JPH0818168A - Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体発光素子 - Google Patents

Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体発光素子

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JPH0818168A
JPH0818168A JP27528594A JP27528594A JPH0818168A JP H0818168 A JPH0818168 A JP H0818168A JP 27528594 A JP27528594 A JP 27528594A JP 27528594 A JP27528594 A JP 27528594A JP H0818168 A JPH0818168 A JP H0818168A
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layer
doped region
compound semiconductor
semiconductor light
impurity
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JP27528594A
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Inventor
Akira Ishibashi
晃 石橋
Satoru Ito
哲 伊藤
Hiroyuki Okuyama
浩之 奥山
Kazushi Nakano
一志 中野
Kenji Kondo
憲治 近藤
Reiko Takeishi
玲子 武石
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/28—Materials of the light emitting region containing only elements of group II and group VI of the periodic system
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/327—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIBVI compounds, e.g. ZnCdSe-laser

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素子の長寿命
化を図る。 【構成】 ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素子におい
て、ｐ側クラッド層６の活性層側の部分２６を低不純物
ドープ領域にして構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば発光ダイオー
ド、半導体レーザ等に用いられるＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体発光素子、特に緑色、青色半導体発光素子に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】レーザ光によって記録あるいは再生、も
しくはその双方を行う例えば光磁気記録において、記録
密度の向上からその光源のレーザとして、短波長例えば
青色半導体レーザを用いることの要求が高まっており、
この種の半導体レーザとしてＩＩ−ＶＩ族のＺｎＭｇＳ
Ｓｅ系の半導体レーザが注目されている
【０００３】ＺｎＳｅ，ＺｎＳＳｅ，ＺｎＭｇＳＳｅ等
のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体へのｐ型不純物ドーピング
は一般的に困難であり、窒素Ｎによりようやく実現され
るに至った。ホール濃度の上限値はＺｎＳｅで〜１×１
０18ｃｍ-3，ＺｎＭｇＳＳｅ系に至っては、〜２×１０
17ｃｍ-3とかなり低い値に止まっている。窒素Ｎそのも
のは結晶中に導入されていることは確認されているの
で、ホール濃度に反映されない窒素Ｎは不活性化してい
ると考えられる。その大部分は格子間原子になっている
と考えられる。
【０００４】このＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のＺｎＭｇ
ＳＳｅ系半導体レーザは、例えば図１４に示すように、
ｎ型ＧａＡｓ基板１の一主面上に順次ｎ型のＺｎＭｇＳ
Ｓｅによる第１のクラッド層２、ｎ型のＳを含むか含ま
ないＺｎＳｅ（以下Ｚｎ（Ｓ）Ｓｅと記す）による第１
のガイド層３、ＺｎＣｄＳｅ層による活性層４、ｐ型の
Ｚｎ（Ｓ）Ｓｅによる第２のガイド層５、ｐ型のＺｎＭ
ｇＳＳｅによる第２のクラッド層６が形成されたＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体レーザ部７を有して成る。そして、
これの上にキャップ層としてのｐ型のＺｎ（Ｓ）Ｓｅに
よる第１の半導体層８と、ＺｎＳｅとＺｎＴｅとの多重
量子井戸構造（ＭＱＷ）の第２の半導体層９と、ｐ型の
ＺｎＴｅによる第３の半導体層１０とが順次エピタキシ
ーされた後、第２及び第３の半導体層９及び１０が中央
部をストライプ状に残るように選択エッチングされ、エ
ッチング除去された両側部分に絶縁層例えばポリイミド
層１３が埋め込まれる。さらに、第３の半導体層１０上
にＰｄ，Ｐｔ，Ａｕが順次被着された多層構造によるｐ
側の金属電極１１がオーミックにコンタクトされてｐ側
電極部１２が構成される。また、基板１の他の面には、
例えばＩｎによる電極１３がオーミックにコンタクトさ
れる。
【０００５】ところで、この種のＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体レーザにおいては、室温での連続発振が達成されて
はいるものの、秒オーダであり寿命が極めて短いものし
か得られない。これが為に、高密度光磁気記録用の光ピ
ックアップ装置への実用化が阻害されていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述の点に
鑑み、長寿命のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素子を提
