KR950010253A - 반도체발광장치 - Google Patents
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Abstract
Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체로부터 레이저 다이오드, 발광다이오드를 구성할 경우에, 보다 저임계치에서의 연속적인 발진을 행할 수 있도록 한다.
기판(1)상에 Ⅱ족 원소로서 Zn, Hg, Cd, Mg 중 최소한 1종류 이상의 원소, 또 Ⅵ족 원소로서, S, Se, Te, 중 최소한 1종류 이상의 원소를 사용한 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체로 이루어지는 최소한 제1도전형의 클래드층(2), 활성층(4)및 제2도전형의 클래드층(6)이 성장된 반도체 발광장치에 있어서, 최소한 한쪽의 클래드층(2) 또는 (6)의 격자상수를 기판(1)의 격자상수로부터 벗어난 구성으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예의 약선적 확대 단면도.
Claims (4)
- 기판상에 Ⅱ족 원소로서 Zn, Hg, Cd, Mg 중 최소한 1종류 이상의 원소, 또 Ⅵ족 원소로서, S, Se, Te 중 최소한 1종류 이상의 원소를 사용한 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체로 이루어지는 최소한 제1도전형의 클래드층, 활성층 및 제2도전형의 클래드층이 성장된 반도체 발광장치에 있어서, 최소한 한쪽의 클래드층의 격자상수가 상기 기판의 격자상수로부터 벗어난 구성으로 되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
- 제1항에 있어서, 상기 기판의 격자상수 a에 대한 상기 클래드층의 격자상수의 편차량 △a의 비가, -8.83×10-3≤(△a/a)≤4.50×10-3으로 되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
- 제1항에 있어서, 상기 기판의 격자상수 a에 대한 상기 클래드층의 격자상수의 편차량 △a의 비 △a/a가, -8.83×10-3≤(△a/a)<0으로 되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
- 제1항에 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서, 상기 활성층에 대해 기판과는 반대측의 클래드층의 격자상수가 기판측의 클래드층의 격자상수에 비해 작게 되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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