KR930020784A - 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 - Google Patents
반도체 레이저 다이오드의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 활성층(3) 양측의 거울면에 기판(1)에 격자 상수를 갖는 에피층 (6)을 형성하여 COD를 향상하기에 적당하도록 한 반도체 레이저 다이오드의 제조방법에 관한 것으로서, 종래에는 에너지 갭이 큰 제1클래드층(2)을 구현하려면 A1의 양을 증가시켜야 하므로 거울면 산화가 촉진되며 제1클래드층(2)에는 COD 레벨이 있으므로 큰 출력을 얻을 수 없게 되는 결점이 있었으나, 본 발명에서는 활성층(3)의 양측 거울면을 제거해서 기판(1)의 격자 상수를 갖는 에피층(6)을 형성하므로서 강기 결점을 개선시킬 수 있는 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 반도체 레이저 다이오드를 나타낸 단면도.
제2도는 본 발명의 반도체 레이저 다이오드를 나타낸 단면도.
Claims (2)
- 기판(1)위에 제1클래드층(2), 활성층(3), 제2클래층(4)을 차례로 형성시킨 후 상기 활성층(3)의 양측 거울면을 제거하는 단계와, 상기 거울면이 제거된 부분에 기판(1)의 격자 상수를 갖는 에피층(6)을 형성하는 단계를 차례로 실시하여 이루어지는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 에피층(6)은 InGaAsP으로 이루어진 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920004328A KR930020784A (ko) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920004328A KR930020784A (ko) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930020784A true KR930020784A (ko) | 1993-10-20 |
Family
ID=67257027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920004328A KR930020784A (ko) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930020784A (ko) |
-
1992
- 1992-03-17 KR KR1019920004328A patent/KR930020784A/ko not_active Application Discontinuation
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