JPH03126284A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
- Publication number
- JPH03126284A JPH03126284A JP26565289A JP26565289A JPH03126284A JP H03126284 A JPH03126284 A JP H03126284A JP 26565289 A JP26565289 A JP 26565289A JP 26565289 A JP26565289 A JP 26565289A JP H03126284 A JPH03126284 A JP H03126284A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor
- window region
- film
- active layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 10
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 230000007017 scission Effects 0.000 abstract description 7
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 9
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、共振器端面の劣化を防止した半導体レーザに
関する。
関する。
［従来の技術］
第４図（ａ）〜（Ｃ）は従来の技術により製造したウィ
ンド型半導体レーザの（ａ）主要断面図、（ｂ）正面図
、及び（Ｃ）上視図である。（４０２）ｎ型ＧａＡｓ基
板上に、（４０３）ｎ型ＧａＡｓバッファ層、 （４０
４）ｎ型Ａ ｌ １１．ＪＧ ａ ９．６Ａｓクラフト
層、（４０９）Ａｌａ、＋５Ｇａｓ、５５ＡＳ活性層、
（４０５）ｌ）型Ａ Ｉ ｅ、ａＧ ａ ｅ、ｅＡ
ｓクラッド層、 （４０６）Ｉ）型ＧａＡｓコンタクト
層を順次ＭＯＣＶＤ法で積層形成する。活性層を形成す
るときには、へき開面近傍に紫外光を照射する。光照射
部ではＭＯＣＶＤ法の■族原料であるＴＭＧ（トリメチ
ルガリウム）、ＴＭＡ（１−リメチルアルミニウム）等
の有機金属の分解効率が非照射部と異なるため、へき開
面近傍のみにアルミ−’ｌム含有料の多い（４１０）
Ａ ｌ １１．２Ｇ ａＢ、ＢＡＳウィンド領域が形成
できる。半導体層を成長後、成長温度を２５０℃に下げ
、キャリアガスとＴＭＡのみを流しウィンド領域上に光
照射する。ＴＭＡは２５０°Ｃでは、はとんど熱分解し
ないので光照射部のみＴＭＡの光分解により（４１２）
Ａｌ膜が堆積する。しかる後エツチング工程により逆メ
サ状のリブを形成し、再びＭＯＣＶＤ法により（４１４
）ＺｎＳｅ層を成長しリブ脇を埋め込む。
ンド型半導体レーザの（ａ）主要断面図、（ｂ）正面図
、及び（Ｃ）上視図である。（４０２）ｎ型ＧａＡｓ基
板上に、（４０３）ｎ型ＧａＡｓバッファ層、 （４０
４）ｎ型Ａ ｌ １１．ＪＧ ａ ９．６Ａｓクラフト
層、（４０９）Ａｌａ、＋５Ｇａｓ、５５ＡＳ活性層、
（４０５）ｌ）型Ａ Ｉ ｅ、ａＧ ａ ｅ、ｅＡ
ｓクラッド層、 （４０６）Ｉ）型ＧａＡｓコンタクト
層を順次ＭＯＣＶＤ法で積層形成する。活性層を形成す
るときには、へき開面近傍に紫外光を照射する。光照射
部ではＭＯＣＶＤ法の■族原料であるＴＭＧ（トリメチ
ルガリウム）、ＴＭＡ（１−リメチルアルミニウム）等
の有機金属の分解効率が非照射部と異なるため、へき開
面近傍のみにアルミ−’ｌム含有料の多い（４１０）
Ａ ｌ １１．２Ｇ ａＢ、ＢＡＳウィンド領域が形成
できる。半導体層を成長後、成長温度を２５０℃に下げ
、キャリアガスとＴＭＡのみを流しウィンド領域上に光
照射する。ＴＭＡは２５０°Ｃでは、はとんど熱分解し
ないので光照射部のみＴＭＡの光分解により（４１２）
Ａｌ膜が堆積する。しかる後エツチング工程により逆メ
サ状のリブを形成し、再びＭＯＣＶＤ法により（４１４
）ＺｎＳｅ層を成長しリブ脇を埋め込む。
さらに熱ＣＶＤ法により（４０７）ＳｉＯ２層を形成し
、メサ上をストライブ状にエツチングしてから（４０８
）ｐ型オーミック電極を蒸着する。
、メサ上をストライブ状にエツチングしてから（４０８
）ｐ型オーミック電極を蒸着する。
（４０２）基板側にも（４０１）ｎ型オーミック電極を
