KR940010434A - 2-스텝 매립형 고출력 반도체 레이저 다이오드 제조방법 - Google Patents
2-스텝 매립형 고출력 반도체 레이저 다이오드 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 2-스텝 매립형 고출력 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법에 관한 것이다.
종래의 고출력 반도체 레이저 제조공정시에, 통상 3회의 에칭과 3회의 성장공정이 필요했지만, 본 발명의 방법에서는 이중 이종 접합 성장과 CBL, NAM효과를 갖는 층등들을 성장함으로서, 2회의 성장과 1회의 에칭 공정만이 필요하여 공정을 단순화 하였다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드의 제조 공정도.
Claims (1)
- n-GaAs기판(1) 상에 차례로 n-Al0.45Ga0.55As클래드층(2), p-Al0.08Ga0.92As 클래드층(3), n-Al0.45Ga0.55As 클래드층(4) 및 n-GaAs캡층(5)을 성장시킨 후, SiN4막(6)을 증착하는 단계와, 상기 성장된 층들을 기판(1)까지 메사 형태로 선택적으로 식각하는 단계와, 상기 식각된 표면상에 차례로 n-Al0.25Ga0.75As층(7), P-Al0.25Ga0.75As층(8), n-Al0.25Ga0.75As층(9) 및 P-GaAs층(10)을 성장시킨 후, P-GaAs층(10)상에 P-전극(P)과 기판(1) 하부에 -전극(N)을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 2-스텝 매립형 고출력 반도체 레이저 다이오드 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920019898A KR940010434A (ko) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | 2-스텝 매립형 고출력 반도체 레이저 다이오드 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920019898A KR940010434A (ko) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | 2-스텝 매립형 고출력 반도체 레이저 다이오드 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940010434A true KR940010434A (ko) | 1994-05-26 |
Family
ID=67210444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920019898A KR940010434A (ko) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | 2-스텝 매립형 고출력 반도체 레이저 다이오드 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940010434A (ko) |
-
1992
- 1992-10-28 KR KR1019920019898A patent/KR940010434A/ko not_active Application Discontinuation
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