KR950012847A - 반도체 레이저 다이오드 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 레이저 다이오드는 InGaAlP/InGaP계의 레이저 다이오드에 있어서, 미러면에 인접되는 비흡수 영역에 대응되는 부분을 제외한 나머지 부분이 돌출된 메사 구조를 갖는 기판; 및 상기 기판상에 상기 메사구조를 추종하여 순차적으로 적층된 다층구조로 이루어지고, 활성층 및 클래드층을 그 안에 포함하며, 레이저 빔을 발생하는 레이저 발진층을 구비하는 것으로, 상기 활성층에서 발생된 레이저 빔이 비흡수 영역을 통과할 때, 활성층보다 밴드 갭 에너지가 큰 클래드층을 통과하게 되어 비흡수 영역에서 레이저 빔의 흡수가 저감되도록 하였다. 또한 상기와 같은 메사구조대신에 그루부구조를 가지도록 한 경우에는 활성층에서 발생된 레이저 빔이 그 하부에 위치하는 클래드층을 통과하게 되어 동일한 효과를 얻게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 아연 확산층을 갖는 반도체 레이저 다이오드를 나타낸다.
제2도는 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드를 나타낸다.
제3도는 제2도에서 절선 A-A´에서의 단면 구조를 나타낸다.
제4도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 레이저 다이오드의 단면 구조를 나타낸다.
Claims (8)
- 미러면에 인접되는 비흡수 영역에 대응되는 부분을 제외한 나머지 부분이 돌출된 메사를 갖는 기판; 및 상기 기판상에 상기 메사구조를 추종하며 순차적으로 적층된 다층구조로 이루어지고, 활성층 및 클래드층을 그 안에 포함하며, 레이저빔을 발생하는 레이저 발진층을 구비하는 것으로, 상기 활성층에서 발생된 레이저 빔이 영역을 통과할 때, 활성층보다 밴드 갭 에너지가 큰 클래드층을 통과하게 되어 비흡수 영역에서 레이저 빔의 흡수가 저감되도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 비흡수 영역은 미러면으로부터 각각 5∼10㎛ 떨어진 부분까지이고, 상기 메사 구조의 높이는 0.5∼0.6㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 레이저 발진층은 상기 기판상에 순차적으로 적층된 GaAs 버퍼층, 제1도전형 InGaAlP 클래드층, InGaP활성층 및 제2도전형 InGaAlP 클래드층을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 제3항에 있어서, 상기 제2도전형 InGaAlP 클래드층은 상기 기판이 갖는 메사구조를 추종함과 동시에, 양측면을 제외한 중앙부위가 돌출된 2차적인 메사구조를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 제4항에 있어서, 상기 제2도전형 InGaAlP 클래드층중 상기 선형태의 메사구조의 표면에 형성된 제2도전형 InGaP 통전용이층; 상기 제2도전형 InGaAlP 클래드층 및 제2도전형 InGaP 통전용이층으로 이루어진 표면중에서 상기 2개의 메사구조가 동시에 형성되는 부분을 제외한 나머지 표면상에 형성되는 제1도전형 GaAs 전류차단층; 제2도전형 InGaP 통전용이층 및 제1도전형 GaAs 전류차단층으로 이루어지 표면상에 형성되는 제2도전형 GaAs 캡층; 및 상기 제2도전형 GaAs 캡층의 상부 및 상기 기판의 하부에 각각 형성되는 도전층들을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 미러면에 인접되는 비흡수 영역에 대응되는 부분이 돌출되는 그루부구조를 갖는 기판; 및 상기 기판상에 상기 그루부구조를 추종하여 순차적으로 적층된 다층구조로 이루어지고, 활성층 및 클래드층을 그 안에 포함하며, 레이저 빔을 발생하는 레이저 발진층을 구비하는 것으로, 상기 활성층에서 발생된 레이저 빔이 비흡수 영역을 통과할 때, 활성층보다 밴드 갭 에너지가 크며 활성층의 하부에 위치하는 클래드층을 통과하게 되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 제6항에 있어서, 상기 레이저 발진층은 상기 기판상에 순차적으로 적층된 제1도전형 GaAs 버퍼층, 제1도전형 InGaAlP 클래드층, InGaP활성층 및 제2도전형 InGaAlP 클래드층을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 제6항에 있어서, 상기 제2도전형 InGaAlP 클래드층의 표면에 선택적으로 형성된 제2도전형 InGaP 통전용이층; 제2도전형 InGaP 통전용이층 및 제1도전형 GaAs 전류차단층으로 이루어진 표면상에 형성되는 제2도전형 GaAs 캡층; 및 상기 제2도전형 GaAs 캡층의 상부 및 상기 기판의 하부에 각각 형성되는 도전층들을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019930020939A KR100278626B1 (ko) | 1993-10-09 | 1993-10-09 | 반도체 레이저 다이오드 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930020939A KR100278626B1 (ko) | 1993-10-09 | 1993-10-09 | 반도체 레이저 다이오드 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950012847A true KR950012847A (ko) | 1995-05-17 |
| KR100278626B1 KR100278626B1 (ko) | 2001-02-01 |
Family
ID=66824162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019930020939A KR100278626B1 (ko) | 1993-10-09 | 1993-10-09 | 반도체 레이저 다이오드 |
Country Status (1)
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| KR (1) | KR100278626B1 (ko) |
Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| KR100657904B1 (ko) * | 2004-10-27 | 2006-12-14 | 삼성전자주식회사 | 굴절률이 조절된 클래드 층을 지닌 반도체 레이저 다이오드 |
Families Citing this family (1)
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| KR20040050598A (ko) * | 2002-12-10 | 2004-06-16 | 삼성전기주식회사 | 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법 |
-
1993
- 1993-10-09 KR KR1019930020939A patent/KR100278626B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| KR100657904B1 (ko) * | 2004-10-27 | 2006-12-14 | 삼성전자주식회사 | 굴절률이 조절된 클래드 층을 지닌 반도체 레이저 다이오드 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100278626B1 (ko) | 2001-02-01 |
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