蒸着形成する。上記のように製造した半導体レーザウェ
ハを（４１３）膜厚の厚い領域を目印にへき開すれば屈
折率導波型の半導体レーザが得られる。
蒸着形成する。上記のように製造した半導体レーザウェ
ハを（４１３）膜厚の厚い領域を目印にへき開すれば屈
折率導波型の半導体レーザが得られる。
［発明が解決しようとする課題］
前述の従来の技術に於てＡｔ膜は半導体レーザウェハを
ウィンド領域で確実にへき関するための目印の役割を果
たすものであるが、上記のような屈折率導波型の半導体
レーザでは埋め込み成長を行うため、最終的に残るＡ１
膜はリブ上部の数μｍ幅の微少なストライブ領域のみで
ある。従って実際には、この領域を判別することが非常
に難しい。そこで本発明はこのような問題点を解決する
もので、その目的とするところは、半導体ウェハ中のウ
ィンド領域の位置を正確にかつ簡単に判別できる製造方
法を提供するところにある。
ウィンド領域で確実にへき関するための目印の役割を果
たすものであるが、上記のような屈折率導波型の半導体
レーザでは埋め込み成長を行うため、最終的に残るＡ１
膜はリブ上部の数μｍ幅の微少なストライブ領域のみで
ある。従って実際には、この領域を判別することが非常
に難しい。そこで本発明はこのような問題点を解決する
もので、その目的とするところは、半導体ウェハ中のウ
ィンド領域の位置を正確にかつ簡単に判別できる製造方
法を提供するところにある。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決するために本発明の半導体レーザの製造
方法は、半導体基板上に半導体下部クラッド層、半導体
活性層、半導体上部クラッド層を有し、該活性層の共振
器端面近傍には該活性層のパッドギャップより大なるパ
ッドギャップを有するウィンド領域を有し、該ウィンド
領域の上部半導体層上にアルミニウム層を有するウィン
ド型半導体レーザに於て、該アルミニウム層の表面を酸
化する工程を含むことを特徴とする。
方法は、半導体基板上に半導体下部クラッド層、半導体
活性層、半導体上部クラッド層を有し、該活性層の共振
器端面近傍には該活性層のパッドギャップより大なるパ
ッドギャップを有するウィンド領域を有し、該ウィンド
領域の上部半導体層上にアルミニウム層を有するウィン
ド型半導体レーザに於て、該アルミニウム層の表面を酸
化する工程を含むことを特徴とする。
［実 施 例］
第１図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施例に於けるウィ
ンド型半導体レーザの（ａ）上視図、 （ｂ）側面図、
（ｃ）Ｃ−Ｃ’断面図、及び（ｄ）Ｄ−Ｄ’断面図で
ある。（ｉ０２）ｎ型ＧａＡｓ基板上に、 （１０３）
ｎ型ＧａＡｓバッファ層〜（１０４）ｎ型Ａ Ｉ １１
．ＪＧ ａ １１．６Ａ ｓクラッド層、（１０９）
Ａ １１！、ＩＳＧ ａ ｓ、ｓｓＡ ｓ活性層、
（１０５）ｐ型Ａ ｌ １１．４Ｇ ａ ｓ、ｓＡ ｓ
クラッド層、 （１０６）ｐ型ＧａＡｓ＝＋ンタクト層
を順次ＭＯＣＶＤ法で積層形成する。活性層を形成する
ときには、へき開面近傍に紫外光を照射する。光照射部
ではＭＯＣＶＤ法の■族原料であるＴＭＧ（）リメチル
カリウム）、及びＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）等
の有機金属の分解効率が非照射部と異なルタメ、へき開
面近傍のみにアルミニウム含有料の多い（１１０） Ａ
Ｉ Ｉｌ、２Ｇ ａ ＠、ｓＡ ｓウィンド領域が形
成できる。半導体層を成長後、成長温度を２５０℃に下
げ、キャリアガスとＴＭＡのみを流しウィンド領域上に
光照射する。ＴＭＡは２５０℃では、はとんど熱分解し
ないので光照射部のみＴＭＡの光分解により（１１２）
Ａｔ膜が堆積する。しかる後、酸素雰囲気中で熱処理し
Ａｔ膜表面を酸化し酸化膜（Ａｌ２Ｏ２）を形成し不動
態化する。さらにフォト工程とエツチング工程により逆
メサ状のリブを形成する。その際、Ａｔ膜は不動態とな
っているため、エツチングの際もこの領域はエツチング
されずＡｔ膜のない部分にのみ逆メサ状のリブが形成さ
れる。再びＭＯＣＶＤ法により（１１４）ＺｎＳｅ層を
成長しリブ脇を埋め込む。さらに熱ＣＶＤ法で（１０７
）ＳｉＯ２層を形成し、メサ上をストライブ状にエツチ
ングしてから（１０８）１）型オーミック電極を蒸着す
る。
ンド型半導体レーザの（ａ）上視図、 （ｂ）側面図、
（ｃ）Ｃ−Ｃ’断面図、及び（ｄ）Ｄ−Ｄ’断面図で
