JPH0199276A - 半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置の製造方法Info
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- JPH0199276A JPH0199276A JP25861887A JP25861887A JPH0199276A JP H0199276 A JPH0199276 A JP H0199276A JP 25861887 A JP25861887 A JP 25861887A JP 25861887 A JP25861887 A JP 25861887A JP H0199276 A JPH0199276 A JP H0199276A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
この発明は、半導体レーザ装置の製造方法に関し、特に
高出力化のための窓構造の製作方法に関するものである
。
高出力化のための窓構造の製作方法に関するものである
。
〔従来の技術Ｊ
第２図はＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ （
２７ｔｈｊｉ’ｅｂｒｕａｒｙ１９８６ ＶＯｌ、 ２
２ Ｎｏ、 ５ ｐｐ２７９−２８０％Ｊ、 Ｕｎｇａ
ｒ ｅｔ ａｌ、Ｈｉｇｈ・Ｐｏｗｅｒ ＧａＡＩＡａ
Ｗｉｎｄｅｗ Ｌａ５ｅｒｓ）に発表された従来の埋め
込み成長により形成された窓構造を有する半導体レーザ
装置の構造を示す図である。図において、（１１）はｎ
型ＧａＡｓ基板、（１２）はフ型ＧａＯ，６＠ Ａｌ０
．３４ Ａｓ下側クラッド層、（１３）はフ型Ｇａｏ、
ｔｚＡ１ｏ、ｚａＡｓ光導波層、（１４）はｎまたはｐ
型ＧａＯ，９ＬＡＩＯ，０ＩＡ８活性層、 （１５）は
Ｐ型Ｇａｐ、８＋ｌＡｌ０．４０１ｓ上側クフツり層、
（１６）はｎ型Ｑａｏ、６ｚＡｌｏ、５ｓＡａ電流ブロ
ツク層である。
２７ｔｈｊｉ’ｅｂｒｕａｒｙ１９８６ ＶＯｌ、 ２
２ Ｎｏ、 ５ ｐｐ２７９−２８０％Ｊ、 Ｕｎｇａ
ｒ ｅｔ ａｌ、Ｈｉｇｈ・Ｐｏｗｅｒ ＧａＡＩＡａ
Ｗｉｎｄｅｗ Ｌａ５ｅｒｓ）に発表された従来の埋め
込み成長により形成された窓構造を有する半導体レーザ
装置の構造を示す図である。図において、（１１）はｎ
型ＧａＡｓ基板、（１２）はフ型ＧａＯ，６＠ Ａｌ０
．３４ Ａｓ下側クラッド層、（１３）はフ型Ｇａｏ、
ｔｚＡ１ｏ、ｚａＡｓ光導波層、（１４）はｎまたはｐ
型ＧａＯ，９ＬＡＩＯ，０ＩＡ８活性層、 （１５）は
Ｐ型Ｇａｐ、８＋ｌＡｌ０．４０１ｓ上側クフツり層、
（１６）はｎ型Ｑａｏ、６ｚＡｌｏ、５ｓＡａ電流ブロ
ツク層である。
この半導体レーザ装置は１回目のエピタキシャル成長に
より光導波層（１３）を含むいわゆるダブルへテロ接合
を形成した後、エツチングによりレーザ装置の端面付近
の活性層（１４）及び上側クラッド層（１５）を部分的
に除去して２回目のエピタキシアル成長により電流ブロ
ック層（１６）を埋め込んで完成されるものである。
より光導波層（１３）を含むいわゆるダブルへテロ接合
を形成した後、エツチングによりレーザ装置の端面付近
の活性層（１４）及び上側クラッド層（１５）を部分的
に除去して２回目のエピタキシアル成長により電流ブロ
ック層（１６）を埋め込んで完成されるものである。
このようにこの半導体レーザ装置Ｃ二おいては光出射端
面付近の活性層（１４）は除去されて活性層（１４）よ
りバンドギャップの広い電流ブロック層（１６） （二
より埋め込まれているためＣ：レーザ光に対しては透明
