JP4457427B2 - 半導体発光装置とその製造方法 - Google Patents
半導体発光装置とその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4457427B2 JP4457427B2 JP07391899A JP7391899A JP4457427B2 JP 4457427 B2 JP4457427 B2 JP 4457427B2 JP 07391899 A JP07391899 A JP 07391899A JP 7391899 A JP7391899 A JP 7391899A JP 4457427 B2 JP4457427 B2 JP 4457427B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor light
- light emitting
- emitting device
- semiconductor
- isolation region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 225
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 30
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 133
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 19
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 9
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 13
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004397 blinking Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04256—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
- H01S2301/176—Specific passivation layers on surfaces other than the emission facet
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
- H01S5/02345—Wire-bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4087—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばマルチビーム半導体レーザ装置、マルチビーム半導体ダイオード装置に適用して好適な半導体発光装置とその製造方法に係わる。
【0002】
【従来の技術】
半導体レーザ、半導体発光ダイオード等の半導体発光装置は、例えば光ディスク等の光学記録媒体に対する記録および(または)再生を行う光学装置、あるいはレーザビームプリンタ等の光源として用いられているが、近年、これら半導体発光装置を用いて、より高速に記録および(または)再生あるいはプリントを行うことができるようにするために、複数の発光部をそれぞれ独立に駆動するようにマルチビーム化の要求が高まっている。
【0003】
一方、低コスト化を実現し、かつ上述の高速化を実現するには、このマルチビーム半導体発光装置に対する光学系の小型化が必要となり、これに伴って、ビーム間隔をできるだけ狭くする高集積化の要求が高まっている。
【0004】
このように、それぞれ独立駆動を行うことができるようにし、かつ高集積化を図るようにした半導体発光装置、例えば半導体マルチビームレーザは、図9に概略斜視図に示すように、例えば半導体基体1上に、少なくとも第1クラッド層2と、活性層3と、第2クラッド層4とを有して成る半導体基板21に、複数の半導体発光部、図示の例では4本の半導体レーザー素子M1 〜M4 が、それぞれ独立に駆動できるように並置配列されて成る。
【0005】
この半導体発光装置の製造方法を、図10〜図13の各工程における概略断面図と、図15および図16の一部の工程における概略平面図を参照して説明する。
【0006】
先ず、図10Aに示すように、例えばn型のGaAsより成る半導体基体1上に、n型のAlGaAsによる第1クラッド層2、真性の例えばAlGaAsより成りクラッド層2に比してバンドギャップの小さい活性層3、p型のAlGaAsによる第2クラッド層4を順次エピタキシャル成長する。
【0007】
図10Cおよび図14に示すように、そして、図14において斜線を付して示すように、第2クラッド層4上に、電流ブロック層5を、ストライプ状に平行配列して形成する。