供するものである。
【０００７】すなわち、本発明者等は、活性層に近いｐ
側領域、中でもクラッド層６において、比抵抗を下げる
べくｐ型不純物である例えば窒素（Ｎ）のドープ濃度を
増していったとき、これに伴って格子間に入る窒素（以
下格子間窒素Ｎint という）が増え、この格子間窒素Ｎ
int が結晶内で点欠陥となり、或いは、更に別の点欠陥
を誘起して転移の増殖に寄与する結果、この格子間窒素
Ｎint の濃度がＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素子の寿
命に悪影響を及ぼすことを究明するに至り、ｐ型不純物
のドープ濃度を抑制することによって、長寿命のＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体発光素子を構成するに至った。
【０００８】
【課題を解決するための手段】第１の発明のＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体発光素子は、ｐ側クラッド層６の活性層
４側を低不純物ドープ領域又はノンドープ領域とした構
成とする。
【０００９】第２の発明は、第１の発明のＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体発光素子において、その低不純物ドープ領
域又はノンドープ領域を活性層４に接する部分に設けた
構成とする。
【００１０】第３の発明は、第１の発明のＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体発光素子において、その低不純物ドープ領
域又はノンドープ領域をガイド層５に接する部分に設け
た構成とする。
【００１１】第４の発明は、第３の発明のＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体発光素子において、低不純物ドープ領域を
ガイド層５に設けた構成とする。
【００１２】第５の発明は、第４の発明のＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体発光素子において、そのガイド層５の活性
層４に接する部分をノンドープ領域とした構成とする。
【００１３】第６の発明は、第４又は第５の発明のＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体発光素子において、その低不純物
ドープ領域の不純物ドープ濃度をクラッド層６側よりガ
イド層５側が小となる構成とする。
【００１４】第７の発明は、第１、第２、第３、第４、
第５又は第６の発明のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素
子において、ｐ側クラッド層６の不純物ドープ濃度を活
性層４側に向って段階的に減少した構成とする。
【００１５】第８の発明のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発
光素子は、ガイド層５の活性層４側を低不純物ドープ領
域又はノンドープ領域とした構成とする。
【００１６】第９の発明は、第１、第２、第３、第４、
第５、第６、第７又は第８の発明のＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体発光素子において、その低不純物ドープ領域が２
×１０17ｃｍ-3以下、望ましくは、１×１０17ｃｍ-3以
下の格子間不純物濃度を有した構成とする。
【００１７】第１０の発明は、第１、第２、第３、第
４、第５、第６、第７又は第８の発明のＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体発光素子において、組成がＺｎＭｇＳＳｅの
ときの低不純物ドープ領域の不純物ドープ濃度を７×１
０17ｃｍ-3以下とした構成とする。
【００１８】第１１の発明は、第１０の発明のＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体発光素子において、ＺｎＭｇＳＳｅの
バンドギャップエネルギーが２．９ｅＶ以上のときの低
不純物ドープ領域の不純物ドープ濃度が２×１０17ｃｍ
-3以下とした構成とする。
【００１９】第１２の発明は、第１、第２、第３、第
４、第５、第６、第７又は第８の発明のＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体発光素子において、組成がＺｎ（Ｓ）Ｓｅの
ときの低不純物ドープ領域の不純物ドープ濃度が８×１
０17ｃｍ-3以下とした構成とする。
【００２０】第１３の発明のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
発光素子は、ｐ側ガイド層５の活性層４に接する領域を
ノンドープ領域とし、ｐ側ガイド層５のノンドープ領域
以外の領域をドープ領域とした構成とする。
【００２１】第１４の発明は、第１３の発明のＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体発光素子において、ｐ側クラッド層６
の活性層４側をノンドープ領域とした構成とする。
【００２２】
【作用】第１の発明においては、ｐ側クラッド層６の活
性層４側を低不純物ドープ領域又はノンドープ領域とす
ることにより、ｐ側クラッド層６の活性層４側では格子
間不純物濃度が下がり、格子間不純物による点欠陥の導
入が抑制され、非発光再結合要因を低減、若しくは除く
ことができ、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素子の長寿
命化が図れる。
【００２３】第２の発明においては、低不純物ドープ領
域又はノンドープ領域をｐ側クラッド層６の活性層４に
接する部分に設けることにより、活性層４を挟んで直接
クラッド層６を配したいわゆるＤＨ構造のＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体発光素子の長寿命化を図ることができる。
【００２４】第３の発明においては、低不純物ドープ領
域又はノンドープ領域をｐ側クラッド層６のガイド層５
に接する部分に設けることにより、活性層４を挟んでガ
イド層５を配し、さらにその外側にクラッド層６を配し
たいわゆるＳＣＨ構造のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光
