極材料で被覆されており、Ｖ字溝Ｇ1、
Ｇ3およびＶ字溝Ｇ4、Ｇ6の一方側から発光する光を反
射して島状部Ｉの上部方向に向けるように構成してい
る。このように構成することにより、Ｖ字溝Ｇ1、Ｇ3お
よびＶ字溝Ｇ4、Ｇ6の一方側から発光する光も効率よく
島状部Ｉの上方へ向けることができる。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る半導体発光
素子によれば、半導体基板上に、導電型の異なる少なく
とも二層の半導体層から成る島状部を設け、この島状部
に対向する面を有するＶ字溝を形成し、このＶ字溝の対
向する面が光の取り出し部と反射部となるようにＶ字溝
以外の部分を電極で被覆して成ることから、島状部の半
導体接合部の全体に亘って電流が流れ、発光強度は極め
て強いものとなる。また、Ｖ字溝の長さを短くすると共
に、Ｖ字溝の両側の島状部を大面積化することによって
半導体接合部を大面積化することができ、発光強度を強
めつつ高精細化することもできる。
素子によれば、半導体基板上に、導電型の異なる少なく
とも二層の半導体層から成る島状部を設け、この島状部
に対向する面を有するＶ字溝を形成し、このＶ字溝の対
向する面が光の取り出し部と反射部となるようにＶ字溝
以外の部分を電極で被覆して成ることから、島状部の半
導体接合部の全体に亘って電流が流れ、発光強度は極め
て強いものとなる。また、Ｖ字溝の長さを短くすると共
に、Ｖ字溝の両側の島状部を大面積化することによって
半導体接合部を大面積化することができ、発光強度を強
めつつ高精細化することもできる。
【図１】（ａ）は本発明に係る半導体発光素子の一実施
例を示す斜視図、（ｂ）は同じく断面図である。
例を示す斜視図、（ｂ）は同じく断面図である。
【図２】本発明に係る半導体発光素子の他の実施例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図３】（ａ）は本発明に係る半導体発光素子のその他
の実施例を示す斜視図、（ｂ）は同じく断面図である。
の実施例を示す斜視図、（ｂ）は同じく断面図である。
【図４】従来の半導体発光素子を示す断面図である。
１・・・半導体基板、３・・・第一の半導体層、４・・
・第二の半導体層、７・・・電極、Ｉ・・・島状部、Ｇ
・・・Ｖ字溝。
・第二の半導体層、７・・・電極、Ｉ・・・島状部、Ｇ
・・・Ｖ字溝。
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に、導電型の異なる少なく
とも二層の半導体層から成る島状部を設け、この島状部
に対向する面を有するＶ字溝を形成し、このＶ字溝の対
向する面が光の取り出し部と反射部となるようにＶ字溝
以外の島状部を電極で被覆して成る半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4161392A JP3236650B2 (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4161392A JP3236650B2 (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243609A JPH05243609A (ja) | 1993-09-21 |
| JP3236650B2 true JP3236650B2 (ja) | 2001-12-10 |
Family
ID=12613193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4161392A Expired - Fee Related JP3236650B2 (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3236650B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11224960A (ja) * | 1997-11-19 | 1999-08-17 | Unisplay Sa | Ｌｅｄランプ並びにｌｅｄチップ |
| JP2000332300A (ja) * | 1999-05-14 | 2000-11-30 | Unisplay Sa | Ｌｅｄランプ |
| JP6519593B2 (ja) * | 2014-11-21 | 2019-05-29 | 信越半導体株式会社 | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
-
1992
- 1992-02-27 JP JP4161392A patent/JP3236650B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05243609A (ja) | 1993-09-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5196718A (en) | Light-emitting diode array | |
| JP3236650B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| US5105236A (en) | Heterojunction light-emitting diode array | |
| US6881978B2 (en) | Semiconductor epitaxial structure and semiconductor light-emitting device | |
| JP3140123B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2958182B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP3236649B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP3638413B2 (ja) | 半導体発光装置とその製造方法 | |
| JP4256014B2 (ja) | 発光ダイオードアレイ | |
| JP2001244500A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH11135837A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP4436527B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH05235406A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH10181077A (ja) | 発光ダイオードアレイ | |
| JP3450992B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP3554103B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2912782B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP3439950B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP3158002B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP3500275B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP3450153B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP3667208B2 (ja) | 光プリンタ用ｌｅｄアレイ | |
| JP3131106B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP3735459B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP4184521B2 (ja) | 半導体発光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070928 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080928 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |