JPH02106085A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子Info
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- JPH02106085A JPH02106085A JP26021488A JP26021488A JPH02106085A JP H02106085 A JPH02106085 A JP H02106085A JP 26021488 A JP26021488 A JP 26021488A JP 26021488 A JP26021488 A JP 26021488A JP H02106085 A JPH02106085 A JP H02106085A
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- JP
- Japan
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- layer
- gaas
- semiconductor laser
- laser device
- substrate
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光ディスク、レーザプリンタ等の光学機器に
利用されるＩｎＧａＡｌ Ｐ系の半導体レーザ素子に関
するものである。
利用されるＩｎＧａＡｌ Ｐ系の半導体レーザ素子に関
するものである。
光通信用長波長レーザまたは光記録用短波長レーザに使
用する半導体材料として、より長波長化または短波長化
が可能であるＩｎＧａＡｌ Ｐが近年注目されている。
用する半導体材料として、より長波長化または短波長化
が可能であるＩｎＧａＡｌ Ｐが近年注目されている。
第５図は例えば特開昭６２−２００７８６号公報に開示
された従来のＩｎＧａＡｌ Ｐ系の半導体レーザ素子の
概略構造を示す断面図であり、図中２１はｎ−ＧａＡｓ
基板である。基板２１上にはｎ−ＧａＡｓバッファ層２
２及びｎ−ＩｎＧａ Ｐバッファ層２３が形成されてお
り、バ・ノファ層２３上には、ｎ−ＩｎＧａＡｌ Ｐク
ラッド層２４． ＩｎＧａ Ｐ活性層２５及びｐ−１ｎ
ＧａＡＩ Ｐクラッド層２６，２７．２８からなるダブ
ルへテロ接合構造部が形成されている。また、クラッド
層２８はストライプ状に加工されており、これによりｐ
クラッド層にストライプ状リブが形成されている。クラ
ッド層２８上には、ｐ−１ｎＧａＡ Ｉコンタクト層２
９及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層３０が形成されている
。ダブルへテロ接合構造部及びコンタクト層３０の側面
には、ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層３１が形成されている。
された従来のＩｎＧａＡｌ Ｐ系の半導体レーザ素子の
概略構造を示す断面図であり、図中２１はｎ−ＧａＡｓ
基板である。基板２１上にはｎ−ＧａＡｓバッファ層２
２及びｎ−ＩｎＧａ Ｐバッファ層２３が形成されてお
り、バ・ノファ層２３上には、ｎ−ＩｎＧａＡｌ Ｐク
ラッド層２４． ＩｎＧａ Ｐ活性層２５及びｐ−１ｎ
ＧａＡＩ Ｐクラッド層２６，２７．２８からなるダブ
ルへテロ接合構造部が形成されている。また、クラッド
層２８はストライプ状に加工されており、これによりｐ
クラッド層にストライプ状リブが形成されている。クラ
ッド層２８上には、ｐ−１ｎＧａＡ Ｉコンタクト層２
９及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層３０が形成されている
。ダブルへテロ接合構造部及びコンタクト層３０の側面
には、ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層３１が形成されている。
コンタクト層３０及び電流阻止層３１上には、ｐ−Ｇａ
Ａｓコンタクト層３２が形成されている。
Ａｓコンタクト層３２が形成されている。
そして、コンタクト層３２の上面に金属電極３３が被着
され、基板２１の下面に金属電極３４が被着されている
。
され、基板２１の下面に金属電極３４が被着されている
。
次にこのような構成をなす従来の半導体レーザ素子の製
造方法を、その工程を示す第６図に基づいて説明する。
造方法を、その工程を示す第６図に基づいて説明する。
まずＭＯＣＶＤ法によって、ｎ−ＧａＡｓ基板２１上に
、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２２．１−ＩｎＧａ Ｐバッ
ファ層２３＋ ｎ−１ｎＧａＡＩＰクラッド層２４．
ＩｎＧａＰ活性層２５． ｐ−１ｎＧａＡＩ Ｐクラッ
ド層２６．２７．２８． ｐ−１ｎＧａＡＩＰコンタク
ト層２９及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層３０をこの順に
順次結晶成長させてダブルへテロウェハを形成した後、
コンタクト層３０上にメサエッチング用のＳｉｎ、膜３
６をストライプ状に形成する（第６図（ａ））。次いで
ＳｉＯ□膜３６をマスクとしてコンタクト層３０をメサ
エッチングした後（第６図（ｂ）） 、ＧａＡｓストラ
イプ状メサ３７をマスクとしてコンタクト層２９．クラ
ッド層２８をメサエッチングしてストライプ状メサ３８
を形成する（第６図（Ｃ））。
、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２２．１−ＩｎＧａ Ｐバッ
ファ層２３＋ ｎ−１ｎＧａＡＩＰクラッド層２４．
ＩｎＧａＰ活性層２５． ｐ−１ｎＧａＡＩ Ｐクラッ
ド層２６．２７．２８． ｐ−１ｎＧａＡＩＰコンタク
ト層２９及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層３０をこの順に
順次結晶成長させてダブルへテロウェハを形成した後、
コンタクト層３０上にメサエッチング用のＳｉｎ、膜３
６をストライプ状に形成する（第６図（ａ））。次いで
ＳｉＯ□膜３６をマスクとしてコンタクト層３０をメサ
エッチングした後（第６図（ｂ）） 、ＧａＡｓストラ
イプ状メサ３７をマスクとしてコンタクト層２９．クラ
ッド層２８をメサエッチングしてストライプ状メサ３８
を形成する（第６図（Ｃ））。
次いでコンタクト層３０のみを選択エツチングしてその
幅を狭くし、ストライプ状メサ３９を形成した後（第６
図（ｄ）） 、ＭＯＣＶＤ法を用いて、ストライプ状メ
サ３８．３９の側面を含んでクラッド層２７上にｎ−Ｇ
ａＡｓ電流阻止層３１を成長させる（第６図（ｅ））。
幅を狭くし、ストライプ状メサ３９を形成した後（第６
図（ｄ）） 、ＭＯＣＶＤ法を用いて、ストライプ状メ
サ３８．３９の側面を含んでクラッド層２７上にｎ−Ｇ
ａＡｓ電流阻止層３１を成長させる（第６図（ｅ））。
Ｓｉｎｇ膜３６を除去した後、ＭＯＣＶＤ法を用いて、
コンタクト層３０．電流阻止層３１の上面にｐ−ＧａＡ
ｓコンクク１−ＩＪ３２を成長させ（第６図（ｆ））、
最後にコンタクト層３２の上面及び基板２１の下面に夫
々金属電極を被着して第５図に示すような半導体レーザ
用つヱハを得る。
コンタクト層３０．電流阻止層３１の上面にｐ−ＧａＡ
ｓコンクク１−ＩＪ３２を成長させ（第６図（ｆ））、
最後にコンタクト層３２の上面及び基板２１の下面に夫
々金属電極を被着して第５図に示すような半導体レーザ
用つヱハを得る。
上述の従来の半導体レーザ素子では、電流を狭窄するた
めのＧａＡｓ層を形成するために、ダブルへテロ層の結
晶成長を行った後に結晶成長を２回（電流阻止層３１の
結晶成長及びコンタクト層３２の結晶成長の２回）行わ
なければならない。従って結晶成長工程が複雑であるの
で歩留りが低いという難点があった。またダブルへテロ
層を成長させた後、ＭＯＣＶＤ法を用いて高温環境にて