この電流ブロック層5の形成は、上述した半導体発光部M1 〜M2 を形成する部分間上に相当する位置と、両外側M1 およびM4 の外側上に相当する位置とに、図10Bに示すように、それぞれストライプ状に溝6をエッチングによって形成する。
その後、図示しないが、これら溝6内を埋込むように、全面的に第2のクラッド層4と異なる導電型のn型のGaAs半導体層をエピタキシャル成長し、その表面から全面的にエッチングして図10Cおよび図14に示すように、溝6内にのみn型のGaAs半導体層が残されて成る電流ブロック層5を形成する。
【0008】
図11Aに示すように、電流ブロック層5上を覆って全面的に第2クラッド層と同導電型のp型のGaAsによるキャップ層7をエピタキシャル成長して半導体基板21を構成する。
【0009】
図11Bに示すように、隣り合う各電流ブロック層5間上のキャップ層7上に、互いに分離された電極、図示の例では4本の電極、この例ではアノード電極となる第1〜第4電極A1 〜A4 をオーミックに被着形成する。この場合、両側の電極A1 およびA4 については、その一部を外側に向かって延在させたL字パターンとしている。
【0010】
図11Cおよび図15に示すように、そして、電極A1 〜A4 (図15において斜線を付して示す)間において、キャップ層7から、少なくとも活性層3を横切る深さにそれぞれ分離溝8を形成する。
【0011】
図12Aに示すように、全面的に層間絶縁層9を、CVD(Chemical Vapor Deposition) 法によって形成する。
図12Bに示すように、この層間絶縁層9に対して、各電極A1 〜A4 上にそれぞれ第1〜第4開口9W1 〜9W4 を穿設する(図12Bの断面においては、第1の第4開口9W1 および9W4 のみが開示されている。)
【0012】
図12Cに示すように、各分離溝8内を埋込むように、平坦化絶縁材10を全面的に塗布する。
その後、図13および図16に示すように、平坦化絶縁材10を、その表面側から各第1〜第4開口9W1 〜9W2 を再び開口してこれら開口9W1 〜9W4 を通じて各第1〜第4電極A1 〜A4 を、それぞれ外部に露呈する位置まで平面的にエッチバックする。
【0013】
そして、図9に示すように、第2および第3開口9W2 および9W3 を通じて第2および第3電極A2 およびA3 にそれぞれオーミックにコンタクトさせた導電層L2 およびL3 を、層間絶縁層9上に跨がって延在形成し、これら導電層L2 およびL3 において第2および第3の延長端においてボンディングパッド部PD2 およびPD3 を構成し、第1および第4開口9W1 および9W4 を通じて露出した電極A1 および電極A4 の端部によって、第1および第4のボンディングパッド部PD1 およびPD4 を構成する。
これら、ボンディングパッド部PD1 〜PD4 には、図示しないが、それぞれ外部リード例えばAuのワイヤをボンディングする。
【0014】
また、半導体基体1の裏面に、共通の対向電極K、上述の例ではカソード電極を例えば全面的にオーミックに被着する。
【0015】
この構成によれば、各アノード電極A1 〜A4 と、共通のカソード電極Kとの間にそれぞれ独立に駆動電圧を印加することによって、これら電極A1 〜A4 およびKとの間の、電流ブロック層5によって挟み込まれたストライプ部において、限定的に通電がなされ、このストライプ部下の活性層3に限定的に電流の注入がなされる。
このストライプの両端を構成する、半導体基板21の相対向する端面21m1 および21m2 は、例えば劈開面によって構成して鏡面に形成され、これら端面21m1 および21m2 間の電流注入領域に、それぞれストライプ状の光共振器が構成されその両端面から、レーザー光が出射される。すなわち、各ストライプ部において、第1〜第4半導体発光部M1 〜M4 が構成される。
これらレーザー素子、すなわち半導体発光部M1 〜M4 は、分離溝8によって相互に分離され、それぞれアノード電極A1 〜A4 が電気的に独立して構成されていることから、それぞれ独立に駆動することができる。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、実際には、上述した構造による半導体マルチビームレーザにおいては、高密度集積化が高められるにつれ、各レーザー素子、すなわち各半導体発光部M1 〜M4 の間隔が狭められることによって、例えば隣り合うレーザー素子の一方の発光部を連続発振駆動を行った状態で、他方を点滅駆動させる場合、連続発振駆動がなされるレーザー素子側出力に大きなスパイクノイズが発生するなど、レーザー素子間の電気的クロストークが発生する。
【0017】
