JPH02253683A - AlGaAsレーザ - Google Patents
AlGaAsレーザInfo
- Publication number
- JPH02253683A JPH02253683A JP7570789A JP7570789A JPH02253683A JP H02253683 A JPH02253683 A JP H02253683A JP 7570789 A JP7570789 A JP 7570789A JP 7570789 A JP7570789 A JP 7570789A JP H02253683 A JPH02253683 A JP H02253683A
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- JP
- Japan
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- layer
- diffraction grating
- gaas
- conductivity type
- laser
- Prior art date
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- Pending
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- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、回折格子を備えたAlGaAsレーザに係
り、特にその再現性とレーザ特性の向上をはかったAl
GaAsレーザに関するものである。
り、特にその再現性とレーザ特性の向上をはかったAl
GaAsレーザに関するものである。
第2図は従来のAILGaAsDFBレーザを示す断面
図であり、1は第1導電型のGaAs基板、2は第1導
電型のAlGaAsクラッド層、3は活性層、4は第2
導電型のAj!GaAsガイド層、5は回折格子、6は
第2導電型のAlGaAsクラッド層、7は第2導電型
のGaAs表面層、8a、8bは電極、9は光の出射方
向である。
図であり、1は第1導電型のGaAs基板、2は第1導
電型のAlGaAsクラッド層、3は活性層、4は第2
導電型のAj!GaAsガイド層、5は回折格子、6は
第2導電型のAlGaAsクラッド層、7は第2導電型
のGaAs表面層、8a、8bは電極、9は光の出射方
向である。
このようなAJGaAs系DFBレーザにおいて、まず
、電流は電極8aから電極8bへ、またはその逆方向に
活性層3を横切るように流れ、光は光の出射方向9の方
へ放出される。その際、回折格子5があるためレーザ装
置内部での発振波長λは、λ=27/m(ただし、Tは
回折格子5のピッチ、mは正の整数である)と制限され
、利得分布の範囲内では普通1〜2本程度の発振線でし
か発振せず、温度変化、光出力の変化に対して発振波長
の変化の少ない半導体レーザな得ることができる。
、電流は電極8aから電極8bへ、またはその逆方向に
活性層3を横切るように流れ、光は光の出射方向9の方
へ放出される。その際、回折格子5があるためレーザ装
置内部での発振波長λは、λ=27/m(ただし、Tは
回折格子5のピッチ、mは正の整数である)と制限され
、利得分布の範囲内では普通1〜2本程度の発振線でし
か発振せず、温度変化、光出力の変化に対して発振波長
の変化の少ない半導体レーザな得ることができる。
このように内部に回折格子5を備えた半導体レーザを一
般にD F B (Distributed Feed
Back)レーザと呼んでいる。
般にD F B (Distributed Feed
Back)レーザと呼んでいる。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、上記のような従来のAJ2GaAsDF
Bレーザは、電流が電極8aから電極8bへ、またはそ
の逆方向に活性層3を横切るように流れるため、当然回
折格子5をも横切るように流れる。このときAJEGa
Asクラッド層6は、回折格子5を形成する過程で酸化
したAlGaAsガイド層4上に結晶成長しているので
、結晶性がよくなく、電気的に良好な導通が得られず、
安定したレーザ特性が得られないという問題点があった
。
Bレーザは、電流が電極8aから電極8bへ、またはそ
の逆方向に活性層3を横切るように流れるため、当然回
折格子5をも横切るように流れる。このときAJEGa
Asクラッド層6は、回折格子5を形成する過程で酸化
したAlGaAsガイド層4上に結晶成長しているので
、結晶性がよくなく、電気的に良好な導通が得られず、
安定したレーザ特性が得られないという問題点があった
。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、再現性が高く、高性能のAj!GaAsレ
ーザを得ることを目的とする。
れたもので、再現性が高く、高性能のAj!GaAsレ
ーザを得ることを目的とする。
(課題を解決するための手段)
この発明に係るAj!GaAsレーザは、回折格子に接
して厚さが100λ以下のGaAs層を設けるとともに
、回折格子のリッジ間をGaAs層により分離したもの
である。
して厚さが100λ以下のGaAs層を設けるとともに
、回折格子のリッジ間をGaAs層により分離したもの
である。
(作用)
この発明においては、回折格子の一部となるGaAs層
は、大気にさらされても酸化されにくいため、その上へ
の結晶成長が容易となる。
は、大気にさらされても酸化されにくいため、その上へ
の結晶成長が容易となる。
C実施例〉
以下、この発明の一実施例を第1図について説明する。
第1図において、1から9までは第2図と同等のもので
あるのでその説明は省略する。10は前記ガイド層4に
成長した層厚100Å以下の第2導電型のGaAs再成
長界面層、11はこのGaAs再成長界面層10の上に
成長した第1導電型のAJlGaAs回折格子層である
0回折格子層11は1回目の結晶成長の後に、写真製版
の手法を用いて選択的にエツチングするが、例えばフッ
酸系のエッチャントを用いることにより、GaAsであ
る再成長界面層10でエツチングを停止させることがで
きる。
あるのでその説明は省略する。10は前記ガイド層4に
成長した層厚100Å以下の第2導電型のGaAs再成
長界面層、11はこのGaAs再成長界面層10の上に
成長した第1導電型のAJlGaAs回折格子層である
0回折格子層11は1回目の結晶成長の後に、写真製版
