KR950034944A - Ⅱ-ⅵ족화합물 반도체 발광소자 - Google Patents

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아끼라 이시바시
사도시 이또
히로유끼 오꾸야마
가즈시 나까노
겐지 곤도
레이꼬 다께이시
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오가 노리오
소니 가부시기가이샤
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Abstract

Ⅱ-Ⅵ족화합물 반도체 발광소자의 장수명화를 도모한다.
Ⅱ-Ⅵ족화합물 반도체 발광소자에 있어서, p측 클래드층(6)의 활성층측의 부분(26)을 저불순물 도프영역으로 하여 구성한다.

Description

Ⅱ-Ⅵ족화합물 반도체 발광소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 Ⅱ-Ⅵ족화합물 반도체 발광소자의 일예를 나타낸 구성도.

Claims (14)

  1. P측 틀래드층의 활성층측을 저분순물도프영역 또는 논도프영역으로 하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 Ⅱ-Ⅵ족화합물 반도체 발광소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 저불순물도프영역 또는 논도프영역이 활성층에 접하는 부분에 배설되는 것을 특징으로 하는 Ⅱ-Ⅵ족화합물 반도체 발광소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 저불순물도프영역 또는 논도프영역이 가이드층에 접하는 부분에 배설되는 것을 특징으로 하는 Ⅱ-Ⅵ족화합물 반도체 발광소자.
  4. 제3항에 있어서, 상기 저불순물도프영역이 상기 가이드층내에 배설되는 것을 특징으로 하는 Ⅱ-Ⅵ족화합물 반도체 발광소자.
  5. 제4항에 있어서, 상기 가이드층의 활성층에 접하는 부분이 논도프영역인 것을 특징으로 하는 Ⅱ-Ⅵ족화합물 반도체 발광소자.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 저불순물도프영역의 불순물도프농도가 상기 클래드층측보다 상기 가이드층측을 작게 하는 것을 특징으로 하는 Ⅱ-Ⅵ족화합물 반도체 발광소자.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 p측 클래드층의 불순물도프농도가 상기 활성층측에 향하여 단계적으로 감소되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 Ⅱ-Ⅵ족화합물 반도체 발광소자.
  8. 가이드층의 활성층측을 저불순물도프영역 또는 논도프영역으로 하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 Ⅱ-Ⅵ족화합물 반도체 발광소자.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 저불순물도프영역은 2×1017㎝-3이하의 격자간불순물농도를 가지는 것을 특징으로 하는 Ⅱ-Ⅵ족화합물 반도체 발광소자.
  10. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 조성이 ZnMgSSe일 때의 상기 저불순물도프영역의 불순물도프농도가 7×1017㎝-3이하인 것을 특징으로 하는 Ⅱ-Ⅵ족화합물 반도체 발광소자.
  11. 제10항에 있어서, 상기 ZnMgSSe의 밴드갭에너지가 2.9eV이상일 때의 상기 저불순물도프영역의 불순물도프농도가 3×1017㎝-3이하인 것을 특징으로 하는 Ⅱ-Ⅵ족화합물 반도체 발광소자.
  12. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 조성이 Zn(S)Se일 때의 상기 저불순물도프영역의 불순물도프농도가 8×1017㎝-3이하인 것을 특징으로 하는 Ⅱ-Ⅵ족화합물 반도체 발광소자.
  13. p층 가이드층의 활성층에 접하는 영역을 논도프영역으로 하고, 상기 p측 가이드층의 상기 논도프영역 이외의 영역을 도프영역으로 하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 Ⅱ-Ⅵ족화합물 반도체 발광소자.
  14. 제13항에 있어서, p층 클래이드층의 활성층측을 논도프영역으로 하는 것을 특징으로 하는 Ⅱ-Ⅵ족화합물 반도체 발광소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950010043A 1994-04-28 1995-04-27 Ⅱ-ⅵ족화합물 반도체 발광소자 KR950034944A (ko)

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