このクロストークは、例えば上述した構造において、層間絶縁層9を介して、第1および第4電極A1 およびA4 と、導電層L2 およびL3 とが積層する部分間、更に、実際には、第1電極A 1 と導電層L 2 、第4電極A 4 と導電層L 3 とは近接して配置されることから、これらの対向縁間に起因する寄生容量に因るところが大きい。
【0018】
そして、このような寄生容量の低減化を図る方法としては、層間絶縁層9の厚さを大にするとか、層間絶縁層9上に積層する電極もしくは導電層の面積を小さくすることの工夫がなされる。
【0019】
例えば図17に概略斜視図を示すように、第1および第4電極A1 およびA4 に関しても、第2および第3電極A3 およびA2 と同様にこれらと平行に配置されたストライプパターンとし、各電極A1 〜A4 上の層間絶縁層9にそれぞれ開口9W1 〜9W4 を穿設してこれらにコンタクトする幅狭に構成した第1〜第4導電層L1 〜L4 を層間絶縁層9上に延長し、その端部においてそれぞれ外部リードを接続するボンディングパッドPD1 〜PD4 を配置する構造とすることの提案もなされた。
しかしながら、このような構成とした場合においても、上述したクロストークの改善を充分に図ることができなかった。これは、両外側の発光部M1 およびM2 については、その活性層3が、両外側に広面積をもって延在していることから、この接合容量による寄生容量がかなり大きくなっていることにも依存している。
尚、図17において、図9と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
【0020】
また、上述の各構成において、ボンディングパッドに対して外部リードをボンディングするに際してその押圧力によって層間絶縁層を破壊する事故が発生した場合、発光素子間が短絡するという事故も発生し易いという問題もある。
【0021】
本発明の目的は、上述した電気的クロストークを効果的に改善し、また、上述した発光素子間の短絡を効果的に回避する。
【0022】
【課題を解決するための手段】
本発明による半導体装置は、半導体基体と、この半導体基体上に並置配列された複数の半導体発光部と、各半導体発光部上に形成され、該半導体発光部の配列方向に沿って形成される複数の電極と、各半導体発光部上の各電極の上部からそれぞれ電気的に導出され、半導体発光部の配列方向を横切る方向に沿って形成され、少なくとも一部が層間絶縁層を介して前記複数の電極のうち一部の電極上に積層され、前記半導体発光部の外側に延在される複数の導電層と、これら導電層の上記電極側とは反対側の端部に設けられるボンディングパッド部と、を有する。更に、上記各半導体発光部の間と、上記半導体発光部と上記ボンディングパッド部との間、及び隣り合う前記ボンディングパッド部の間に形成された分離領域と、を有する構成とされる。
【0024】
そして、本発明による半導体発光装置の製造方法は、半導体基体上に、複数の半導体発光部を並置配列して形成する工程と、半導体発光部上に、該半導体発光部の配列方向に沿って延長する電極を形成する工程と、上記半導体発光部の配列方向に沿って、上記各半導体発光部の形成部間と、該複数の半導体発光部のうち最も外側の半導体発光部の両外側とに、上記各半導体発光部を分離する分離領域を形成する工程と、上記半導体発光部及び上記分離領域を覆う層間絶縁層を形成する工程と、上記半導体発光部上に設けた上記各電極からそれぞれ電気的に導出され、該電極の配列方向を横切る方向に延在する導電層を上記層間絶縁層上に形成する工程と、上記導電層の上記電極側とは反対側の端部にボンディングパッド部を形成する工程と、を有し、上記分離領域の形成工程において、上記導電層の端部に形成されたボンディングパッド部の間に、更に分離領域を形成する。
【0025】
上述の本発明構成による半導体発光装置は、複数の半導体発光部の全てについて、すなわち各半導体発光部間のみならず、両外側に配置された半導体発光部の外側にも高抵抗分離領域を設けたことによって、それぞれ半導体発光部を他と電気的に分離し、また、この高抵抗分離領域は、その誘電率を小さい構成とすることによって、各半導体発光部間のみならず、両外側に配置された半導体発光部に対しても、他の半導体発光部に係わる導電層との間に発生する寄生容量の低減化を図ることができ、この寄生容量に因る半導体発光部間に発生するクロストークを減ずることができるものである。
【0026】
更に、両外側に存在する活性層の延在部が両外側の半導体発光部と分離されていることから、これら半導体発光部の、接合容量に起因する寄生容量も排除できる。
【0027】
また、上述したように、導電層の、隣り合って配置されるボンディングパッド部間を高抵抗分離領域によって分離することによって例えば外部リードボンディングパッド部にボンディングするに際して層間絶縁層に破損が生じた場合においても、半導体発光部相互の短絡事故を回避することができるものである。
【0028】