電流狭窄層を形成するので、その下層のダブルへテロ層
の結晶性が劣化するという問題点があった。
めのＧａＡｓ層を形成するために、ダブルへテロ層の結
晶成長を行った後に結晶成長を２回（電流阻止層３１の
結晶成長及びコンタクト層３２の結晶成長の２回）行わ
なければならない。従って結晶成長工程が複雑であるの
で歩留りが低いという難点があった。またダブルへテロ
層を成長させた後、ＭＯＣＶＤ法を用いて高温環境にて
電流狭窄層を形成するので、その下層のダブルへテロ層
の結晶性が劣化するという問題点があった。
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、リッ
ジ部の側面をＳｉにて埋め込むことにより、ダブルへテ
ロ層成長後の結晶成長工程が１回にて済むので歩留りを
向上でき、しかも従来のように下層のダブルへテロ層の
結晶性劣化の虞がない半導体レーザ素子を提供すること
を目的とする。
ジ部の側面をＳｉにて埋め込むことにより、ダブルへテ
ロ層成長後の結晶成長工程が１回にて済むので歩留りを
向上でき、しかも従来のように下層のダブルへテロ層の
結晶性劣化の虞がない半導体レーザ素子を提供すること
を目的とする。
本発明に係る半導体レーザ素子は、リッジ部を存するＩ
ｎＧａＡｌ Ｐ系の半導体レーザ素子において、前記リ
ッジ部の埋め込み材料としてＳｉを用いていることを特
徴とする。
ｎＧａＡｌ Ｐ系の半導体レーザ素子において、前記リ
ッジ部の埋め込み材料としてＳｉを用いていることを特
徴とする。
本発明の半導体レーザ素子にあっては、リッジ部がＳｔ
にて埋められている。従ってこのＳｉを介して有効に活
性層から熱が拡散され、また電流通路部以外にて発生し
た不用な光はこのＳｉにて吸収されて、レーザ素子外部
には漏れない。
にて埋められている。従ってこのＳｉを介して有効に活
性層から熱が拡散され、また電流通路部以外にて発生し
た不用な光はこのＳｉにて吸収されて、レーザ素子外部
には漏れない。
以下、本発明をその実施例を示す図面に基づいて具体的
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明に係る半導体レーザ素子の概略構造を示
す断面図であって、図中１はｎ−ＧａＡｓ基板を示し、
該基板１上には厚さ１．０μｍのｎ−ＧａＡｓバッファ
層２が形成されている。該ｎ−ＧａＡｓバッファ層２上
には、厚さ１．０μｍのｎ−Ａｌｏ、ｓ Ｇａ、、、
ＩｎＰクラッドＮ３．厚さ０．０８μｍのＩｎＧａ Ｐ
活性層４゜厚さ０．２．ｃｚｍのｐ−Ａｌ６． ｅ Ｇ
ａｏ、 ｚ Ｉｎ Ｐクラッド層５゜厚さ０．０１ ｐ
ｍのｐ−ＩｎＧａ ＰエツチングストッパＮ６がこの
順に積層形成されている。ｐ−１ｎＧａ Ｐエツチング
ストッパ層６の上面には、厚さ０．８μｍのｐへｌｏ、
ａ Ｇａ、、２１ｎ Ｐクラッド層７及び、厚さ０．
５．＋１ｍのｐ−ＧａＡｓキャップ層８がリッジ状をな
してこの順に積層形成されている。更にこのリッジ部の
側面を含んでｐ−１ｎＧａ Ｐエツチングストツバ層６
の上面には、高抵抗なＳｉからなる埋込層９が形成され
ている。またｐ−ＧａＡｓキャップ層８及び埋込層９の
上面にはＡｕ−Ｃｒからなる電極１０が被着され、基板
１の下面にはＣｒ−５ｎ−Ａｕからなる電極１１が被着
されている。
す断面図であって、図中１はｎ−ＧａＡｓ基板を示し、
該基板１上には厚さ１．０μｍのｎ−ＧａＡｓバッファ
層２が形成されている。該ｎ−ＧａＡｓバッファ層２上
には、厚さ１．０μｍのｎ−Ａｌｏ、ｓ Ｇａ、、、
ＩｎＰクラッドＮ３．厚さ０．０８μｍのＩｎＧａ Ｐ
活性層４゜厚さ０．２．ｃｚｍのｐ−Ａｌ６． ｅ Ｇ
ａｏ、 ｚ Ｉｎ Ｐクラッド層５゜厚さ０．０１ ｐ
ｍのｐ−ＩｎＧａ ＰエツチングストッパＮ６がこの
順に積層形成されている。ｐ−１ｎＧａ Ｐエツチング
ストッパ層６の上面には、厚さ０．８μｍのｐへｌｏ、
ａ Ｇａ、、２１ｎ Ｐクラッド層７及び、厚さ０．
