JPH02253683A - ＡｌＧａＡｓレーザ - Google Patents
ＡｌＧａＡｓレーザInfo
- Publication number
- JPH02253683A JPH02253683A JP7570789A JP7570789A JPH02253683A JP H02253683 A JPH02253683 A JP H02253683A JP 7570789 A JP7570789 A JP 7570789A JP 7570789 A JP7570789 A JP 7570789A JP H02253683 A JPH02253683 A JP H02253683A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- diffraction grating
- gaas
- conductivity type
- laser
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- Pending
Links
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- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 238000005253 cladding Methods 0.000 abstract description 7
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- 239000010410 layer Substances 0.000 description 34
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- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、回折格子を備えたＡｌＧａＡｓレーザに係
り、特にその再現性とレーザ特性の向上をはかったＡｌ
ＧａＡｓレーザに関するものである。
り、特にその再現性とレーザ特性の向上をはかったＡｌ
ＧａＡｓレーザに関するものである。
第２図は従来のＡＩＬＧａＡｓＤＦＢレーザを示す断面
図であり、１は第１導電型のＧａＡｓ基板、２は第１導
電型のＡｌＧａＡｓクラッド層、３は活性層、４は第２
導電型のＡｊ！ＧａＡｓガイド層、５は回折格子、６は
第２導電型のＡｌＧａＡｓクラッド層、７は第２導電型
のＧａＡｓ表面層、８ａ、８ｂは電極、９は光の出射方
向である。
図であり、１は第１導電型のＧａＡｓ基板、２は第１導
電型のＡｌＧａＡｓクラッド層、３は活性層、４は第２
導電型のＡｊ！ＧａＡｓガイド層、５は回折格子、６は
第２導電型のＡｌＧａＡｓクラッド層、７は第２導電型
のＧａＡｓ表面層、８ａ、８ｂは電極、９は光の出射方
向である。
このようなＡＪＧａＡｓ系ＤＦＢレーザにおいて、まず
、電流は電極８ａから電極８ｂへ、またはその逆方向に
活性層３を横切るように流れ、光は光の出射方向９の方
へ放出される。その際、回折格子５があるためレーザ装
置内部での発振波長λは、λ＝２７／ｍ（ただし、Ｔは
回折格子５のピッチ、ｍは正の整数である）と制限され
、利得分布の範囲内では普通１〜２本程度の発振線でし
か発振せず、温度変化、光出力の変化に対して発振波長
の変化の少ない半導体レーザな得ることができる。
、電流は電極８ａから電極８ｂへ、またはその逆方向に
活性層３を横切るように流れ、光は光の出射方向９の方
へ放出される。その際、回折格子５があるためレーザ装
置内部での発振波長λは、λ＝２７／ｍ（ただし、Ｔは
回折格子５のピッチ、ｍは正の整数である）と制限され
、利得分布の範囲内では普通１〜２本程度の発振線でし
か発振せず、温度変化、光出力の変化に対して発振波長
の変化の少ない半導体レーザな得ることができる。
このように内部に回折格子５を備えた半導体レーザを一
般にＤ Ｆ Ｂ （Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｆｅｅｄ
Ｂａｃｋ）レーザと呼んでいる。
般にＤ Ｆ Ｂ （Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｆｅｅｄ
Ｂａｃｋ）レーザと呼んでいる。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記のような従来のＡＪ２ＧａＡｓＤＦ
Ｂレーザは、電流が電極８ａから電極８ｂへ、またはそ
の逆方向に活性層３を横切るように流れるため、当然回
折格子５をも横切るように流れる。このときＡＪＥＧａ
Ａｓクラッド層６は、回折格子５を形成する過程で酸化
したＡｌＧａＡｓガイド層４上に結晶成長しているので
、結晶性がよくなく、電気的に良好な導通が得られず、
安定したレーザ特性が得られないという問題点があった
。
Ｂレーザは、電流が電極８ａから電極８ｂへ、またはそ
の逆方向に活性層３を横切るように流れるため、当然回
折格子５をも横切るように流れる。このときＡＪＥＧａ
Ａｓクラッド層６は、回折格子５を形成する過程で酸化
したＡｌＧａＡｓガイド層４上に結晶成長しているので
、結晶性がよくなく、電気的に良好な導通が得られず、
安定したレーザ特性が得られないという問題点があった
。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、再現性が高く、高性能のＡｊ！ＧａＡｓレ
ーザを得ることを目的とする。
れたもので、再現性が高く、高性能のＡｊ！ＧａＡｓレ
ーザを得ることを目的とする。
（課題を解決するための手段）
この発明に係るＡｊ！ＧａＡｓレーザは、回折格子に接
して厚さが１００λ以下のＧａＡｓ層を設けるとともに
、回折格子のリッジ間をＧａＡｓ層により分離したもの
である。
して厚さが１００λ以下のＧａＡｓ層を設けるとともに
、回折格子のリッジ間をＧａＡｓ層により分離したもの
である。
（作用）
この発明においては、回折格子の一部となるＧａＡｓ層
は、大気にさらされても酸化されにくいため、その上へ
の結晶成長が容易となる。
は、大気にさらされても酸化されにくいため、その上へ
の結晶成長が容易となる。
Ｃ実施例〉
以下、この発明の一実施例を第１図について説明する。
第１図において、１から９までは第２図と同等のもので
あるのでその説明は省略する。１０は前記ガイド層４に
成長した層厚１００Å以下の第２導電型のＧａＡｓ再成
長界面層、１１はこのＧａＡｓ再成長界面層１０の上に
成長した第１導電型のＡＪｌＧａＡｓ回折格子層である
０回折格子層１１は１回目の結晶成長の後に、写真製版
の手法を用いて選択的にエツチングするが、例えばフッ
酸系のエッチャントを用いることにより、ＧａＡｓであ
る再成長界面層１０でエツチングを停止させることがで
きる。