ある。（ｉ０２）ｎ型ＧａＡｓ基板上に、 （１０３）
ｎ型ＧａＡｓバッファ層〜（１０４）ｎ型Ａ Ｉ １１
．ＪＧ ａ １１．６Ａ ｓクラッド層、（１０９）
Ａ １１！、ＩＳＧ ａ ｓ、ｓｓＡ ｓ活性層、
（１０５）ｐ型Ａ ｌ １１．４Ｇ ａ ｓ、ｓＡ ｓ
クラッド層、 （１０６）ｐ型ＧａＡｓ＝＋ンタクト層
を順次ＭＯＣＶＤ法で積層形成する。活性層を形成する
ときには、へき開面近傍に紫外光を照射する。光照射部
ではＭＯＣＶＤ法の■族原料であるＴＭＧ（）リメチル
カリウム）、及びＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）等
の有機金属の分解効率が非照射部と異なルタメ、へき開
面近傍のみにアルミニウム含有料の多い（１１０） Ａ
Ｉ Ｉｌ、２Ｇ ａ ＠、ｓＡ ｓウィンド領域が形
成できる。半導体層を成長後、成長温度を２５０℃に下
げ、キャリアガスとＴＭＡのみを流しウィンド領域上に
光照射する。ＴＭＡは２５０℃では、はとんど熱分解し
ないので光照射部のみＴＭＡの光分解により（１１２）
Ａｔ膜が堆積する。しかる後、酸素雰囲気中で熱処理し
Ａｔ膜表面を酸化し酸化膜（Ａｌ２Ｏ２）を形成し不動
態化する。さらにフォト工程とエツチング工程により逆
メサ状のリブを形成する。その際、Ａｔ膜は不動態とな
っているため、エツチングの際もこの領域はエツチング
されずＡｔ膜のない部分にのみ逆メサ状のリブが形成さ
れる。再びＭＯＣＶＤ法により（１１４）ＺｎＳｅ層を
成長しリブ脇を埋め込む。さらに熱ＣＶＤ法で（１０７
）ＳｉＯ２層を形成し、メサ上をストライブ状にエツチ
ングしてから（１０８）１）型オーミック電極を蒸着す
る。
（１０２）基板側にも（１０１）ｎ型オーミック電極を
蒸着形成する。上記のように製造したへき開面の半導体
レーザウェハの上視図を第２図に示す。第２図中の破線
で区切られた部分が一つのレーザに相当する。半導体レ
ーザウェハはウィンド領域上部で表面状態が異なるため
外観でウィンド領域を簡単に判別できる。ウェハ内で隣
あうレーザの境界即ち（２０１）Ａｔ膜の上部領域でへ
き関すればレーザが横一列に並んだレーザバーが得られ
る。さらにレーザバーを個々にへき関し屈折率導波型の
ウィンド型半導体レーザが得られる。
蒸着形成する。上記のように製造したへき開面の半導体
レーザウェハの上視図を第２図に示す。第２図中の破線
で区切られた部分が一つのレーザに相当する。半導体レ
ーザウェハはウィンド領域上部で表面状態が異なるため
外観でウィンド領域を簡単に判別できる。ウェハ内で隣
あうレーザの境界即ち（２０１）Ａｔ膜の上部領域でへ
き関すればレーザが横一列に並んだレーザバーが得られ
る。さらにレーザバーを個々にへき関し屈折率導波型の
ウィンド型半導体レーザが得られる。
また表面が不動態化したＡＩ膜はウィンド領域に電流が
流れることを防ぎ、レーザ発振に寄与しない無効電流を
抑制し、低しきい値発振が可能となる。
流れることを防ぎ、レーザ発振に寄与しない無効電流を
抑制し、低しきい値発振が可能となる。
第３図に本発明の実施例に於けるＭＯＣＶＤ装置の主要
構成図を示す。（３０９）の原料ガス導入系から（３１
０）の反応管中に原料ガスを入れ、（３１１）の加熱さ
れた基板上に流して化合物半導体薄膜を成長する。ウィ
ンド領域の形成には、活性層成長中に、 （３０１）の
エキシマレーザからの紫外光を、 （３０２）のシリン
ドリカルレンズで整形して（３０３）のミラーで反射さ
せ（３０４）、 （３０５）の合成石英レンズで平行ビ
ームとする。 （３０６）のストライブパターンを形成
したマスクを通し、 （３０７）の縮小レンズで基板上
にストライブパターンの焦点を結ばせる。
構成図を示す。（３０９）の原料ガス導入系から（３１
０）の反応管中に原料ガスを入れ、（３１１）の加熱さ
れた基板上に流して化合物半導体薄膜を成長する。ウィ
ンド領域の形成には、活性層成長中に、 （３０１）の
エキシマレーザからの紫外光を、 （３０２）のシリン
ドリカルレンズで整形して（３０３）のミラーで反射さ
せ（３０４）、 （３０５）の合成石英レンズで平行ビ
ームとする。 （３０６）のストライブパターンを形成
したマスクを通し、 （３０７）の縮小レンズで基板上
にストライブパターンの焦点を結ばせる。
［発明の効果コ
以上述べたように本発明によれば、以下のような効果を
有する。ウィンド領域上部のＡＩ膜の表面を酸化処理す
ることにより、ＡＩ膜が全工程後も大きく残るため、埋