５．＋１ｍのｐ−ＧａＡｓキャップ層８がリッジ状をな
してこの順に積層形成されている。更にこのリッジ部の
側面を含んでｐ−１ｎＧａ Ｐエツチングストツバ層６
の上面には、高抵抗なＳｉからなる埋込層９が形成され
ている。またｐ−ＧａＡｓキャップ層８及び埋込層９の
上面にはＡｕ−Ｃｒからなる電極１０が被着され、基板
１の下面にはＣｒ−５ｎ−Ａｕからなる電極１１が被着
されている。
埋込Ｎ９を形成するＳｉは非晶質または多結晶の何れで
もよく、６８０ｎｍの発振波長の光に対して吸収係数が
１０’ｃｍ−’以上であって比抵抗が１０’Ω・」以上
である特性を有するＳｉを使用する。
もよく、６８０ｎｍの発振波長の光に対して吸収係数が
１０’ｃｍ−’以上であって比抵抗が１０’Ω・」以上
である特性を有するＳｉを使用する。
次に第１図に示すような構造を有する半導体レーザ素子
の製造方法について、その工程を示す第２図に基づき説
明する。
の製造方法について、その工程を示す第２図に基づき説
明する。
まずＭＯＣＶＤ法により、ｎ−ＧａＡｓ基板ｌ上に、ｎ
−ＧａＡｓバッファ層２．ｎ−八＋６． ａ Ｇａｏ、
ｚ Ｉｎ Ｐクラッド層３゜ＩｎＧａ Ｐ活性層４．
９−Ａｌｏ、ａ Ｇａ、、 ＩｎＰクラッド層５、 ｐ
−１ｎＧａＰ工ツチングストツパ層６． り−ＡＩｏ、
＋Ｇａ、、、 ＩｎＰクラッド層？、 ｐ−ＧａＡｓキ
＋７プ層８からなるダブルへテロ結晶を、各層の膜厚が
前述の数値になるように成長させる（第２図（ａ））。
−ＧａＡｓバッファ層２．ｎ−八＋６． ａ Ｇａｏ、
ｚ Ｉｎ Ｐクラッド層３゜ＩｎＧａ Ｐ活性層４．
９−Ａｌｏ、ａ Ｇａ、、 ＩｎＰクラッド層５、 ｐ
−１ｎＧａＰ工ツチングストツパ層６． り−ＡＩｏ、
＋Ｇａ、、、 ＩｎＰクラッド層？、 ｐ−ＧａＡｓキ
＋７プ層８からなるダブルへテロ結晶を、各層の膜厚が
前述の数値になるように成長させる（第２図（ａ））。
キャップ層８にフォトレジスト１２を５μｍ幅のストラ
イプ状に形成した後、フォトレジスト１２をマスク材と
してダブルへテロ結晶をエツチングストッパ層６までエ
ツチング除去、つまりクラッド層７及びキャップ層８を
部分的にエツチング除去してメサリッジ１３を形成する
（第２図（ｂｌ）。
イプ状に形成した後、フォトレジスト１２をマスク材と
してダブルへテロ結晶をエツチングストッパ層６までエ
ツチング除去、つまりクラッド層７及びキャップ層８を
部分的にエツチング除去してメサリッジ１３を形成する
（第２図（ｂｌ）。
次いでメサリッジ１３の表面を含んでエツチングストッ
パ層６の上面に、スパッタ法によって厚さ１．３μｍ程
度のＳｉ膜１４を成長させる（第２図（Ｃ１）。
パ層６の上面に、スパッタ法によって厚さ１．３μｍ程
度のＳｉ膜１４を成長させる（第２図（Ｃ１）。
５μｍ幅のメサリッジ１３上に付着したＳｉ膜１４をリ
フトオフ法によってフォトレジスト１２と共に除去し、
露出したメサリッジ１３（キャップ層８）及び残存した
Ｓｉ膜１４（埋込１’１９）の上面に電極１０を被着す
ると共に、基板１の下面に電極１１を被着する（第２図
（ｄ））。
フトオフ法によってフォトレジスト１２と共に除去し、
露出したメサリッジ１３（キャップ層８）及び残存した
Ｓｉ膜１４（埋込１’１９）の上面に電極１０を被着す
ると共に、基板１の下面に電極１１を被着する（第２図
（ｄ））。
本発明の半導体レーザ素子の製造工程は以上の如くであ
るので、ダブルへテロ結晶成長後の成長工程はＳｉ成長
の１回だけであり、従来例に比して成長工程が簡便化す
る。またこのＳｉ成長もスパッタ法を用いるので、従来
のＧａＡｓ成長に比して容易に行なえるという利点があ
る。
るので、ダブルへテロ結晶成長後の成長工程はＳｉ成長
の１回だけであり、従来例に比して成長工程が簡便化す
る。またこのＳｉ成長もスパッタ法を用いるので、従来
のＧａＡｓ成長に比して容易に行なえるという利点があ
る。
Ｓｉはその熱伝導率が〜１５０ （Ｗ／ｍ・℃）であ