あるのでその説明は省略する。１０は前記ガイド層４に
成長した層厚１００Å以下の第２導電型のＧａＡｓ再成
長界面層、１１はこのＧａＡｓ再成長界面層１０の上に
成長した第１導電型のＡＪｌＧａＡｓ回折格子層である
０回折格子層１１は１回目の結晶成長の後に、写真製版
の手法を用いて選択的にエツチングするが、例えばフッ
酸系のエッチャントを用いることにより、ＧａＡｓであ
る再成長界面層１０でエツチングを停止させることがで
きる。
このような選択的にエツチングされたウェハ上に２回目
の結晶成長を試みると、ＧａＡｓである再成長界面層１
０の上には電気伝導も良好な結晶が成長でき、また、Ａ
ｊ２ＧａＡｓの回折格子層１１上には結晶配列には何ら
問題がないが電気的には満足のいかない結晶が成長する
。
の結晶成長を試みると、ＧａＡｓである再成長界面層１
０の上には電気伝導も良好な結晶が成長でき、また、Ａ
ｊ２ＧａＡｓの回折格子層１１上には結晶配列には何ら
問題がないが電気的には満足のいかない結晶が成長する
。
したがって、電極８ａまたは電極８ｂから注入された電
流は、回折格子層１１の残っている場所には流れず、ク
ラッド層６と再成長界面層１０が直接接している場所の
みに流れ、゛活性層３においても同様となる。このため
、従来のように成長不良で電気的な接触が不確実な面が
一様に存在するのではなく、確実に電流が流れる場所と
流れない場所を分けることにより、製作の再現性が向上
する。また、電流の流れる場所と流れない場所を周期的
に設けることは従来のように屈折率結合だけではなく利
得結合にもなるので、単一波長発振がより得られやすく
なる。
流は、回折格子層１１の残っている場所には流れず、ク
ラッド層６と再成長界面層１０が直接接している場所の
みに流れ、゛活性層３においても同様となる。このため
、従来のように成長不良で電気的な接触が不確実な面が
一様に存在するのではなく、確実に電流が流れる場所と
流れない場所を分けることにより、製作の再現性が向上
する。また、電流の流れる場所と流れない場所を周期的
に設けることは従来のように屈折率結合だけではなく利
得結合にもなるので、単一波長発振がより得られやすく
なる。
なお、上記実施例の再成長界面層１０は１００Å以下と
薄いため量子効果により活性層３で発生した光を吸収し
ない。
薄いため量子効果により活性層３で発生した光を吸収し
ない。
また、上記実施例では回折格子層１１に第１導電型のＡ
ＪＧａＡｓを用いたが、真性ＡｌＧａＡｓでも第２導電
型でもＡＪｌｘ Ｇｏｌ−、ＡｓのＸが大きければ同様
の効果がある。
ＪＧａＡｓを用いたが、真性ＡｌＧａＡｓでも第２導電
型でもＡＪｌｘ Ｇｏｌ−、ＡｓのＸが大きければ同様
の効果がある。
（発明の効果）
以上説明したようにこの発明は、回折格子に接して厚さ
が１００Å以下のＧａＡｓ層を設けるとともに、回折格
子のリッジ間をＧａＡｓ層により分離した良好で再現性
の良い２回目の成長ができ、また、周期的に電流が流れ
るため、利得結合となり単一波長発振が得られやすくな
る。
が１００Å以下のＧａＡｓ層を設けるとともに、回折格
子のリッジ間をＧａＡｓ層により分離した良好で再現性
の良い２回目の成長ができ、また、周期的に電流が流れ
るため、利得結合となり単一波長発振が得られやすくな
る。
第１図はこの発明の一実施例によるＡｊ２ＧａＡｓレー
ザを示す断面図、第２図は従来のＡ１ＧａＡｓＤＦＢレ
ーザを示す断面図である。 図において、１は基板、２はクラッド層、３は活性層、
４はガイド層、５は回折格子、６はクラッド層、７は表
面層、８ａ、８ｂは電極、９は光の出射方向、１０は再
成長界面層、１１は回折格子層である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
ザを示す断面図、第２図は従来のＡ１ＧａＡｓＤＦＢレ
ーザを示す断面図である。 図において、１は基板、２はクラッド層、３は活性層、
４はガイド層、５は回折格子、６はクラッド層、７は表
面層、８ａ、８ｂは電極、９は光の出射方向、１０は再
成長界面層、１１は回折格子層である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 回折格子を活性層近傍に備えたＡｌＧａＡｓレーザにお
いて、前記回折格子に接して厚さが１００Å以下のＧａ
Ａｓ層を設けるとともに、前記回折格子のリッジ間を前
記ＧａＡｓ層により分離したことを特徴とするＡｌＧａ
Ａｓレーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7570789A JPH02253683A (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | ＡｌＧａＡｓレーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7570789A JPH02253683A (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | ＡｌＧａＡｓレーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02253683A true JPH02253683A (ja) | 1990-10-12 |
Family
ID=13583964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7570789A Pending JPH02253683A (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | ＡｌＧａＡｓレーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02253683A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997009760A1 (en) * | 1995-09-08 | 1997-03-13 | Sarnoff Corporation | Semiconductor distributed feedback laser diode |
-
1989
- 1989-03-27 JP JP7570789A patent/JPH02253683A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997009760A1 (en) * | 1995-09-08 | 1997-03-13 | Sarnoff Corporation | Semiconductor distributed feedback laser diode |
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