RU98112013A

RU98112013A - Полупроводниковый диод с низким сопротивлением контакта

Info

Publication number: RU98112013A
Application number: RU98112013/28A
Authority: RU
Inventors: Эшли Тимоти; Джон Прайс Грехем
Original assignee: Дзе Секретэри Оф Стейт Фор Дефенс
Priority date: 1995-11-29
Filing date: 1996-11-27
Publication date: 2000-04-20

Claims

1. Полупроводниковое устройство, содержащее активный слой материала p-типа или n-типа, образующий переход с первым слоем легированного материала n-типа, второй слой легированного материала n-типа, расположенный рядом со слоем легированного материала p-типа, который может быть расположен с или отдельно от других слоев, активный слой материала p-типа или n-типа и средство для обеспечения электрического контакта с устройством, включающее в себя средство для обеспечения электрического контакта через второй слой легированного материала n-типа, с расположенным рядом слоем легированного материала p-типа. отличающееся тем, что второй слой легированного материала n-типа имеет концентрацию примесей в пределах от 1 · 10¹⁸ см^-3 до менее чем 1 · 10¹⁹ см^-3, причем энергия запрещенной зоны полупроводника активного слоя составляет менее 0,5 эВ.

2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что второй слой легированного материала n-типа является прозрачным для излучения, энергия которого больше, чем энергия запрещенной зоны, и которое излучает или поглощает устройство.

3. Устройство по п. 1 или 2, отличающееся тем, что содержит положительный светоизлучающий диод, излучающий с передней поверхности, отрицательный светоизлучающий диод или детектор.

4. Устройство по п. 2, отличающееся тем, что содержит положительный светоизлучающий диод, излучающий с обратной поверхности, отрицательный светоизлучающий диод или детектор, причем средство для обеспечения электрического контакта через второй слой легированного материала n-типа, с расположенным рядом слоем легированного материала p-типа содержит металлический контакт, а второй слой легированного материала n-типа обеспечивает прозрачную переднюю область контакта для облегчения использования металлического контакта в качестве зеркала.

5. Устройство по п. 2, отличающийся тем, что содержит лазерный диод, а первый и второй слои легированного материала n-типа обеспечивают оптическое удержание в активном слое.

6. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что второй слой легированного материала n-типа обеспечивает электрический путь к исключающему или извлекающему контакту.

7. Устройство по п. 6, отличающееся тем, что содержит полевой транзистор.

8. Устройство по п. 6, отличающееся тем, что содержит биполярный транзистор.

9. Устройство отрицательного светоизлучающего диода, излучающее с передней поверхности, по п. 1, отличающееся тем, что второй слой легированного материала n-типа имеет концентрацию примесей порядка 1 · 10¹⁹ см^-3.

10. Устройство отрицательного светоизлучающего диода, излучающее с обратной поверхности, по п. 1, отличающееся тем, что второй слой легированного материала n-типа имеет концентрацию примесей порядка 1 · 10¹⁹ см^-3, средство для обеспечения электрического контакта через второй слой легированного материала n-типа, с расположенным рядом слоем легированного материала p-типа, содержит металлической контакт, а второй слой легированного материала n-типа обеспечивает прозрачную переднюю область контакта для облегчения использования металлического контакта в качестве зеркала.