KR930018791A - 반도체레이저 - Google Patents

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히로유끼 오꾸야마
가쓰히로 아끼모도
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오가 노리오
소니 가부시기가이샤
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Abstract

본원 발명의 반도체레이저는 반도체기체상에 제1의 도전형의 제1의 클래드층과, 활성층과, 제2도의 도전형의 제2의 클래드층을 에피택셜성장에 의해 순차 적층하여 구성된다. 제1의 클래드층 및/또는 제2의 클래드층은 Mg를 함유하는 섬아연광 (閃亞鉛鑛)정구조의 화합물 반도체재료에 의해 이루어진다.

Description

반도체레이저
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 대표적 화합물 반도체의 각 재료의 격자상수와 밴드갭의 관계를 나타낸 도면.
제2도는 본원 발명의 일실시예에 따른 반도체레이저의 부분사시도.
제3도는 본원 발명의 다른 실시예에 따른 다른 반도체레이저의 부분사시도.
제4도는 밴드갭 및 격자상수의 측정치 x,y(원자비 또는 조성비)를 나타낸 도면.

Claims (9)

  1. 반도체기체(基體)와, 상기 반도체기체상에 에피택셜성장에 의해 적층된 제1의 도전형의 제1의 클래드층과, 상기 제1의 클래드층상에 에피택셜성장에 의해 적층된 활성층과, 상기 활성층상에 에피택셜성장에 의해 적층된 제2의 도전형의 제2의 클래드층으로 이루어지고, 상기 제1의 클래드층 및/또는 상기 제2의 클래드층은 Mg를 함유하는 섬아연광 결정구조의 화합물 반도체재료에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체레이저.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체기체는 GaAs 또는 ZnSe에 의해 이루어지고, 상기 제1 및 제2의 클래드층중 하나는 ZnxMg1-xSySe1-y(x,y는 원자비)의 조성을 가지고, x,y가 0.3≤x1.0,0≤y1.0으로 선정되는 것을 특징으로 하는 반도체레이저.
  3. 제1항에 있어서, 상기 반도체기체는 GaAs 또는 ZnSe에 의해 이루어지고, 상기 제1 및 제2의 클래드층은 모두 ZnxMg1-xSySe1-y(x,y는 원자비)의 조성을 가지고, x,y가 0.3≤x1.0,0≤y1.0으로 선정되는 것을 특징으로 하는 반도체레이저.
  4. 제2항에 있어서, 상기 제1의 클래드층은 n형이고, 상기 제2의 클래드층은 p형이며, 상기 제1의 클래드층은 ZnxMg1-xSySe1-y(x,y는 원자비)의 조성을 가지고, x,y가 0.3≤x1.0,0≤y1.0으로 선정되고, 상기 제2의 클래드층은BeZnSTe또는 BeZnSeTe의 반도체로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체레이저.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제2의 클래드층은 BeaZn1-aSebTe1-b또는 BeaZn1-aSeebTee1-b(a,b는 원자비)의 조성을 가지고, a,b가 0.1≤a≤0.7, 0.5≤b≤0.9로 선정되는 것을 특징으로 하는 반도체레이저.
  6. Gap 기체와 상기 기체상에 에피택셜장치에 의해 적층된 제1의 도전형의 제1의 클래드층과, 상기 제1의 클래드층상에 에피택셜성장에 의해 적층된 활성층과, 상기 활성층상에 에피택셜성장에 의해 적층된 제2의 도전형의 제2의 클래드층으로 이루어지고 상기 제1 및 제2의 클래드층중 하나는 ZnxMg1-xSySe1-y(x,y는 원자비)의 조성을 가지고, x,y가 0.5≤x1.0,0.4≤y1.0으로 선정되는 것을 특징으로 하는 반도체레이저.
  7. Gap 기체와 상기 기체상에 에피택셜장치에 의해 적층된 제1의 도전형의 제1의 클래드층과, 상기 제1의 클래드층상에 에피택셜성장에 의해 적층된 활성층과, 상기 활성층상에 에피택셜성장에 의해 적층된 제2의 도전형의 제2의 클래드층으로 이루어지고 상기 제1 및 제2의 클래드층은 모두 ZnxMg1-xSySe1-y(x,y는 원자비)의 조성을 가지고, x,y가 0.5≤x1.0,0.4≤y1.0으로 선정되는 것을 특징으로 하는 반도체레이저.
  8. 제6항에 있어서, 상기 제1의 클래드층은 n형이고, 상기 제2의 클래드층은 p형이며, 상기 제1의 클래드층은 ZnxMg1-xSySe1-y(x,y는 원자비)의 조성을 가지고, x,y가 0.5≤x1.0,0.4≤y1.0으로 선정되고, 상기 제2의 클래드층은 BeZnSTe 또는 BeZnSeTe의 반도체로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체레이저.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제2의 클래드층은 BeaZn1-aSebTe1-b또는 BeaZn1-aSeebTee1-b(a,b는 원자비)의 조성을 가지고, a,b가 0.1≤a≤0.8, 0.2≤b≤0.9로 선정되는 것을 특징으로 하는 반도체레이저.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019920022687A 1992-02-19 1992-11-28 반도체레이저 KR100246610B1 (ko)

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JP3225392A JP3398966B2 (ja) 1991-02-21 1992-02-19 半導体発光素子
JP92-32,253 1992-02-19

Publications (2)

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KR930018791A true KR930018791A (ko) 1993-09-22
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DE69224054D1 (de) 1998-02-19
SG77568A1 (en) 2001-01-16
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EP0556461B1 (en) 1998-01-14
EP0556461A3 (en) 1993-12-01
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