である、いわゆる窓となっている。そのためＡＩＧａＡ
Ｂ系レーザに特有な光出射端面におけるＣＯＤ （Ｃａ
ｔａａｔｒｏａｈｉｃ ０ｐｔｉｃａｌ ｄａｎａｇｏ
）による端面破壊を防止することが可能となり、熱的
な制約が顕著とはいえ、光最大出力８８ｍＷの高出力化
Ｃ；成功している。
面付近の活性層（１４）は除去されて活性層（１４）よ
りバンドギャップの広い電流ブロック層（１６） （二
より埋め込まれているためＣ：レーザ光に対しては透明
である、いわゆる窓となっている。そのためＡＩＧａＡ
Ｂ系レーザに特有な光出射端面におけるＣＯＤ （Ｃａ
ｔａａｔｒｏａｈｉｃ ０ｐｔｉｃａｌ ｄａｎａｇｏ
）による端面破壊を防止することが可能となり、熱的
な制約が顕著とはいえ、光最大出力８８ｍＷの高出力化
Ｃ；成功している。
このように端面部の埋め込みＣ二よる悪化は高出力化Ｃ
二とってきわめて有効な方法である。
二とってきわめて有効な方法である。
しかし、埋め込み窓の製作Ｃ二おいては１回目のエピタ
キシャル成長で成長したコンタクト層、上側クラッド層
、活性層の埋め込み窓部分をエツチングＣ二より制御性
よく開口する必要があり、特Ｃ二０、１μｍ程度の極め
て薄い厚さの活性層をエツチングして除去し、光導波Ｎ
を損わずに光導波層表面でエツチングを停止することが
極めて困薙な問題があった。
キシャル成長で成長したコンタクト層、上側クラッド層
、活性層の埋め込み窓部分をエツチングＣ二より制御性
よく開口する必要があり、特Ｃ二０、１μｍ程度の極め
て薄い厚さの活性層をエツチングして除去し、光導波Ｎ
を損わずに光導波層表面でエツチングを停止することが
極めて困薙な問題があった。
従来、ＡｌＡｓ 組ｆ＜ ｘ ＝ ０．３以上のＡＩＧ
ａＡａのエツチングには弗化水素酸が使われておｌ）
ＧａＡｓ活性層に対して選択性よく白組ｆＲｘλ０．３
の上側クラッド層をエツチングしてＧａＡａ活性層表面
でエツチングを止めることができた。亡の後、例えば過
酸化水素水：アンモニア水＝２０：ｌ（容積比）＆二よ
り０ａＡｓ活性層を選択的にエツチングしてＡｌＯ，２
５ＧａＱ、１ｌＡｓ光導波層を損わずにエツチングを止
めて埋め込み部の開口を行うことができた。しかし、活
性層を…Ｏ，１ＩＱａＯ，１Ｉ５Ａａとして短波長化す
ると弗化水素酸は紅へ４ＳＧａ０．５５Ａｓ ｌ二対し
ては１ ｐｒｎ／秒程度と極めてエツチング速度が速い
ことと、ＡＩＱＪ ＩＩ Ｇａζ８ＳＡａ活性層が０．
１μｍ程度と極めて薄い九めにＡｌＯ，４ａＱ５１ｑ５
１Ａｓ上側クフツド層とＡ１県！Ｇａ１５Ａｓ活性層と
の…劾組成差Ｃ：よるエツチング■選択性が有効でなく
なり、ＡｌＯ，ＩＳＧ戚８！ｌＡａ活性層表面でエツチ
ングを止めることができず紅Ｑ、１５Ｇａ（４８５ＡＢ
活性層をエツチングしてＡｌＯ，２［ａＯ，）５細光
導波層、Ａ１１Ｌ４ＳＧａｌｌ、！＋５Ａ８下側クフツ
ド層へもエツチングが及び制御性のよいエツチング開口
が不可能であつ九。
ａＡａのエツチングには弗化水素酸が使われておｌ）
ＧａＡｓ活性層に対して選択性よく白組ｆＲｘλ０．３
の上側クラッド層をエツチングしてＧａＡａ活性層表面
でエツチングを止めることができた。亡の後、例えば過
酸化水素水：アンモニア水＝２０：ｌ（容積比）＆二よ
り０ａＡｓ活性層を選択的にエツチングしてＡｌＯ，２
５ＧａＱ、１ｌＡｓ光導波層を損わずにエツチングを止
めて埋め込み部の開口を行うことができた。しかし、活
性層を…Ｏ，１ＩＱａＯ，１Ｉ５Ａａとして短波長化す
ると弗化水素酸は紅へ４ＳＧａ０．５５Ａｓ ｌ二対し
ては１ ｐｒｎ／秒程度と極めてエツチング速度が速い
ことと、ＡＩＱＪ ＩＩ Ｇａζ８ＳＡａ活性層が０．