り、ＧａＡｓ （熱伝導率〜４６（Ｗ／ｍ・℃））に比
して優れているので、本発明では活性層４からの熱を有
効に外部に放散させることができ、レーザ素子の長寿命
化、高出力化に適している。
り、ＧａＡｓ （熱伝導率〜４６（Ｗ／ｍ・℃））に比
して優れているので、本発明では活性層４からの熱を有
効に外部に放散させることができ、レーザ素子の長寿命
化、高出力化に適している。
また発振波長に対する吸収係数を１０’Ｃｌｍ−’以上
としているので、電流通路部以外にて発生した光は５ｉ
Ｊ５ｉにて吸収されて外部には放出されない。この結果
レーザ発振は電流通路部のみで行われるので、良好な単
一横モードの制御が可能である。また本発明の半導体レ
ーザ素子における横モード制御法は屈折率導波形である
ので、非点収差も１０μｍ未満と小さく、光ディスク、
レーザプリンタ、 ｐｏｓターミナル等への幅広い適応
が可能である。
としているので、電流通路部以外にて発生した光は５ｉ
Ｊ５ｉにて吸収されて外部には放出されない。この結果
レーザ発振は電流通路部のみで行われるので、良好な単
一横モードの制御が可能である。また本発明の半導体レ
ーザ素子における横モード制御法は屈折率導波形である
ので、非点収差も１０μｍ未満と小さく、光ディスク、
レーザプリンタ、 ｐｏｓターミナル等への幅広い適応
が可能である。
第３図は本発明の別の実施例の概略構造を示す断面図で
あり、この実施例は高比抵抗性を要求される場合の例で
ある。本実施例では埋込層９をなすＳｉ層の表面が厚さ
０．１μｍにわたって酸化されていて、Ｓｉ酸化層９ａ
となっている。なお他の構成は前述の実施例（第１図）
と同様であり、同番号を付してその説明を省略する。本
実施例ではこのように絶縁層であるｓｉ酸化層を形成す
ることにより、電流を狭窄するための埋込層９を高比抵
抗に維持することができる。
あり、この実施例は高比抵抗性を要求される場合の例で
ある。本実施例では埋込層９をなすＳｉ層の表面が厚さ
０．１μｍにわたって酸化されていて、Ｓｉ酸化層９ａ
となっている。なお他の構成は前述の実施例（第１図）
と同様であり、同番号を付してその説明を省略する。本
実施例ではこのように絶縁層であるｓｉ酸化層を形成す
ることにより、電流を狭窄するための埋込層９を高比抵
抗に維持することができる。
第４図は本発明の半導体レーザ素子の光出力特性及び光
出力４１時の発振レーザの縦モードスペクトルを示すも
のである。発振の闇値は約５８ｍＡであり、光出力が５
ｍＷに到るまで良好な横弔−モード発振が得られている
。また縦モードスペクトルも発振波長６８０ｎｎ＋を中
心にした急峻性を呈しており、良好な特性を示している
。
出力４１時の発振レーザの縦モードスペクトルを示すも
のである。発振の闇値は約５８ｍＡであり、光出力が５
ｍＷに到るまで良好な横弔−モード発振が得られている
。また縦モードスペクトルも発振波長６８０ｎｎ＋を中
心にした急峻性を呈しており、良好な特性を示している
。
以上詳述した如く本発明の半導体レーザ素子では、その
製造工程にあって結晶成長工程の回数を少なくできるの
で、歩留りを向上することができ、低コスト化を図るこ
とができる。また良好な単一横モードの制御が可能であ
る等、本発明は優れた効果を奏する。
製造工程にあって結晶成長工程の回数を少なくできるの
で、歩留りを向上することができ、低コスト化を図るこ
とができる。また良好な単一横モードの制御が可能であ
る等、本発明は優れた効果を奏する。
第１図は本発明に係る半導体レーザ素子の概略構造を示
す断面図、第２図は第１図に示す半導体レーザ素子の製
造工程を示す断面図、第３図は本発明に係る半導体レー
ザ素子の別の実施例の概略構造を示す断面図、第４図は
本発明に係る半導体レーザ素子の光出力特性及び縦モー
ドスペクトルを示すグラフ、第５図は従来の半導体レー
ザ素子の概略構造を示す断面図、第６図は第５図に示す
半導体レーザ素子の製造工程を示す断面図である。 １・・・ＧａＡｓ基板 ３，５．７・・・クラッド層