素子の長寿命化を図ることができる。
【００２５】第４の発明においては、ＳＣＨ構造のＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体発光素子において、ｐ側クラッド
層６のガイド層５に接する部分を低不純物ドープ領域又
はノンドープ領域とすると共に、ガイド層５内にも低不
純物ドープ領域を設けることにより、より長寿命化を図
ることができる。
【００２６】第５の発明においては、第４の発明のＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体発光素子において、さらにガイド
層５の活性層４に接する部分をノンドープ領域とするこ
とにより、さらに活性層近傍部の点欠陥が除去され、更
に長寿命化を図ることができる。
【００２７】第６の発明においては、低不純物ドープ領
域をｐ側クラッド層６のガイド層５に接する部分からガ
イド層５にわたって形成し、その低不純物ドープ領域の
不純物ドープ濃度をクラッド層６側よりガイド層５側を
小となすことにより、活性層４に近づくに従って点欠陥
の導入が減り、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素子の長
寿命化が図れる。
【００２８】第７の発明においては、さらにｐ側クラッ
ド層６の不純物ドープ濃度を活性層４側に向って段階的
に減少することにより、活性層４に近い部分での点欠陥
の導入が減ると共に、それ以外の部分での抵抗が下が
り、動作電圧の上昇を抑えつつ長寿命化を図ることがで
きる。
【００２９】第８の発明においては、ＳＣＨ構造のＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体発光素子において、ガイド層５の
活性層４側を低不純物ドープ領域又はノンドープ領域と
することにより、点欠陥の影響が除かれ長寿命化が図れ
る。この発明では、いわゆるガイド層５の厚さが大きい
ＳＣＨ構造にも適する。
【００３０】第９の発明においては、低不純物ドープ領
域を、２×１０17ｃｍ-3以下、望ましくは、１×１０17
ｃｍ-3の格子間不純物濃度を有する低不純物ドープ領域
で構成することにより、点欠陥の害を抑え長寿命化が図
れる。
【００３１】第１０の発明においては、組成がＺｎＭｇ
ＳＳｅのとき、低不純物ドープ領域の不純物ドープ濃度
を７×１０17ｃｍ-3以下とすることにより、格子間不純
物濃度を２×１０17ｃｍ-3以下とすることができ、点欠
陥導入を抑制することができる。
【００３２】第１１の発明においては、ＺｎＭｇＳＳｅ
のバンドギャップエネルギーが、２．９ｅＶ以上のとき
の低不純物ドープ領域の不純物ドープ濃度を３×１０17
ｃｍ -3以下とすることにより、格子間不純物濃度を１．
４×１０17ｃｍ-3以下とすることができ、点欠陥導入を
抑制することができる。
【００３３】第１２の発明においては、組成がＺｎ
（Ｓ）Ｓｅのとき、低不純物ドープ領域の不純物ドープ
濃度を８×１０17ｃｍ-3以下とすることにより、格子間
不純物濃度を２×１０17ｃｍ-3以下にすることができ、
点欠陥導入を抑制することができる。
【００３４】上述したこれらの発明においては、低不純
物濃度領域を形成することは、直列抵抗値上昇とのトレ
ードオフの関係にあるが、長寿命化に関しては、低不純
物濃度領域を設けることが良いことを見出した。
【００３５】第１３の発明においては、ｐ側ガイド層５
の活性層４に接する領域をノンドープ領域とし、ｐ側ガ
イド層５のノンドープ領域以外の領域をドープ領域とす
ることにより、点欠陥の影響が除かれるとともにｐ側ク
ラッド層６への電子のオーバーフローが低減して長寿命
化が図られ、同時にしきい電流値Ｉｔｈが低下する。
【００３６】第１４の発明においては、第１３の発明の
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素子において、さらにｐ
側クラッド層６の活性層４側をノンドープ領域とするこ
とにより、更に点欠陥の導入が抑制され更なる長寿命化
が図れる。
【００３７】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。実施例はＩＩ−ＶＩ族化合物半導体レーザに適用
した場合である。
【００３８】図１は本発明の一実施例を示す。本例は、
例えばＳｉドープのｎ型の単結晶ＧａＡｓよりなる基板
１を用意する。この基板１の一主面上に順次Ｃｌドープ
のｎ型のＺｎＭｇＳＳｅによる例えば厚さ０．８μｍの
第１のクラッド層２、Ｃｌドープのｎ型のＺｎ（Ｓ）Ｓ
ｅによる例えば厚さ１２０ｎｍの第１のガイド層３、Ｚ
ｎＣｄＳｅによる例えば厚さ７ｎｍの活性層４、Ｚｎ
（Ｓ）Ｓｅによる例えば厚さが１２０ｎｍの第２のガイ
ド層５、窒素Ｎドープのｐ型のＺｎＭｇＳＳｅによる例
えば厚さ０．６μｍの第２のクラッド層６をエピタキシ
ーして半導体レーザ部７を形成する。
【００３９】そして、本例では、ｐ側領域である第２の
クラッド層６から第２のガイド層５にかけて活性層４側
の窒素ドープ濃度が漸次低減する多段階のｐ型不純物で
ある窒素ドープ濃度分布を呈するように構成する。即
ち、図示の例では第２のガイド層５においては、活性層
４に接する部分をＺｎ（Ｓ）Ｓｅ層によるノンドープ領
域２１とし、第２のクラッド層５側を後述するｐ型Ｚｎ
（Ｓ）Ｓｅによる低不純物ドープ領域２２となし、第２
のクラッド層６においては、その第２のガイド層５に接
する部分を後述する低不純物ドープ領域２３とし、その
他の部分を高不純物ドープ領域２４と成す。多段階のｐ
型不純物ドープ濃度分布は、少くとも第２のクラッド層
５に有せしめるを可とし、且つ２段階以上とするを可と
する。
【００４０】続いて、この半導体レーザ部７上にｐ側電
極部１２を構成する。このｐ側電極部１２は、第２のク
ラッド層６上に例えば窒素Ｎドープのｎ型のＺｎ（Ｓ）
Ｓｅによる例えば厚さ０．６μｍのキャップ層となる第
１の半導体層８と、ＺｎＳｅとＺｎＴｅとの多重量子井
戸構造（ＭＱＷ）による第２の半導体層９と、窒素Ｎド
ープのｎ型のＺｎＴｅによる第３の半導体層１０とを連
続エピタキシーによって形成し、その後、第２及び第３
の半導体層９及び１０の中央部がストライプ状に残るよ
うに選択的にエッチングし、エッチング除去された、両
側部分に絶縁層例えばポリイミド層１３を埋め込み、さ
らに、ストライプ状の第３の半導体層１０上に、Ｐｄ，
