KR970018878A - 반도체 레이저 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 레이저에 관한 것으로, SCH구조에서 활성층을 양자우물 구조로 할 경우에 활성층의 두께가 얇아서 주입효율이 떨어지는 문제를 해결하기 위한 것이다.
본 발명은 활성층과 양 클래드층 사이에 에너지 밴드갭이 상기 활성층과 클래드층의 중간정도인 중간층을 구비한 반도체 레이저를 제공한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명의 일실시예에 의한 준 SCH구조의 반도체 레이저의 에너지 밴드 구조도.
제6도는 본 발명의 일실시예의 의한 준 SCH구조에 있어서의 경사층의 두께와 r의 관계를 나타낸 도면.
Claims (6)
- 활성층과 양 클래드층 사이에 에너지 밴드갭이 상기 활성층과 클래드층의 중간정도인 중간층을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 레이저.
- 제1항에 있어서, 상기 중간층은 에너지 밴드갭이 상기 클래드층에서 활성층으로 서서히 감소되는 형태인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저.
- 제2항에 있어서, 상기 중간층의 두께는 200±20Å정도인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저.
- 활성층과, 상기 활성층 양측에 형성된 중간층, 상기 중간층 양측에 형성된 클래드층, 및 상기 클래드층 양측에 형성된 장벽층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저.
- 제4항에 있어서, 상기 중간층은 AI0.1Ga0.9As층으로부터 GaAs층으로 변화하는 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저.
- 제4항에 있어서, 상기 중간층으로 GaAs를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950030443A KR970018878A (ko) | 1995-09-18 | 1995-09-18 | 반도체 레이저 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950030443A KR970018878A (ko) | 1995-09-18 | 1995-09-18 | 반도체 레이저 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018878A true KR970018878A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66615508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950030443A KR970018878A (ko) | 1995-09-18 | 1995-09-18 | 반도체 레이저 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970018878A (ko) |
-
1995
- 1995-09-18 KR KR1019950030443A patent/KR970018878A/ko not_active Application Discontinuation
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