４・・・活性層 ９・・・埋込層 ９ａ・・・Ｓｉ酸化
層特 許 出願人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 河 野 登 夫 弔 図 冶 （ｍＡ） 弔 図
す断面図、第２図は第１図に示す半導体レーザ素子の製
造工程を示す断面図、第３図は本発明に係る半導体レー
ザ素子の別の実施例の概略構造を示す断面図、第４図は
本発明に係る半導体レーザ素子の光出力特性及び縦モー
ドスペクトルを示すグラフ、第５図は従来の半導体レー
ザ素子の概略構造を示す断面図、第６図は第５図に示す
半導体レーザ素子の製造工程を示す断面図である。 １・・・ＧａＡｓ基板 ３，５．７・・・クラッド層
４・・・活性層 ９・・・埋込層 ９ａ・・・Ｓｉ酸化
層特 許 出願人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 河 野 登 夫 弔 図 冶 （ｍＡ） 弔 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、リッジ部を有するＩｎＧａＡｌＰ系の半導体レーザ
素子において、 前記リッジ部の埋め込み材料としてＳｉを用いているこ
とを特徴とする半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26021488A JPH02106085A (ja) | 1988-10-15 | 1988-10-15 | 半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26021488A JPH02106085A (ja) | 1988-10-15 | 1988-10-15 | 半導体レーザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02106085A true JPH02106085A (ja) | 1990-04-18 |
Family
ID=17344931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26021488A Pending JPH02106085A (ja) | 1988-10-15 | 1988-10-15 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02106085A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5388116A (en) * | 1992-09-25 | 1995-02-07 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| DE19532761A1 (de) * | 1994-09-05 | 1996-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterschicht, Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterlasers und Halbleiterlaser |
| US5661743A (en) * | 1996-01-23 | 1997-08-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser |
| JP2002198614A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-10-15 JP JP26021488A patent/JPH02106085A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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