め込み構造の半導体レーザに於いてもウィンド領域の位
置が容易に外観で判別され、へき開できる。またＡＩ膜
を残す手段としては、レジスト等によりＡＩ膜にマスク
をしてエツチングをする方法も考えられるが、本発明に
よればＡＩ膜の表面のみ酸化すれば良く、非常に簡単で
わずかな工程数の増加にとどまり歩留まりの低下はない
上に、へき開工程での歩留まりの大きな向上が実現でき
る。また表面が不動態化したＡＩ膜はウィンド領域に電
流が流れることを防ぎ、レーザ発振に寄与しない無効電
流を抑制し、低しきい値発振が可能となる。したがって
最大光出力の大きい長寿命の半導体レーザを簡単にかつ
低コストで供給できる。
有する。ウィンド領域上部のＡＩ膜の表面を酸化処理す
ることにより、ＡＩ膜が全工程後も大きく残るため、埋
め込み構造の半導体レーザに於いてもウィンド領域の位
置が容易に外観で判別され、へき開できる。またＡＩ膜
を残す手段としては、レジスト等によりＡＩ膜にマスク
をしてエツチングをする方法も考えられるが、本発明に
よればＡＩ膜の表面のみ酸化すれば良く、非常に簡単で
わずかな工程数の増加にとどまり歩留まりの低下はない
上に、へき開工程での歩留まりの大きな向上が実現でき
る。また表面が不動態化したＡＩ膜はウィンド領域に電
流が流れることを防ぎ、レーザ発振に寄与しない無効電
流を抑制し、低しきい値発振が可能となる。したがって
最大光出力の大きい長寿命の半導体レーザを簡単にかつ
低コストで供給できる。
第１図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施例に於けるウィ
ンド型半導体レーザの（ａ）上視図、 （ｂ）側面図、
（ｃ）Ｃ−Ｃ’断面図、及び（ｄ）Ｄ−Ｄ’断面図。 第２図は、本発明の実施例に於けるへき開削の半導体レ
ーザウェハの上視図。 第３図は、本発明の実施例に於けるＭＯＣＶＤ装置の主
要構成図。 第４図（ａ）〜（Ｃ）は、従来の技術により製造したウ
ィンド型半導体レーザの（ａ）主要断面図、 （ｂ）正
面図、及び（Ｃ）上視図。 （１０１）（４０１） ・−−ｎ型オーミック電極（
１０２）（４０２） ・−−ｎ型ＧａＡｓ基板（１０３
） （４０３）・・・ ｎ型ＧａＡｓバッファ層 （１０４）（４０４）・・・ ｎ型Ａ １ Ｂ、ａＧ ａ ６．６Ａ ｓクラッド層（
１０５）（４０５）・・・ ｐ型Ａ ｌ ｔａ、ａＧ ａ ｌＩ、６Ａ ｓクラッド
層（１０６）（４０６）・・・ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 （１０７）（４０７）・・・５Ｉ０２層（１０８）
（４０８） ・・・ｐ型オーミック電極（１０９） （１１０） （１１２） （１１４） （４１１） （４１３） （２０１） （３０１） （３０２） （３０３’） （３０４） （３０６） （３０７） （３０８） （３０９） （３１０） （３１１） （３１２） （４０９） ・ ・ ・ Ａ １ ｅ、＋ｓＧ ａ ｅ、ｅｓＡ ｓ活性層（４１
０） ・ ・ ・ Ａ Ｉ ＠、２Ｇ ａ ａ、ｓＡ ｓ ウィンド領域（
４１２）・・・ＡＩ膜 （４１４）・・・Ｚｎ５ｅ層 ・・・・・・・レーザ光 ・・・・・膜厚の厚い領域 ・・・・・・・ＡＩ膜の上部領域 ・・・・・・・エキシマレーザ ・・・・・・・シリンドリカルレンズ Ｉ・・・・−ミラー （３０５）・・合成石英レンズ ｌ・―ｌ・マスク ・・・・・・・縮小レンズ ・・・・・・・高周波発振器 ・・・・・・原料ガス導入系 ・・・・反応管 ・・・・・・基板 ・・・・・ガス排気系 （ａ） Ｃｂ） （０） （ａン ０ｊ 属 図 （０〕 箋 図
ンド型半導体レーザの（ａ）上視図、 （ｂ）側面図、
（ｃ）Ｃ−Ｃ’断面図、及び（ｄ）Ｄ−Ｄ’断面図。 第２図は、本発明の実施例に於けるへき開削の半導体レ
ーザウェハの上視図。 第３図は、本発明の実施例に於けるＭＯＣＶＤ装置の主
要構成図。 第４図（ａ）〜（Ｃ）は、従来の技術により製造したウ
ィンド型半導体レーザの（ａ）主要断面図、 （ｂ）正
面図、及び（Ｃ）上視図。 （１０１）（４０１） ・−−ｎ型オーミック電極（
１０２）（４０２） ・−−ｎ型ＧａＡｓ基板（１０３
） （４０３）・・・ ｎ型ＧａＡｓバッファ層 （１０４）（４０４）・・・ ｎ型Ａ １ Ｂ、ａＧ ａ ６．６Ａ ｓクラッド層（
１０５）（４０５）・・・ ｐ型Ａ ｌ ｔａ、ａＧ ａ ｌＩ、６Ａ ｓクラッド
