KR940012724A - 고출력 레이저 다이오드 제조방법 - Google Patents

고출력 레이저 다이오드 제조방법 Download PDF

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KR940012724A
KR940012724A KR1019920021906A KR920021906A KR940012724A KR 940012724 A KR940012724 A KR 940012724A KR 1019920021906 A KR1019920021906 A KR 1019920021906A KR 920021906 A KR920021906 A KR 920021906A KR 940012724 A KR940012724 A KR 940012724A
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers

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Abstract

본 발명은 화합물 반도체에 있어 광출력면인 벽개면 상부에 광흡수층을 소정두께로 증착시켜 광흡수로 인한 벽개면 붕괴현상을 방지하고자한 고출력 레이저 다이오드 제조방법에 관한 것으로, 이러한 본 발명의 목적은 P-GaAs기판(1)상에 LPE법으로 n-GaAs 전류제한층(3)을 성장시키는 제1공정과, 상기 제1공정완료 후n-GaAs전류제한층(3)애 부분적인 전류주입을 위한 V-채널을 조성하는 제2공정과, 상기 제2공정완료후 P형 클래드층(5), P형 활성층(6), n형 클래드층(7), 캡층(8)을 순차적으로 적층성장시키는 제3공정과, 상기 제1-제3공정으로 형성된 소자의 벽개면 상부에 광흡수를 위한 광흡수층(9)을 소정두께로 성장시키는 제4공정을 이룸으로써 달성되어진다.

Description

고출력 레이저 다이오드 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명 고출력 레이저 다이오드의 사시도.

Claims (3)

  1. P-GaAS기판(1)상에 LPE법으로 n-GaAs전류제한층(3)을 성장시키는 제1공정과, 상기 제1공정완료 후 n-GaAs 전류제한층(3)에 부분적인 전류주입을 위한 V-채널을 조성하는 제2공정과, 상기 제2공정완료후 P형 클래드층(5), P형 활성층(6), n형 클래드층(7), 캡층(8)을 순차적으로 적층성장시키는 제3공정과, 상기 제1-제3공정으로 형성된 소자의 벽개면 상부에 광흡수를 위한 광흡수층(9)을 소정두께로 성장시키는 제4공정으로 이루어진 고출력 레이저 다이오드 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 광흡수층(9)은 다원계 화합물인 AlXGa1-XAs(X>0.5)로 된 것을 특징으로 한 고출력 레이저 다이오드 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 광흡수층(9)은 두께가 0.4-0.5㎛인 것을 특징으로 한 고출력 레이저 다이오드 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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