１μｍ程度と極めて薄い九めにＡｌＯ，４ａＱ５１ｑ５
１Ａｓ上側クフツド層とＡ１県！Ｇａ１５Ａｓ活性層と
の…劾組成差Ｃ：よるエツチング■選択性が有効でなく
なり、ＡｌＯ，ＩＳＧ戚８！ｌＡａ活性層表面でエツチ
ングを止めることができず紅Ｑ、１５Ｇａ（４８５ＡＢ
活性層をエツチングしてＡｌＯ，２［ａＯ，）５細光
導波層、Ａ１１Ｌ４ＳＧａｌｌ、！＋５Ａ８下側クフツ
ド層へもエツチングが及び制御性のよいエツチング開口
が不可能であつ九。
この発明は上記の問題点に鑑みてなされたものでコンタ
クト層上側クラッド層、活性層をそれぞれの組成Ｃ二応
じたエツチング液ｌ：より順次選択的にエツチングして
光導波層を損わす５二制御性よく埋め込み窓となる部分
を開口することを目的とする。
クト層上側クラッド層、活性層をそれぞれの組成Ｃ二応
じたエツチング液ｌ：より順次選択的にエツチングして
光導波層を損わす５二制御性よく埋め込み窓となる部分
を開口することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段ｊ
この発明は上記目的を達成するためＣ二上側りフツド層
のエツチング５二は弗化水素酸と弗化アンモニウムの混
合液、活性層のエッチングには過酸化水素水と酒石酸の
混合液を用いて埋め込み窓となる部分を開口するもので
ある。
のエツチング５二は弗化水素酸と弗化アンモニウムの混
合液、活性層のエッチングには過酸化水素水と酒石酸の
混合液を用いて埋め込み窓となる部分を開口するもので
ある。
【作用］
弗化水素酸と弗化アンモニウムの混合液は混合比、弗化
水素酸：弗化アンモニウム＝３：ｌの場合Ａｌ（Ｌ４１
Ｋ）ａｏ、５１１Ａｓ（二対しては０．５μｍ／分程度
のエツチング速度を有するがＡＩｏ、ｌ５Ｏａ１１．８
１Ａａ！二対してはほとでどエツチング効果を持たない
ため、Ａ１０．４１Ｋ）ａｎ、５ｓＡｓ上側クフツり層
を数分間の比較的長い時間をかけておだやかに選択的（
ニエッチングしてＡへｘｓＱａｏ、１１５Ａ１３活性層
の表面でエツチングを停止することができる。
水素酸：弗化アンモニウム＝３：ｌの場合Ａｌ（Ｌ４１
Ｋ）ａｏ、５１１Ａｓ（二対しては０．５μｍ／分程度
のエツチング速度を有するがＡＩｏ、ｌ５Ｏａ１１．８
１Ａａ！二対してはほとでどエツチング効果を持たない
ため、Ａ１０．４１Ｋ）ａｎ、５ｓＡｓ上側クフツり層
を数分間の比較的長い時間をかけておだやかに選択的（
ニエッチングしてＡへｘｓＱａｏ、１１５Ａ１３活性層
の表面でエツチングを停止することができる。
過酸化水素水：酒石酸＝１２：ｌ混合液はＧａＡｓ、Ａ
ｌＯ，１５Ｇａ０．８ａＡｓ、７１１ｏ、ｕＧａｏ、７
５Ａｓｃ対してエツチング速度は亡れぞれ０．４． Ｏ
，ｌ 、 ０．０６ ｐｍ１分程程度あり、…劫組成比
が増加するとエツチング速度が低下する九め、…劾組成
が０．１５で厚さが０．１μｍの活性層を１分間でエツ
チングすると、直動組成比０．２５の光導波層をエツチ
ングすることなく活性層のみを選択的にエツチングする
ことができる。
ｌＯ，１５Ｇａ０．８ａＡｓ、７１１ｏ、ｕＧａｏ、７
５Ａｓｃ対してエツチング速度は亡れぞれ０．４． Ｏ
，ｌ 、 ０．０６ ｐｍ１分程程度あり、…劫組成比
が増加するとエツチング速度が低下する九め、…劾組成
が０．１５で厚さが０．１μｍの活性層を１分間でエツ
チングすると、直動組成比０．２５の光導波層をエツチ
ングすることなく活性層のみを選択的にエツチングする
ことができる。
〔発明の実施例ｊ
以下、この発明を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例による窓構造の形成工程を