層（１０６）（４０６）・・・ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 （１０７）（４０７）・・・５Ｉ０２層（１０８）
（４０８） ・・・ｐ型オーミック電極（１０９） （１１０） （１１２） （１１４） （４１１） （４１３） （２０１） （３０１） （３０２） （３０３’） （３０４） （３０６） （３０７） （３０８） （３０９） （３１０） （３１１） （３１２） （４０９） ・ ・ ・ Ａ １ ｅ、＋ｓＧ ａ ｅ、ｅｓＡ ｓ活性層（４１
０） ・ ・ ・ Ａ Ｉ ＠、２Ｇ ａ ａ、ｓＡ ｓ ウィンド領域（
４１２）・・・ＡＩ膜 （４１４）・・・Ｚｎ５ｅ層 ・・・・・・・レーザ光 ・・・・・膜厚の厚い領域 ・・・・・・・ＡＩ膜の上部領域 ・・・・・・・エキシマレーザ ・・・・・・・シリンドリカルレンズ Ｉ・・・・−ミラー （３０５）・・合成石英レンズ ｌ・―ｌ・マスク ・・・・・・・縮小レンズ ・・・・・・・高周波発振器 ・・・・・・原料ガス導入系 ・・・・反応管 ・・・・・・基板 ・・・・・ガス排気系 （ａ） Ｃｂ） （０） （ａン ０ｊ 属 図 （０〕 箋 図
Claims (1)
- 半導体基板上に半導体下部クラッド層、半導体活性層、
半導体上部クラッド層を有し、該活性層の共振器端面近
傍には該活性層のパッドギャップより大なるパッドギャ
ップを有するウインド領域を有し、該ウインド領域の上
部半導体層上にアルミニウム層を有するウインド型半導
体レーザに於て、該アルミニウム層の表面を酸化する工
程を含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26565289A JPH03126284A (ja) | 1989-10-12 | 1989-10-12 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26565289A JPH03126284A (ja) | 1989-10-12 | 1989-10-12 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03126284A true JPH03126284A (ja) | 1991-05-29 |
Family
ID=17420112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26565289A Pending JPH03126284A (ja) | 1989-10-12 | 1989-10-12 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03126284A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010058805A1 (en) * | 2008-11-20 | 2010-05-27 | Ricoh Company, Ltd. | Manufacturing method, surface-emitting laser device, surface-emitting laser array, optical scanner, and image forming apparatus |
| JP2010136858A (ja) * | 2008-12-11 | 2010-06-24 | Kiyoaki Hashimoto | 物干し装置およびサッシ |
-
1989
- 1989-10-12 JP JP26565289A patent/JPH03126284A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010058805A1 (en) * | 2008-11-20 | 2010-05-27 | Ricoh Company, Ltd. | Manufacturing method, surface-emitting laser device, surface-emitting laser array, optical scanner, and image forming apparatus |
| JP2010267946A (ja) * | 2008-11-20 | 2010-11-25 | Ricoh Co Ltd | 製造方法、面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 |