Ｐｔ，Ａｕが順次積層された多層構造による金属電極１
１をオーミックにコンタクトすることによって形成す
る。基板１の他方の主面には、Ｉｎによる他方の電極１
４をオーミックコンタクトする。
【００４１】図１０は、クラッド層２，６を構成するＺ
ｎＭｇＳＳｅ（室温におけるバンドギャップエネルギー
が２．７４ｅＶ）にｐ型不純物である窒素をドーピング
したときの、窒素ドープ濃度〔Ｎ〕に対する活性化され
たアクセプタ濃度（ＮA −Ｎ D ）及び格子間窒素Ｎint
の濃度を示している。曲線Ｉはアクセプタ濃度、曲線Ｉ
Ｉは格子間窒素濃度を夫々示す。
【００４２】アクセプタ濃度は、窒素ドープ濃度が７×
１０17ｃｍ-3から飽和し始める。この飽和開始点Ｓは、
両接線ａ及びｂの交点で定義する。領域Ａが飽和領
（〔Ｎ〕＞７×１０17ｃｍ-3）となり、領域Ｂが非飽和
領域（〔Ｎ〕≦７×１０17ｃｍ-3）となる。格子間窒素
濃度は、窒素ドープ濃度〔Ｎ〕が増えるに従って増加し
ていく。
【００４３】ここで、格子間窒素Ｎint による点欠陥の
導入を抑えるには、一応の目安として、格子間窒素濃度
を２×１０17ｃｍ-3以下、好ましくは１×１０17ｃｍ-3
以下に抑えるのが望ましい。格子間窒素濃度が２×１０
17ｃｍ-3を越えると、格子間窒素の拡散が激しくなる。
この図１０から、格子間窒素濃度を２×１０17ｃｍ-3以
下とするには、窒素ドープ濃度〔Ｎ〕を７×１０17ｃｍ
-3以下、格子間窒素濃度を１×１０17ｃｍ-3以下とする
には窒素ドープ濃度〔Ｎ〕を５×１０17ｃｍ-3以下とす
ることができる。
【００４４】ＺｎＭｇＳＳｅでは、バンドギャップエネ
ルギーが広くなるに従って、アクセプタ濃度が低いとこ
ろで飽和する。図１１は、室温におけるバンドギャップ
エネルギーが２．９０ｅＶのＺｎＭｇＳＳｅのアクセプ
タ濃度（ＮA −ＮD ）及び格子間窒素濃度を示す。曲線
ＩＩＩはアクセプタ濃度、曲線ＩＶは格子間窒素濃度を
夫々示す。図１１では、窒素ドープ濃度〔Ｎ〕を３×１
０17ｃｍ-3以下にすれば、格子間窒素濃度を１．４×１
０17ｃｍ-3以下とすることができる。
【００４５】図１２は、ガイド層を構成するＺｎＳｅに
ｐ型不純物である窒素Ｎをドーピングしたときの窒素ド
ープ濃度〔Ｎ〕に対する活性化されたアクセプタ濃度
（ＮA−ＮD ）と格子間窒素濃度を示している。曲線Ｖ
はアクセプタ濃度、曲線ＶＩは格子間窒素濃度を示す。
この図１２から格子間窒素濃度を２×１０17ｃｍ-3以下
とするには、窒素ドープ濃度〔Ｎ〕を８×１０17ｃｍ-3
以下にし、格子間窒素濃度を１×１０17ｃｍ-3以下とす
るには窒素ドープ濃度〔Ｎ〕を６×１０17ｃｍ-3以下と
すればよい。なお、ＺｎＳｅに６％程度のＳを含むＺｎ
ＳＳｅの場合は、図１０のＺｎＳｅの濃度分布に準ず
る。
【００４６】しかして、図１の実施例では、図１０の濃
度分布図に基づき、第２のクラッド層６のガイド層５に
接する部分２３以外の主要部分２４を、総抵抗の上昇を
抑えるべくアクセプタ濃度が飽和領域Ａに存するよう
に、窒素ドープ濃度〔Ｎ〕が〔Ｎ〕＞７×１０17ｃｍ-3
の高不純物ドープ領域とし、第２のクラッド層６のガイ
ド層５に接する部分２３を、窒素ドープ濃度〔Ｎ〕が
〔Ｎ〕≦５×１０17ｃｍ-3、望ましくは〔Ｎ〕≦１×１
０17ｃｍ-3の低不純物ドープ領域とする。
【００４７】〔Ｎ〕≦５×１０17ｃｍ-3では、アクセプ
タ濃度が３×１０17ｃｍ-3以下となり、格子間窒素Ｎ
int が１×１０17ｃｍ-3以下になるので、格子間窒素Ｎ
int が低減すると共に、格子間窒素Ｎint の拡散が抑え
られる。格子間窒素がこの値であれば、点欠陥の害を抑
えることができる。〔Ｎ〕≦１×１０17ｃｍ-3では、ア
クセプタ濃度が８×１０16ｃｍ-3以下となり、格子間窒
素Ｎint が１×１０16ｃｍ-3以下となる。格子間窒素が
この値以下であれば点欠陥はほぼ無視できる。
【００４８】更に、図１の第２のガイド層５において
は、図１２の濃度分布図に基づき、ｐ型クラッド層６に
接する部分２２を、窒素ドープ濃度〔Ｎ〕が〔Ｎ〕≦２
×１０ 17ｃｍ-3の低不純物ドープ領域とし、ガイド層５
の活性層４に接する部分２１をノンドープ領域としてい
る。Ｚｎ（Ｓ）Ｓｅのガイド層の窒素ドープ濃度〔Ｎ〕
が〔Ｎ〕≦２×１０17ｃｍ-3とするときは、格子間窒素
濃度が１×１０16ｃｍ-3以下となる。即ち、図１の実施
例では、窒素ドープ濃度に関してクラッド層６及びガイ
ド層５を含めて活性層４側が低ドープ濃度となるような
多段階ドープ濃度分布を有するように構成される。
【００４９】上述の図１の構成によるＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体レーザ２５によれば、ｐ型の第２のクラッド層
６及びｐ型の第２のガイド層５にわたって多段階の不純
物ドープ濃度分布をもたせ、特に、クラッド層６のガイ
ド層５に接する部分２３を〔Ｎ〕≦５×１０17ｃｍ-3の
低不純物ドープ領域とすることにより、活性層４に近い
部分での格子間窒素の濃度を低減することができ、格子
間窒素による活性層近傍での点欠陥（非発光再結合要
因）の導入を抑制することができる。即ち、前述したよ
うに、クラッド層６の低不純物ドープ領域２３における
格子間窒素濃度が例えば１×１０17ｃｍ-3以下の場合に
は、格子間窒素Ｎint による点欠陥の害を抑えることが
でき、格子間窒素濃度が１×１０16ｃｍ-3以下の場合に
は、格子間窒素Ｎint による点欠陥がほぼ無視できるこ
とになる。ガイド層５では、クラッド層６側の部分２２
の窒素ドープ濃度〔Ｎ〕が２×１０17ｃｍ-3以下である
ので格子間窒素濃度は１×１０16ｃｍ-3以下となり、活
性層４側の部分２１がノンドープ領域であるために格子
間窒素がなく、従って、点欠陥の影響は無視できる。
【００５０】一方、クラッド層６の主要部分２４では、
窒素ドープ濃度〔Ｎ〕が〔Ｎ〕＞７×１０17ｃｍ-3の高
不純物ドープ領域であるため低抵抗化される。
【００５１】従って、ｐ型クラッド層６の高不純物ドー
プ領域２４により半導体レーザの全電圧、即ち動作電圧
の上昇を抑えつつ、低不純物ドープ領域２３、２２、ノ
ンドープ領域２１により長寿命化を図ることができ、Ｉ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体レーザ、即ち緑色、青色半導体
レーザの実用化が促進される。
【００５２】図２は本発明の他の実施例を示す。本例