示す図である。図において（１）はｐ型ＧａＡｓ基板、
（２）はｐ型Ａ１０．４１ＧａＯ１ｓｓ）、Ｂ下側り？
’７ド層、（３）はｐ型Ａ１０．２５ＱＢ０．７１Ａ８
光導波層、（４）はｐ型Ａ１１Ｌ１１ａｆ１．１１１４
活性層、（５）はｎ型ＡＩＱ、４ＳＧａ０．５５Ａｓ上
側クフツド層、（６）は口型ＧａＡｓコンタクト層、（
７）はＡ１０．４６Ｇａ（ＬＳＩＡａ層、（８）はｎ側
ＩＩ ｆｆｉ 、（９）はフォトレジスト膜である。
示す図である。図において（１）はｐ型ＧａＡｓ基板、
（２）はｐ型Ａ１０．４１ＧａＯ１ｓｓ）、Ｂ下側り？
’７ド層、（３）はｐ型Ａ１０．２５ＱＢ０．７１Ａ８
光導波層、（４）はｐ型Ａ１１Ｌ１１ａｆ１．１１１４
活性層、（５）はｎ型ＡＩＱ、４ＳＧａ０．５５Ａｓ上
側クフツド層、（６）は口型ＧａＡｓコンタクト層、（
７）はＡ１０．４６Ｇａ（ＬＳＩＡａ層、（８）はｎ側
ＩＩ ｆｆｉ 、（９）はフォトレジスト膜である。
まず、第１図（５Ｌ）のよう（二写真製版によレフオド
レジストに埋め込み窓のパターンを形成し、次（二第１
図（ｂ）のようＣ：フォトレジスト膜をマスクトシて口
型ＧａＡｓコンタクト層（６）を過酸化水素水：アンモ
ニア水＝２０：ｌ混合液でエツチングするとｎ型ＡｌＯ
，４ＢＧａ０．５５Ａ９上側クヲッド層の表面でエツチ
ングが停止する。
レジストに埋め込み窓のパターンを形成し、次（二第１
図（ｂ）のようＣ：フォトレジスト膜をマスクトシて口
型ＧａＡｓコンタクト層（６）を過酸化水素水：アンモ
ニア水＝２０：ｌ混合液でエツチングするとｎ型ＡｌＯ
，４ＢＧａ０．５５Ａ９上側クヲッド層の表面でエツチ
ングが停止する。
次に第１図（（１）のようにフォトレジスト膜を除去し
九後、ｎ型ＧａＡｓコンタクト、１（６）をマスクとし
て弗化水素酸：弗化アシ上ニウム−３＝１混合液にょ９
！Ｉ型Ａ１０．４５Ｑｑ０．５５Ａ８上側クフツド層（
５）を層厚に要する所定の時間でエツチングしｐ型ＡＩ
０．１５Ｇｉ０．８５Ａｓ活性Ｎ（４）の表面でエツチ
ングを停止する。
九後、ｎ型ＧａＡｓコンタクト、１（６）をマスクとし
て弗化水素酸：弗化アシ上ニウム−３＝１混合液にょ９
！Ｉ型Ａ１０．４５Ｑｑ０．５５Ａ８上側クフツド層（
５）を層厚に要する所定の時間でエツチングしｐ型ＡＩ
０．１５Ｇｉ０．８５Ａｓ活性Ｎ（４）の表面でエツチ
ングを停止する。
さらに第１図（ｄ）のように追酸化水素水：酒石酸＝１
２：ｌ混合液でｐ型ＡＩ０．１５Ｇ訊８１ＳＡＢ活性Ｎ
ｊ （４）を層厚に要する所定の時間でエツチングしｐ
型ＡＩ０．２ＳＧａＯ，７５Ａｓ光導波層（３）の表面
でエツチングを停止する。
２：ｌ混合液でｐ型ＡＩ０．１５Ｇ訊８１ＳＡＢ活性Ｎ
ｊ （４）を層厚に要する所定の時間でエツチングしｐ
型ＡＩ０．２ＳＧａＯ，７５Ａｓ光導波層（３）の表面
でエツチングを停止する。
この時、例えばＯ０１μｍ厚の活性層とすると１分間の
エツチング時間を要するが口型ＧａＡｓコンタクト層（
６）の厚さをあらかじめ０．８μｍ程度にしておけば第
１図（ｃ）においてＡ１．０．４幻ａ０．５ｓＡ３ｓ側
クラッド層のアンダーエツチングで発生したひさし状の
迫型ＧａＡ。
エツチング時間を要するが口型ＧａＡｓコンタクト層（
６）の厚さをあらかじめ０．８μｍ程度にしておけば第
１図（ｃ）においてＡ１．０．４幻ａ０．５ｓＡ３ｓ側
クラッド層のアンダーエツチングで発生したひさし状の
迫型ＧａＡ。
コンタクト層（６）は上側表面とｎ型Ａ１１ＳＧａ０．
５ＳＡａ上側クラツドＮ（５）とに接していた面の両面
からエツチングが行われるため第１図（ｄ）のように消
失させることができる。
５ＳＡａ上側クラツドＮ（５）とに接していた面の両面