の手法を用いて選択的にエツチングするが、例えばフッ
酸系のエッチャントを用いることにより、GaAsであ
る再成長界面層10でエツチングを停止させることがで
きる。
このような選択的にエツチングされたウェハ上に2回目
の結晶成長を試みると、GaAsである再成長界面層1
0の上には電気伝導も良好な結晶が成長でき、また、A
j2GaAsの回折格子層11上には結晶配列には何ら
問題がないが電気的には満足のいかない結晶が成長する
。
の結晶成長を試みると、GaAsである再成長界面層1
0の上には電気伝導も良好な結晶が成長でき、また、A
j2GaAsの回折格子層11上には結晶配列には何ら
問題がないが電気的には満足のいかない結晶が成長する
。
したがって、電極8aまたは電極8bから注入された電
流は、回折格子層11の残っている場所には流れず、ク
ラッド層6と再成長界面層10が直接接している場所の
みに流れ、゛活性層3においても同様となる。このため
、従来のように成長不良で電気的な接触が不確実な面が
一様に存在するのではなく、確実に電流が流れる場所と
流れない場所を分けることにより、製作の再現性が向上
する。また、電流の流れる場所と流れない場所を周期的
に設けることは従来のように屈折率結合だけではなく利
得結合にもなるので、単一波長発振がより得られやすく
なる。
流は、回折格子層11の残っている場所には流れず、ク
ラッド層6と再成長界面層10が直接接している場所の
みに流れ、゛活性層3においても同様となる。このため
、従来のように成長不良で電気的な接触が不確実な面が
一様に存在するのではなく、確実に電流が流れる場所と
流れない場所を分けることにより、製作の再現性が向上
する。また、電流の流れる場所と流れない場所を周期的
に設けることは従来のように屈折率結合だけではなく利
得結合にもなるので、単一波長発振がより得られやすく
なる。
なお、上記実施例の再成長界面層10は100Å以下と
薄いため量子効果により活性層3で発生した光を吸収し
ない。
薄いため量子効果により活性層3で発生した光を吸収し
ない。
また、上記実施例では回折格子層11に第1導電型のA
JGaAsを用いたが、真性AlGaAsでも第2導電
型でもAJlx Gol−、AsのXが大きければ同様
の効果がある。
JGaAsを用いたが、真性AlGaAsでも第2導電
型でもAJlx Gol−、AsのXが大きければ同様
の効果がある。
(発明の効果)
以上説明したようにこの発明は、回折格子に接して厚さ
が100Å以下のGaAs層を設けるとともに、回折格
子のリッジ間をGaAs層により分離した良好で再現性
の良い2回目の成長ができ、また、周期的に電流が流れ
るため、利得結合となり単一波長発振が得られやすくな
る。
が100Å以下のGaAs層を設けるとともに、回折格
子のリッジ間をGaAs層により分離した良好で再現性
の良い2回目の成長ができ、また、周期的に電流が流れ
るため、利得結合となり単一波長発振が得られやすくな
る。
第1図はこの発明の一実施例によるAj2GaAsレー
ザを示す断面図、第2図は従来のA1GaAsDFBレ
ーザを示す断面図である。 図において、1は基板、2はクラッド層、3は活性層、
4はガイド層、5は回折格子、6はクラッド層、7は表
面層、8a、8bは電極、9は光の出射方向、10は再
成長界面層、11は回折格子層である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
ザを示す断面図、第2図は従来のA1GaAsDFBレ
ーザを示す断面図である。 図において、1は基板、2はクラッド層、3は活性層、
4はガイド層、5は回折格子、6はクラッド層、7は表
面層、8a、8bは電極、9は光の出射方向、10は再
成長界面層、11は回折格子層である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 回折格子を活性層近傍に備えたAlGaAsレーザにお
いて、前記回折格子に接して厚さが100Å以下のGa
As層を設けるとともに、前記回折格子のリッジ間を前
記GaAs層により分離したことを特徴とするAlGa
Asレーザ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7570789A JPH02253683A (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | AlGaAsレーザ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7570789A JPH02253683A (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | AlGaAsレーザ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02253683A true JPH02253683A (ja) | 1990-10-12 |
Family
ID=13583964
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7570789A Pending JPH02253683A (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | AlGaAsレーザ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02253683A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997009760A1 (en) * | 1995-09-08 | 1997-03-13 | Sarnoff Corporation | Semiconductor distributed feedback laser diode |
-
1989
- 1989-03-27 JP JP7570789A patent/JPH02253683A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997009760A1 (en) * | 1995-09-08 | 1997-03-13 | Sarnoff Corporation | Semiconductor distributed feedback laser diode |
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