は、特に第２のガイド層５をｐ型ガイド層として形成
し、そのクラッド層６側の部分２８を格子間窒素濃度が
５×１０16ｃｍ-3以下となるような窒素ドープ濃度とす
ると共に、活性層４に接する部分２７を部分２８より低
い窒素ドープ量として構成する。他の構成は、図１と同
様であるので、同一符号を付して重複説明を省略する。
【００５３】かかる図２の構成のＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体レーザ２９においても、活性層４に近い部分での格
子間窒素Ｎint が少ないため、上例と同様に、動作電圧
の上昇を抑えつつ、点欠陥の導入を抑制して長寿命化を
図ることができる。
【００５４】図３は本発明の他の実施例を示す。本例
は、第２のガイド層５をノンドープ領域、或いは格子間
窒素濃度が５×１０16ｃｍ-3以下となるｐ型領域とな
し、ｐ型の第２のクラッド層６のガイド層に接する部分
２３を、窒素ドープ濃度〔Ｎ〕が〔Ｎ〕≦５×１０17ｃ
ｍ-3、望ましくは〔Ｎ〕≦１×１０17ｃｍ-3の低不純物
ドープ領域とする。クラッド層６の他の部分２４は上例
と同様に窒素ドープ濃度〔Ｎ〕が７×１０17ｃｍ-3より
多い高不純物ドープ領域とする。その他の構成は、図１
と同様であるので同一符号を付して重複説明を省略す
る。
【００５５】かかる図３の構成のＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体レーザ３１においても、動作電圧の上昇を抑えつ
つ、点欠陥導入を抑制して長寿命化を図ることができ
る。
【００５６】図４は本発明の他の実施例を示す。本例
は、第２のガイド層５をノンドープ領域、或は格子間窒
素濃度が５×１０ 16ｃｍ-3以下となるｐ型領域にし、ｐ
型の第２のクラッド層６のガイド層５に接する部分３２
をノンドープ領域として構成する。クラッド層６のガイ
ド層に接する部分３２を除く他の主要部分２４は、上例
と同様に、窒素ドープ濃度〔Ｎ〕が７×１０17ｃｍ-3よ
り多い高不純物ドープ領域とする。その他の構成は、図
１と同様であるので、同一符号を付して重複説明を省略
する。
【００５７】かかる図４の構成のＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体レーザ３３においても、クラッド層６のガイド層５
と接する部分３２をノンドープ領域とすることによっ
て、活性層近傍での格子間窒素の導入を抑えることがで
き、動作電圧の上昇を抑えつつ、点欠陥の導入を抑制し
て長寿命化を図ることができる。
【００５８】図５は本発明の他の実施例を示す。本例
は、第２のクラッド層６を通常の不純物濃度のｐ型領域
とし、第２のガイド層５のクラッド層６側の部分４３を
通常の不純物濃度のｐ型領域とすると共に、第２のガイ
ド層５の活性層４に接する部分４４をノンドープ領域又
は上述の低不純物ドープ領域として構成する。他の構成
は、図１と同様であるので、同一符号を付して重複説明
は省略する。
【００５９】かかる図５の構成のＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体レーザ４５においても、ガイド層５の活性層４に接
する部分４４をノンドープ領域又は低不純物ドープ領域
とすることによって、活性層近傍での格子間窒素の導入
を抑えることができ、動作電圧の上昇を抑えつつ、点欠
陥の導入を抑制して長寿命化を図ることができる。
【００６０】図１〜図５の実施例は、いずれも活性層を
ガイド層によって挟み、その外側にクラッド層を配置す
るいわゆるＳＣＨ（Separate Continement Heterostruc
ture）構造においてそのガイド層の厚さが９００Å〜１
２００Å程度の狭い構造のものに適用した場合である
が、ガイド層が例えば１５００Å或は２０００Åを越え
るような大きい厚さのＳＣＨ構造に適用した実施例を図
６に示す。
【００６１】図６の実施例においては、第２のガイド層
５の活性層４に接する部分３５をそれ以外の部分３６よ
り窒素ドープ濃度が少ない、例えば窒素ドープ濃度
〔Ｎ〕が８×１０17ｃｍ-3以下、好ましくは６×１０17
ｃｍ-3以下の低不純物ドープ領域又はノンドープ領域と
する。ｐ型の第２のクラッド層６はアクセプタ濃度が飽
和領域Ａに存する高不純物ドープ領域で構成する。その
他の構成は図１と同様であるので、同一符号を付し重複
説明を省略する。
【００６２】尚、部分３６から部分３５にかけて窒素ド
ープ濃度を８×１０17ｃｍ-3以下として且つ活性層に向
って段階的に減少させる構成とすることもできる。
【００６３】かかる図６の構成のＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体レーザ３７においても、ガイド層５に活性層４側が
低濃度となるような段階的な窒素ドープ濃度分布をもた
せることにより、格子間窒素による点欠陥の導入を抑え
て長寿命化を図ることができる。
【００６４】図７は、本発明の他の実施例を示す。本例
は、活性層を直接クラッド層で挟んだいわゆるＤＨ（Do
uble Heterostructure）構造のＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体レーザに適用した場合である。本例においては、図６
に示すように、例えばＳｉドープのｎ型の単結晶ＧａＡ
ｓ基板１の一面上に、順次Ｃｌドープのｎ型のＺｎＭｇ
ＳＳｅによる第１のクラッド層２、ＺｎＣｄＳｅによる
活性層４、窒素Ｎドープのｐ型のＺｎＭｇＳＳｅによる
第２のクラッド層６をエピタキシーして半導体レーザ部
７を形成する。本例では、特に、第２のクラッド層６に
おいて、活性層４に接する部分３９を図１で述べた低不
純物ドープ領域又はノンドープ領域となし、それ以外の
部分４０を高不純物ドープ領域として構成する。なお、
第２のクラッド層６の活性層４に接する部分３９をノン
ドープ領域とすることも可能である。続いて、図１で説
明したと同様のｐ側電極部を形成し、基板１の他の主面
に他方の電極１４を形成する。
【００６５】かかる図７の構成のＤＨ構造のＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体レーザ４１においても、ｐ型の第２のク
ラッド層６の活性層４に接する部分３９が低不純物ドー
プ領域、或はノンドープ領域で形成されるので活性層近
傍部分での点欠陥の導入を抑制して半導体レーザの長寿
