KR950012887A - 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 - Google Patents
반도체 레이저 다이오드의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 레이저 다이오드의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 방법은 N-GaAs 기판상에 LPE법으로 N-클래드층, 광도파층 및 절연층을 순차적으로 성장시킨후, 메사-에칭을 수행한 다음, MOCVD 성장법으로 p-블로킹 및 N-형 블로킹층을 성장시키고, 절연층을 제거후, 다시 LPE 성장법으로 p-클래드층을 성장시킨 다음, P-전극층 및 N-전극층을 형성시키는 것으로 구성된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 BH구조의 레이저 다이오드의 단면도이며,
제3도는 본 발명에 따른 BH구조의 레이저 다이오드의 제조공정도이다.
Claims (1)
- N-GaAs 기판(11)위에 LPE법으로 N-클래드층(12), 광도파층(15) 및 절연층(17´)을 순차적으로 성장시킨후, 메사-에칭을 수행한 다음, MOCVD성장법으로 p-블로킹(13) 및 N-형 블로킹층(14)을 성장시키고, 절연층(17´)을 제거후, 다시 LPE 성장법으로 P-클래드층(16)을 성장시킨 다음, P-전극층(18) 및 N-전극층(20)을 형성시키는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930021714A KR950012887A (ko) | 1993-10-19 | 1993-10-19 | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930021714A KR950012887A (ko) | 1993-10-19 | 1993-10-19 | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950012887A true KR950012887A (ko) | 1995-05-17 |
Family
ID=66824713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930021714A KR950012887A (ko) | 1993-10-19 | 1993-10-19 | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950012887A (ko) |
-
1993
- 1993-10-19 KR KR1019930021714A patent/KR950012887A/ko not_active Application Discontinuation
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