からエツチングが行われるため第１図（ｄ）のように消
失させることができる。
最後に第１図（６）のように開口部分をＡ１０４ＳＧａ
Ｑ ５８ＡｓＭｌ（７）で埋め込んでへき開を施すとｐ
型ＡｌＯ，ＩＩＱａｏ、８５Ａ８活性層（４）に対しバ
ンドギャップの広いＡｌｎ、４８ＧａＯ，５５ＡｓＪｉ
ｇ（７）を持った窓構造の端面が完成する。
Ｑ ５８ＡｓＭｌ（７）で埋め込んでへき開を施すとｐ
型ＡｌＯ，ＩＩＱａｏ、８５Ａ８活性層（４）に対しバ
ンドギャップの広いＡｌｎ、４８ＧａＯ，５５ＡｓＪｉ
ｇ（７）を持った窓構造の端面が完成する。
［発明の幼果ｊ
以上のように、こＯ発明ではエツチングすべき層７）Ａ
ＬＡｓ組成比に応じｔエッチング液を採用することによ
ゆわずかなＡＬＡａ組成の逮いＣ：対しても選択的なエ
ツチングがｃＴ能となり制御性よくエツチング開口を得
ることができるので埋め込み窓を有する高出力レーザ装
置が安定して得ることができる。
ＬＡｓ組成比に応じｔエッチング液を採用することによ
ゆわずかなＡＬＡａ組成の逮いＣ：対しても選択的なエ
ツチングがｃＴ能となり制御性よくエツチング開口を得
ることができるので埋め込み窓を有する高出力レーザ装
置が安定して得ることができる。
８ Ｂ Ａ （５ｅｌｆ ＨＬｉｙｎｅｄ ａｔｒｗｔ
ｗｅ ｗｉｔｈ Ｂｅｎｔ Ａ。
ｗｅ ｗｉｔｈ Ｂｅｎｔ Ａ。
ｔｉｖｅ １ａｙｅｒ）レーザＣ：こＤ発明を適用して
埋め込み窓構造化したところ窓構造のない通常のＳＢＡ
レーザの最大光出力が２０ｍＷ程度であったＤｉ二対し
６０ｍＷ程度まで向上することができ九。
埋め込み窓構造化したところ窓構造のない通常のＳＢＡ
レーザの最大光出力が２０ｍＷ程度であったＤｉ二対し
６０ｍＷ程度まで向上することができ九。
第１図（ｍｌ−（ｅ）はこの発Ｆ！Ａの一実施例１：よ
る窓構造の形成工程を示す図、第２図は従来の埋込み成
長により形成され丸窓構造を有する半導体レーザの構造
を示す図である。 （１）はｐ型ＧａＡａ基板、（２）はｐ型７ｕＯ，４８
Ｇ＠Ｑ、Ｈ５劾下側クフツド層、（３）はｐ型社へ２幻
ａｏ、ｓｓ劾先光導波層（４）はｐ型Ａ１１’Ｌ１１１
ＧａＡ８１１Ａａ活性層、（５）はΩ型Ａ１０．４５Ｇ
ａＯ，５５Ａｓ上側クフツド層、（６）はＤ型ＧａＡｓ
コンタクトＪｉｆｆ 、（７）はＡｌｆＬ ４５Ｇａ０
．５ＳＡＢ層、（８）はｎ側型４ｔ 、（９）はフォト
レジスト膜である。
る窓構造の形成工程を示す図、第２図は従来の埋込み成
長により形成され丸窓構造を有する半導体レーザの構造
を示す図である。 （１）はｐ型ＧａＡａ基板、（２）はｐ型７ｕＯ，４８
Ｇ＠Ｑ、Ｈ５劾下側クフツド層、（３）はｐ型社へ２幻
ａｏ、ｓｓ劾先光導波層（４）はｐ型Ａ１１’Ｌ１１１
ＧａＡ８１１Ａａ活性層、（５）はΩ型Ａ１０．４５Ｇ
ａＯ，５５Ａｓ上側クフツド層、（６）はＤ型ＧａＡｓ
コンタクトＪｉｆｆ 、（７）はＡｌｆＬ ４５Ｇａ０
．５ＳＡＢ層、（８）はｎ側型４ｔ 、（９）はフォト
レジスト膜である。
Claims (1)
- 基板上に、ＡｌＧａＡｓ下側クラツド層、ＡｌＧａＡ
ｓ活性層、ＡｌＧａＡｓ上側クラツド層、ＧａＡｓコン
タクト層を形成する工程と、フォトレジスト膜あるいは
絶縁膜をマスクとして上記ＧａＡｓコンタクト層を選択
的にエッチングする工程と、上記ＧａＡｓコンタクト層
をマスクとしてＧａＡｓコンタクト層が取り除かれて上
記ＡｌＧａＡｓ上側クラツド層が露出している表面より
上記ＡｌＧａＡｓ上側クラツド層を選択的にエッチング
する工程と、上記ＡｌＧａＡｓ上側クラツド層が取り除
かれて上記ＡｌＧａＡｓ活性層が露出している表面より
上記ＡｌＧａＡｓ活性層を選択的、エツチングすると同