命化を図ることができる。
【００６６】図８は、本発明の他の実施例を示す。本例
は、第２のガイド層５において、その活性層４に接する
領域をノンドープ領域４２とするとともに、それ以外の
領域をアクセプタ濃度が飽和領域に存する高不純物ドー
プ領域（いわゆるｐ型ガイド領域）４３となし、また、
第２のクラッド層６において、ガイド層５に接する領域
をノンドープ領域４４とするとともに、それ以外の領域
をアクセプタ濃度が飽和領域に存する高不純物ドープ領
域４５となして構成する。
【００６７】ここで、第２のガイド層５のノンドープ領
域４２の厚さｔ1 は３００Å〜９００Å、ドープ領域４
３の厚さｔ2 は９００Å〜３００Å、第２のクラッド層
６のノンドープ領域４４の厚さｔ3 は５０Å〜２０００
Å、ドープ領域４５の厚さｔ 4 は７５００Å〜５５００
Åとすることができる。図８の実施例ではガイド層５の
ノンドープ領域４２の厚さｔ1 を７００Å、ドープ領域
４３の厚さｔ2 を５００Å、第２のクラッド層６のノン
ドープ領域４４の厚さｔ3 を５００Å、ドープ領域４５
の厚さｔ4 を７１００Åとした。なお、その他、第１の
クラッド層２の厚さは７６００Å、第１のガイド層３の
厚さは１２００Å、活性層４の厚さは７０Å、キャップ
層８の厚さは４０００Åとした。その他の構成は、図１
と同様であるので同一符号を付して重複説明を省略す
る。
【００６８】かかる図８の構成のＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体レーザ４６によれば、ｐ側のガイド層５の活性層４
に接する領域をノンドープ領域４２とし、ｐ側のクラッ
ド層６のガイド層５に接する領域をノンドープ領域４４
とすることにより、点欠陥の導入を制御し、しかもｐ側
のクラッド層６への電子のオーバーフローを低くするこ
とができ、長寿命化を図ることができる。同時に、しき
い電流値Ｉｔｈを低下することができる。
【００６９】ｐ側のガイド層５のノンドープ領域４２の
厚さｔ1 が３００Åより小さいと、点欠陥を制御する効
果が得られず、厚さｔ1 が９００Åを越えるとｐ側のク
ラッド層６への電子のオーバーフロー、しきい電流値Ｉ
ｔｈがともに大きくなる。また、ｐ側クラッド層６のノ
ンドープ領域４４の厚さｔ3 が５０Åより小さくなると
点欠陥の抑制効果が得られず、厚さｔ3 が２０００Åを
越えると総抵抗の上昇の影響が生じる。
【００７０】図９は、本発明の更に他の実施例を示す。
本例は、第２のガイド層５において、その活性層４に接
する領域をノンドープ領域４２とするとともにそれ以外
の領域をアクセプタ濃度が飽和領域に存する高不純物ド
ープ領域４３となし、第２のクラッド層６はアクセプタ
濃度が飽和領域に存する高不純物ドープ領域となして構
成する。
【００７１】第２のガイド層５のノンドープ領域４２の
厚さｔ1 は３００Å〜９００Å、本例では７００Åと
し、ドープ領域４３の厚さｔ2 は９００Å〜３００Å、
本例では５００Åとする。他の第１のクラッド層２及び
第２のクラッド層６の厚さは例えば夫々７６００Å、第
１のガイド層３の厚さは例えば１２００Å、活性層４の
厚さは例えば７０Å、キャップ層８の厚さは例えば４０
００Åとした。その他の構成は、図１と同様であるので
同一符号を付して重複説明を省略する。
【００７２】かかる図９の構成のＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体レーザ４７においても、ｐ側のガイド層５の活性層
４に接する厚さｔ1 の領域をノンドープ領域４２とする
ことにより、点欠陥の導入を制御し、且つｐ側のクラッ
ド層６への電子のオーバーフローを低くすることができ
長寿命化を図ることができると共に、しきい電流値Ｉｔ
ｈを低下することができる。
【００７３】但し、図８の半導体レーザ４６では、第２
のクラッド層６にもノンドープ領域４４を形成している
ため、図９の半導体レーザ４７に比較して、点欠陥の導
入抑制効果が大きい。
【００７４】図１３は、図８の構成の半導体レーザ４６
と図９の構成の半導体レーザ４７と、図４において第２
のガイド層５をノンドープ領域とし、第２のクラッド層
６のガイド層５に接する部分３２をノンドープ領域とし
た構成の半導体レーザ３３とを比較したしきい電流値Ｉ
ｔｈ、及びｐ側のクラッド層６への電子のオーバーフロ
ー（Ｐｎ）のシミュレーション結果を示すグラフであ
る。同図中、曲線ＶＩＩはしきい電流値Ｉｔｈ、曲線Ｖ
ＩＩＩは電子のオーバーフロー（Ｐｎ）である。なお、
このときの図４の半導体レーザ３３は、第１のクラッド
層２の厚さを７６００Å、第１のガイド層３の厚さを１
２００Å、活性層４の厚さを７０Å、第２のガイド層５
の厚さを１２００Å、第２のクラッド層６のノンドープ
領域３２の厚さを５００Å及びドープ領域２４の厚さを
７１００Åとした。
【００７５】この図１３のグラフから明らかなように、
図４の半導体レーザ３３に比較して、図８及び図９の半
導体レーザ４６及び４７の方が、しきい電流値Ｉｔｈ、
電子のオーバーフロー（Ｐｎ）ともに低下する。即ち、
ｐ側のクラッド層６、ガイド層５のノンドープ領域が大
きくなると、バリアが実効的に低くなるため、ｎ側から
の電子のオーバーフローが増える。従って、この図８及
び図９のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体レーザ４６及び４７
の構成をとることによって、更にｐ側クラッド層への電
子のオーバーフローを抑制して長寿命化を図ることがで
きると共に、しきい値電流Ｉｔｈの上昇を抑えることが
でき、青色半導体レーザの実用化を促進できる。
【００７６】尚、上例ではｐ型不純物として窒素Ｎを用
いたが、その他インジウムＩｎ等、他のＩ族又はＩＶ族
の元素を用いても同様の効果が得られる。
【００７７】又、上例ではクラッド層３，６としてＺｎ
ＭｇＳＳｅを用いたが、その他、例えばＺｎＭｇＳＳｅ
とＺｎＳｅとの超格子構造を用いてもよく、この場合に
も格子間不純物が２×１０17ｃｍ-3以下となるようにそ
の組成に対応して活性層側の低不純物ドープ領域の不純
物ドープ濃度が選定される。
【００７８】又、上述のｐ型不純物である窒素Ｎのドー
プ濃度を段階的に制御する方法としては、プラズマ励起
された活性窒素を用いた場合、その窒素供給量の変化又
は／及びプラズマパワーの変化によって制御することが
できる。
【００７９】更に、上例では、格子間窒素の影響の大き
