KR950010253A - 반도체발광장치 - Google Patents

반도체발광장치

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KR950010253A
KR950010253A KR1019940021783A KR19940021783A KR950010253A KR 950010253 A KR950010253 A KR 950010253A KR 1019940021783 A KR1019940021783 A KR 1019940021783A KR 19940021783 A KR19940021783 A KR 19940021783A KR 950010253 A KR950010253 A KR 950010253A
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light emitting
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semiconductor light
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마사시 시라이시
사도시 이또
가즈시 나까노
아끼라 이시바시
마사오 이께다
히로유끼 오꾸야마
가쓰히로 아끼모도
도모노리 히노
마사가즈 우끼다
Original Assignee
오가 노리오
소니 가부시기가이샤
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Abstract

Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체로부터 레이저 다이오드, 발광다이오드를 구성할 경우에, 보다 저임계치에서의 연속적인 발진을 행할 수 있도록 한다.
기판(1)상에 Ⅱ족 원소로서 Zn, Hg, Cd, Mg 중 최소한 1종류 이상의 원소, 또 Ⅵ족 원소로서, S, Se, Te, 중 최소한 1종류 이상의 원소를 사용한 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체로 이루어지는 최소한 제1도전형의 클래드층(2), 활성층(4)및 제2도전형의 클래드층(6)이 성장된 반도체 발광장치에 있어서, 최소한 한쪽의 클래드층(2) 또는 (6)의 격자상수를 기판(1)의 격자상수로부터 벗어난 구성으로 한다.

Description

반도체 발광장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예의 약선적 확대 단면도.

Claims (4)

  1. 기판상에 Ⅱ족 원소로서 Zn, Hg, Cd, Mg 중 최소한 1종류 이상의 원소, 또 Ⅵ족 원소로서, S, Se, Te 중 최소한 1종류 이상의 원소를 사용한 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체로 이루어지는 최소한 제1도전형의 클래드층, 활성층 및 제2도전형의 클래드층이 성장된 반도체 발광장치에 있어서, 최소한 한쪽의 클래드층의 격자상수가 상기 기판의 격자상수로부터 벗어난 구성으로 되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판의 격자상수 a에 대한 상기 클래드층의 격자상수의 편차량 △a의 비가, -8.83×10-3≤(△a/a)≤4.50×10-3으로 되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판의 격자상수 a에 대한 상기 클래드층의 격자상수의 편차량 △a의 비 △a/a가, -8.83×10-3≤(△a/a)＜0으로 되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  4. 제1항에 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서, 상기 활성층에 대해 기판과는 반대측의 클래드층의 격자상수가 기판측의 클래드층의 격자상수에 비해 작게 되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940021783A 1993-09-07 1994-08-31 반도체발광장치 KR950010253A (ko)

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JP93-222,566 1993-09-07
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JP1552394 1994-02-09
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US5872023A (en) 1999-02-16

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