時に上記ＡｌＧａＡｓ上側クラツド層をエッチングする
際に生じたひさし状の上記ＧａＡｓコンタクト層をエッ
チングにより除去する工程と、エッチングにより露出し
た上記ＡｌＧａＡｓ上側クラツド層と上記ＡｌＧａＡｓ
活性層上に上記ＡｌＧａＡｓ活性層よりバンドギヤツプ
の大きいＡｌＧａＡｓ窓層を形成する工程と、上記Ａｌ
ＧａＡｓ窓層に出射端面を形成する工程を備えた半導体
レーザ装置の製造方法において、ＡｌＧａＡｓ上側クラ
ツド層の選択的エッチングには弗化水素酸と弗化アンモ
ニウムの混合液、ＡｌＧａＡｓ活性層の選択的エッチン
グには酒石酸と過酸化水素水の混合液を使用することを
特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25861887A JPH0199276A (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25861887A JPH0199276A (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0199276A true JPH0199276A (ja) | 1989-04-18 |
Family
ID=17322780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25861887A Pending JPH0199276A (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0199276A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5110765A (en) * | 1990-11-30 | 1992-05-05 | At&T Bell Laboratories | Selective etch for GaAs-containing group III-V compounds |
| US6737288B2 (en) | 2001-05-24 | 2004-05-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for fabricating a semiconductor device |
| JP2006351965A (ja) * | 2005-06-17 | 2006-12-28 | Sony Corp | 曲面形成方法および半導体発光素子 |
-
1987
- 1987-10-13 JP JP25861887A patent/JPH0199276A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5110765A (en) * | 1990-11-30 | 1992-05-05 | At&T Bell Laboratories | Selective etch for GaAs-containing group III-V compounds |
| US6737288B2 (en) | 2001-05-24 | 2004-05-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for fabricating a semiconductor device |
| JP2006351965A (ja) * | 2005-06-17 | 2006-12-28 | Sony Corp | 曲面形成方法および半導体発光素子 |
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