いｐ側領域のクラッド層６及び／又はガイド層５の活性
層側を低不純物ドープ領域又はノンドープ領域として構
成したが、その他、ｎ側領域のクラッド層２及び／又は
ガイド層３に対して同様の構成を採ることも可能であ
る。
【００８０】上述したように、本発明によれば、室温連
続（ＣＷ）発振で且つ長寿命のＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体レーザ即ち、緑色、青色半導体レーザを得ることがで
きるものであり、従って、例えば高密度光磁気記録にお
ける光ピックアップ装置の実用化を促進できる。上例で
は、本発明をＩＩ−ＶＩ族化合物半導体レーザに適用し
た場合であるが、その他、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体に
よる発光ダイオードにも適用することができる。
【００８１】
【発明の効果】上述したように、本発明構成によれば、
ｐ側クラッド層の活性層側を低不純物ドープ領域又はノ
ンドープ領域とする構成を採ることから、活性層近傍で
の格子間不純物による点欠陥導入を抑え、ＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体発光素子の長寿命化を図ることができる。
【００８２】本発明では、ＤＨ構造、ＳＣＨ構造のいず
れのＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素子に対しても長寿
命化を図ることができる。
【００８３】加えて、ＳＣＨ構造のＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体発光素子において、ｐ側のクラッド層からガイド
層にかけて低不純物ドープ領域又はノンドープ領域の構
成を採ることにより更に長寿命化させることができる。
【００８４】また上記低ドープ領域を有するＳＣＨ構造
のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素子において、更にガ
イド層の活性層に接する部分をノンドープ領域とするこ
とにより更に活性層近傍での点欠陥導入が抑えられ、更
なる長寿化が図れる。
【００８５】更に、上記ＳＣＨ構造のＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体発光素子において、ｐ側のクラッド層からガイ
ド層にかけて低不純物ドープ領域の不純物ドープ濃度を
活性層側が小となるように選定することにより、格子間
不純物による点欠陥の影響が更に抑えられ、長寿命化を
図ることができる。
【００８６】また、ｐ側クラッド層の不純物ドープ濃度
が段階的に活性層に向って減少する構成を採るので、更
にクラッド層における格子間不純物による点欠陥の影響
が抑えられ、長寿命化を図ることができる。
【００８７】また、ＳＣＨ構造のＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体発光素子において、そのガイド層に対して活性層側
を低不純物ドープ領域又はノンドープ領域とすることに
より、同様に長寿命化を図ることができる。これは、ガ
イド層の厚みが大きいＳＣＨ構造のＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体発光素子にも有効である。
【００８８】また、低不純物ドープ領域の不純物ドープ
濃度を２×１０17ｃｍ-3以下の格子間不純物濃度となる
ように選定することにより、点欠陥の害を抑え、確実に
長寿命化を図ることができる。
【００８９】また、組成がＺｎＭｇＳＳｅのとき、その
低不純物ドープ領域の不純物ドープ濃度を７×１０17ｃ
ｍ-3以下とすることにより、格子間不純物濃度を２×１
０17ｃｍ-3以下に設定でき、長寿命化を可能にする。
【００９０】また、組成ＺｎＭｇＳＳｅのバンドギャッ
プエネルギーが２．９ｅＶ以上のときの低不純物ドープ
領域の不純物ドープ濃度を３×１０17ｃｍ-3以下とする
ことにより、格子間不純物濃度を１．４×１０17ｃｍ-3
以下に設定でき、長寿命化を可能にする。
【００９１】また、組成がＺｎ（Ｓ）Ｓｅのとき、その
低不純物ドープ領域の不純物ドープ濃度を８×１０17ｃ
ｍ-3以下とすることにより、格子間不純物濃度を２×１
０17ｃｍ-3以下に設定でき、長寿命化を可能にする。
【００９２】また、ｐ側ガイド層の活性層に接する領域
をノンドープ領域とし、ｐ側ガイド層の他の領域をドー
プ領域とすることにより、点欠陥の影響を除くととも
に、ｐ側クラッド層への電子のオーバーフローを低減す
ることができ、長寿命化を図ることができ、同時にしき
い電流値の上昇を抑えることができる。
【００９３】また、ｐ側ガイド層の活性層に接する領域
をノンドープ領域とすると共に、ｐ側クラッド層の活性
層側をノンドープ領域とすることにより、更なる長寿命
化を図り、しきい電流値の上昇を抑えることができる。
【００９４】従って、本発明を適用することにより、例
えば高密度光磁気記録における光ピックアップ装置の実
用化を可能とする。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素
子の一例を示す構成図である。
【図２】本発明によるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素
子の他の例を示す構成図である。
【図３】本発明によるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素
子の他の例を示す構成図である。
【図４】本発明によるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素
子の他の例を示す構成図である。
【図５】本発明によるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素
子の他の例を示す構成図である。
【図６】本発明によるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素
子の他の例を示す構成図である。
【図７】本発明によるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素
子の他の例を示す構成図である。
【図８】本発明によるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素
