KR950012885A - 반도체 레이저 다이오드 및 이의 제조방법 - Google Patents

반도체 레이저 다이오드 및 이의 제조방법 Download PDF

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KR950012885A
KR950012885A KR1019930021712A KR930021712A KR950012885A KR 950012885 A KR950012885 A KR 950012885A KR 1019930021712 A KR1019930021712 A KR 1019930021712A KR 930021712 A KR930021712 A KR 930021712A KR 950012885 A KR950012885 A KR 950012885A
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KR
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laser diode
insulating film
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KR1019930021712A
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Inventor
이재호
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 레이저 다이오드 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 좀더 상세하게는 동일한 칩내 고출력 다중 횡모드와 중저출력 단일 횡모드가 모두 발진 가능하도록 설계된 반도체 레이저 다이오드 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

Description

반도체 레이저 다이오드 및 이의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드의 단면도이고,
제2도는 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드의 제조공정도이다.

Claims (2)

  1. N-기판(1)상에 N-클래드층(2), 광도파층(5), P-클래드층(6)을 LPE 성장법으로 연속 성장시킨후, 절연막 마스크(7)를 형성시킨 다음, 메사-에칭하고, 상기 절연막 마스크(7)를 제거한 다음, 계속적으로 LPE 성장법으로 p-블로킹층(3), 광도파층(5´) 및 N-블로킹층(4)을 성장시킨 후, 드라이-에칭법으로 일부를 제거시키고, P-측 전극(8,8´) 및 N-측 전극(9,9´)을 리프트-오프법으로 각각 형성시켜 제조됨을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  2. N-기판(1)상에 N-클래드층(2), 광도파층(5), P-클래드층(6)을 LPE 성장법으로 연속 성장시킨후, 절연막 마스크(7)를 형성시킨 다음, 메사-에칭하고, 상기 절연막 마스크(7)를 제거한 다음, 계속적으로 LPE 성장법으로 p-블로킹층(3), 광도파층(5´) 및 N-블로킹층(4)을 성장시킨 후, 드라이-에칭법으로 일부를 제거시키고, P-측 전극(8,8´) 및 N-측 전극(9,9´)을 리프트-오프법으로 각각 형성시키는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930021712A 1993-10-19 1993-10-19 반도체 레이저 다이오드 및 이의 제조방법 KR950012885A (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100513420B1 (ko) * 1997-10-16 2006-01-12 아지노모토 가부시키가이샤 반추동물의 비육방법
KR20220070806A (ko) 2020-11-23 2022-05-31 씨제이제일제당 (주) pH 감응성 고분자를 포함하는 코팅 조성물

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KR100513420B1 (ko) * 1997-10-16 2006-01-12 아지노모토 가부시키가이샤 반추동물의 비육방법
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