KR940017026A - 레이저 다이오드 제조방법 - Google Patents
레이저 다이오드 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 레이저 다이오드 제조방법에 관한것으로 P-클래드층 성장후 제 1 차 P-콘택층을 후속공정의 제 2 차 P-콘택층과 동종물질로 연속 성장한후 제 2 차 P-콘택층을 다시 재성장시킴으로써 P-클래드층이 대기중에 노출되면서 발생하는 표면산화 및 오염을 감소시키고, P-클래드층과 P-콘택층의 이종계면에서 격자부정합에 의하여 야기되는 누설전류를 방지하여 소자의 특성을 향상시키는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 4 도 내지 제 7 도는 본 발명에 의하여 형성된 SBR구조의 레이저 다이오드를 나타낸 단면도.
Claims (2)
- 레이저 다이오드 제조방법에 있어서, P-클래드층과 P-콘택층과의 계면특성을 향상시키기 위하여 기판에 엑티브층, P-클래드층을 형성한 다음 제 1 차 P-콘택층을 연속으로 형성하는 단계와, 산화막 마스크를 형성하고 제 1 차 P-콘택층을 과도식각하여 제 1차 P-콘택층 패턴을 형성하는 단계와, n-블로킹층을 성장한후 산화막 마스크를 제거하고 제 2 차 P-콘택층을 재성장하는 단계로 이루어진것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 제 1차 P-콘택층은 제 2 차 P-콘택층과 동종물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920027047A KR940017026A (ko) | 1992-12-31 | 1992-12-31 | 레이저 다이오드 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920027047A KR940017026A (ko) | 1992-12-31 | 1992-12-31 | 레이저 다이오드 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940017026A true KR940017026A (ko) | 1994-07-25 |
Family
ID=67219946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920027047A KR940017026A (ko) | 1992-12-31 | 1992-12-31 | 레이저 다이오드 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940017026A (ko) |
-
1992
- 1992-12-31 KR KR1019920027047A patent/KR940017026A/ko not_active Application Discontinuation
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