子の他の例を示す構成図である。
【図９】本発明によるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素
子の他の例を示す構成図である。
【図１０】室温でのバンドギャップエネルギー２．７４
ｅＶのＺｎＭｇＳＳｅにおける窒素Ｎドープ濃度に対す
るアクセプタ濃度及び格子間窒素濃度を示すグラフであ
る。
【図１１】室温でのバンドギャップエネルギー２．９０
ｅＶのＺｎＭｇＳＳｅにおける窒素Ｎドープ濃度に対す
るアクセプタ濃度及び格子間窒素濃度を示すグラフであ
る。
【図１２】室温でのＺｎＳｅにおける窒素Ｎドープ濃度
に対するアクセプタ濃度及び格子間窒素濃度を示すグラ
フである。
【図１３】しきい電流値Ｉｔｈと電子のオーバーフロー
（Ｐｎ）のシミュレーション結果を示すグラフである。
【図１４】従来のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体レーザの構
成図である。
【符号の説明】
１ ｎ型ＧａＡｓ基板 ２ ｎ型クラッド層（ＺｎＭｇＳＳｅ：Ｃｌ） ３，５ ガイド層 ４ 活性層（ＺｎＣｄＳｅ） ６ ｐ型クラッド層（ＺｎＭｇＳＳｅ：Ｎ） ７ 半導体レーザ部 ８ ｐ型Ｚｎ（Ｓ）Ｓｅ層（キャップ層） ９ ｐ型多重量子井戸構造（ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅ） １０ ｐ型ＺｎＴｅ層 １１ 金属電極 １２ ｐ側電極部 １３ ポリイミド層 １４ 他の電極 ２１ ノンドープ領域 ２２，２３，３９ 低不純物ドープ領域 ２４，４０ 高不純物ドープ領域 ２７ 低不純物ドープ領域 ３２ ノンドープ領域 ４４，３５ 低不純物ドープ領域 ２５，２９，３１，３３，３７，４１，４５，４６，４
７ ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体レーザ ４２，４４ ノンドープ領域 ４３，４５ 高不純物ドープ領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中野 一志 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 近藤 憲治 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 武石 玲子 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ｐ側クラッド層の活性層側を低不純物ド
    ープ領域又はノンドープ領域としてなることを特徴とす
    るＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素子。
  2. 【請求項２】 上記低不純物ドープ領域又はノンドープ
    領域が活性層に接する部分に設けられることを特徴とす
    る請求項１に記載のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素
    子。
  3. 【請求項３】 上記低不純物ドープ領域又はノンドープ
    領域がガイド層に接する部分に設けられることを特徴と
    する請求項１に記載のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素
    子。
  4. 【請求項４】 上記低不純物ドープ領域が上記ガイド層
    内に設けられることを特徴とする請求項３に記載のＩＩ
    −ＶＩ族化合物半導体発光素子。
  5. 【請求項５】 上記ガイド層の活性層に接する部分がノ
    ンドープ領域であることを特徴とする請求項４に記載の
    ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素子。
  6. 【請求項６】 上記低不純物ドープ領域の不純物ドープ
    濃度が上記クラッド層側より上記ガイド層側を小とする
    ことを特徴とする請求項４又は５に記載のＩＩ−ＶＩ族
    化合物半導体発光素子。
  7. 【請求項７】 上記ｐ側クラッド層の不純物ドープ濃度
    が上記活性層側に向って段階的に減少されてなることを
    特徴とする請求項１、２、３、４、５又は６に記載のＩ
    Ｉ−ＶＩ族化合物半導体発光素子。
  8. 【請求項８】 ガイド層の活性層側を低不純物ドープ領
    域又はノンドープ領域としてなることを特徴とするＩＩ
    −ＶＩ族化合物半導体発光素子。
  9. 【請求項９】 上記低不純物ドープ領域は２×１０17ｃ
    ｍ-3以下の格子間不純物濃度を有することを特徴とする
    請求項１、２、３、４、５、６、７又は８に記載のＩＩ
    −ＶＩ族化合物半導体発光素子。
  10. 【請求項１０】 組成がＺｎＭｇＳＳｅのときの、上記
    低不純物ドープ領域の不純物ドープ濃度が７×１０17ｃ
    ｍ-3以下であることを特徴とする請求項１、２、３、
    ４、５、６、７又は８に記載のＩＩ−ＶＩ族化合物半導
    体発光素子。
  11. 【請求項１１】 上記ＺｎＭｇＳＳｅのバンドギャップ
    エネルギーが２．９ｅＶ以上のときの上記低不純物ドー
    プ領域の不純物ドープ濃度が３×１０17ｃｍ-3以下であ
    ることを特徴とする請求項１０に記載のＩＩ−ＶＩ族化
    合物半導体発光素子。
  12. 【請求項１２】 組成がＺｎ（Ｓ）Ｓｅのときの、上記
    低不純物ドープ領域の不純物ドープ濃度が８×１０17ｃ
    ｍ-3以下であることを特徴とする請求項１、２、３、
    ４、５、６、７又は８に記載のＩＩ−ＶＩ族化合物半導
    体発光素子。
  13. 【請求項１３】 ｐ側ガイド層の活性層に接する領域を
    ノンドープ領域とし、上記ｐ側ガイド層の上記ノンドー
    プ領域以外の領域をドープ領域としてなることを特徴と
    するＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素子。
  14. 【請求項１４】 ｐ側クラッド層の活性層側をノンドー
    プ領域とすることを特徴とする請求項１３に記載のＩＩ
    −ＶＩ族化合物半導体発光素子。
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