KR930003479A - 반도체 레이저 - Google Patents

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KR930003479A
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gas
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KR1019920012550A
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히로유끼 오꾸야마
가쓰히로 아끼모도
Original Assignee
오가 노리오
소니 가부시기가이샤
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 레이저
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본원 발명에 의한 반도체 레이저의 기본 구성도,
제2도는 본원 발명에 의한 반도체 레이저의 일예의 구성도,
제3도는 격자상수 a-에너지밴드갭 Eg과의 관계를 나타낸 측정도.

Claims (15)

  1. GaAs 기체(基體)와, 활성층을 사이에 삽입하여 더불헤터로구조로 상기 GaAs 기체상에 형성되는 상하 2개의 클래드층으로 이루어지고, 상기 클래드층의 최소한 하나는 MgxZnyCd1-x-yS계의 II-VI족 화합물 반도체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저.
  2. 제1항에 있어서, 원자비 x, y는 0<x≤0.90및 0.50≥y>0로 선정되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저.
  3. GaAs기체와, 활성층을 사이에 삽입하여 더블헤테로구조로 상기 GaAs기체상에 형성되는 상하 2개의 클래드층으로 이루어지고, 상기 활성층 및 상기 클래드층은 MgxZnyCd1-x-yS계의 II-VI족 화합물 반도체로 형성되고, 원자비 x, y는 활성층에 있어서는 0<x≤0.64및 0.50≥y>0.11, 클래드층에 있어서는 0.22≤x≤0.90및 0.32≥y>0로 선정되는 것을 특징으로 하는 반도체레이저.
  4. GaAs기체와, 활성층을 사이에 삽입하여 더블헤터로구조로 상기 GaAs 기체상에 형성되는 상하 2개의 클래드층으로 이루어지고, 상기 클래드층의 최소한 하나는 MgSzSe1-z계의 II-VI족 화합물 반도체로 형성되고, 상기활성층은 MgiCd1-iS계의 II-VI족 화합물 반도체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저.
  5. 제4항에 있어서, 원자비 2, i는 0.85≤z≤0.95 및 0.80≤i≤0.90로 선정되는 것을 특징으로하는 반도체 레이저.
  6. InP기체와, 활성층을 사이에 삽입하여 더블헤테로구조로 상기 InP기체상에 형성되는 상하 2개의 클래드층으로 이루어지고, 상기 클래드층의 최소한 하나는 Mg을 함유하는 II-VI족 화합물 반도체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저.
  7. 제6항에 있어서, 상기 클래드층은 MgjZnkCd1-j-kSe계의 II-VI족 화합물 반도체로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저.
  8. 제7항에 있어서, 원자비 j, k는 0<j≤0.95및 0.50≥k≥0.05로 선정되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저.
  9. InP 기체와, 활성층을 사이에 삽입하여 더블헤터로구조로 상기 InP기체상에 형성되는 상하 2개의 클래드층으로 이루어지고 상기 활성층 및 상기 클래드층은 MgjZnkCd1-j-kSe계의 II-VI족 화합물 반도체로 형성되고 ,원자비 j, k는 할성층에 있어서는, 0<j≤0.69 및 0.50≥k≥0.18 상기 클래드층에 있어서는 0.23≤j≤0.95 및 0.37≥k≥0.05로 선정되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저.
  10. InP 기체와, 활성층을 사이에 삽입하여 더블헤테로구조로 상기 InP기체상에 형성되는 상하 2개의 클래드층으로 이루어지고, 상기 활성층은 CdSSe계 또는 ZnCdse계의 II-VI족 화합물 반도체로 형성되고, 상기 클래드층은 MgjZnkCd1-j-kSe계의 II-VI족 화합물 반도제로 형성되고, 원자비 j, k는 0.23≤j≤0.95 및 0.37≥k≥0.05로 선정되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저.
  11. 제6항에 있어서, 상기 클래드층은 MgℓCCd1-ℓSe1-m계의 II-VI족 화합을 반도체로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저.
  12. 제11항에 있어서, 원자비 ℓ, m은 0<ℓ≤l및 0.88≥m≥0.03으로 선정되는 것을 특징으로 하는 반도제 레이저.
  13. 제6항에 있어서, 상기 클래드층은 MgSnSe1-n계의 II-VI족 화합물 반도체로 형성되고, 상기 활겅층은 MgpZn1-pSe계의 II-VI족 화합물 반도체로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저.
  14. 제13항에 있어서, 원자비 n, p는 0.03≤n≤0.13 및 0.85≤p≤0.95로 선정되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저.
  15. 화합물 반도체로 형성되는 기체와, 활성층을 사이에 삽입하여 더블헤테로구조로 상기 화합물 반도체 기체상에 형성되는 상하 2개의 클래드층으로 이루어지고, 상기 2개의 클래드층에서 최소한 상기 기체의 반대측에 형성되는 클래드층은 Mg을 함유하는 II-VI족 화합물 반도체로 형성되고, 상기 Mg은 함유하는 II-VI족 화합물 반도체로 형성되는 상기 클래드층상에 Mg을 함유하지 않고, 잘 산화되지 않는 캡층이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920012550A 1991-07-15 1992-07-15 반도체레이저 KR100243905B1 (ko)

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