| US8416822B2 (en) | 2008-11-20 | 2013-04-09 | Ricoh Company, Ltd. | Manufacturing method, surface-emitting laser device, surface-emitting laser array, optical scanner, and image forming apparatus |
| US8630325B2 (en) | 2008-11-20 | 2014-01-14 | Ricoh Company, Ltd. | Manufacturing method, surface-emitting laser device, surface-emitting laser array, optical scanner, and image forming apparatus |
| JP2010136858A (ja) * | 2008-12-11 | 2010-06-24 | Kiyoaki Hashimoto | 物干し装置およびサッシ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003283052A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH03126284A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH0821756B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP2687495B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH0548215A (ja) | 半導体レーザダイオードおよびその製造方法 | |
| JP2679057B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| KR100261238B1 (ko) | 레이저 다이오드의 제조방법 | |
| JPH0271574A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JP2545233B2 (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JP2629194B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| KR940004426B1 (ko) | 리지 웨이브 가이드 레이저 다이오드의 제조방법 | |
| JP3205589B2 (ja) | 半導体薄膜の成長方法 | |
| JPH0199276A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JPS61276390A (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| JPS61216375A (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| KR950012885A (ko) | 반도체 레이저 다이오드 및 이의 제조방법 | |
| JPS61187388A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPS63187A (ja) | 半導体レ−ザ及びその製造方法 | |
| KR100390394B1 (ko) | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 | |
| JPH02240988A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH05251825A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPS649753B2 (ja) | ||
| KR970018882A (ko) | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 | |
| JPH04106991A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH0330487A (ja) | 半導体レーザとその製造方法 |