また、本発明による半導体発光装置の製造方法は、複数の半導体発光部の両外側に位置する半導体発光部の外側にも高抵抗分離領域を形成するものであるが、この高抵抗分離領域は、隣り合う発光部間を分離する分離領域と同時に形成することができることから、工程数の増加を回避できるものである。
【0029】
尚、ここに、半導体基板とはその全体が半導体によって構成される基板のみを指称するものではなく、絶縁ないしは半絶縁基板上に半導体層が形成された構成による基板をも含んで指称するものである。
【0030】
【発明の実施の形態】
〔半導体発光装置〕
本発明による半導体発光装置の一実施形態の一例を、図1の概略平面図と、図1のII−II線上の概略断面図を示す図2を参照して説明する。
本発明による半導体発光装置は、半導体基板21に、複数の半導体発光部、図示の例では4本の第1〜第4半導体発光部M1 〜M4 が並置形成され、これら半導体発光部M1 〜M4 の少なくとも一方の第1〜第4電極A1 〜A4 と、これら第1〜第4電極A1 〜A4 から電気的に導出される導電層L1 〜L4 とが、半導体基板21の一主面21a上に、層間絶縁層9を介して形成される。
【0031】
各導電層L1 〜L4 は、各半導体発光部M1 〜M4 のストライプ方向と交叉、例えば直交する方向に、全半導体発光部M1 〜M4 の形成部より外側に延在させて幅狭に形成され、例えばその各端部が幅広とされて、図示しないが、外部リード例えば金Auによるリードワイヤが熱圧着等によってボンディングされる第1〜第4のボンディングパッド部PD1 〜PD4 が形成されて成る。
【0032】
そして、並置配列された各半導体発光部M1 およびM2 間、M2 およびM3 間、M3 およびM4 間と、更に、これら複数配列された半導体発光部の両外側に位置する半導体発光部M1 およびM4 の両外側とに、これら半導体発光部M1 〜M 4 の全ストライプ長方向に差し渡って、それぞれ半導体基板21の主面21aに臨んで、高抵抗分離領域22を形成する。
【0033】
また、外側の半導体発光部M1 およびM4 の外側に形成した高抵抗分離領域22の更に外側に、これら半導体発光部M1 およびM4 の導電層L3 およびL4 に形成したボンディングパッド部PD1 〜PD4 を、囲みこれらを相互に、特に隣り合うボンディングパッド部間を区分する区分高抵抗分離領域22Dを設ける。
【0034】
高抵抗分離領域22Dは、例えばストライプ方向と平行に延びる第1部分22DA とこれと直交する第2部分22DB とによるT字型パターンに形成して、これによってそれぞれ隣り合うボンディングパッド部PD1 およびPD2 が形成され第1および第2区分領域S1 およびS2 、ボンディングパッド部PD3 およびPD4 を形成する第3および第4区分域S3 およびS4 を区画する。
この区画は、これら区分高抵抗分離領域22Dと、このマルチ半導体レーザーを構成する半導体基板の縁部とによって、各ボンディングパッドの形成部を取り囲む。
【0035】
本発明による半導体発光装置の他の一実施形態においては、上述したボンディングパッド部を区分する区分高抵抗分離領域22Dと、外側の半導体発光部の外側に配置する高抵抗分離領域22とを一体化して構成した場合で、図3にその一例の概略平面図を示し、図4に図3のII−II線上の概略断面図を示す。しかしながら、この場合においても、この例に限定されるものではない。図3および図4において、図1および図2と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
【0036】
この例では、最外側に配置された半導体発光部M1 およびM4 の外側に、これらに沿って高抵抗分離領域22を配置するものであるが、これらを図1における区分高抵抗分離領域22Dの第1部分22DA として兼ね、これより側方に延長して上述の第2部分22DB を形成してT字状パターンとした場合である。
このようにして、図1および図2における最外側に配置された半導体発光部M1 およびM4 の外側に形成した高抵抗分離領域22と、ボンディングパッド部の区分のための高抵抗分離領域22Dとを兼ねた構成とするものである。
【0037】
上述した各実施形態および各例において、半導体発光部M(M1 〜M4 )は、例えば半導体レーザ素子によって構成することができる。
半導体基板21は、例えば図2および図4に示すように、例えば第1導電型例えばn型の例えばGaAsより成る基体1上に、これと同導電型の例えばn型のAl0.45Ga0.55Asよりなる第1のクラッド層2と、これに比しバンドギャップの小さい真性の例えばAl0.14Ga0.86Asによる活性層3と、第2導電型例えばp型のAl0.45Ga0.55Asよりなる第2のクラッド層4と、各半導体発光部M1 〜M4 の形成部に、それぞれストライプ状の電流通路を形成するストライプ状の開口が形成された第1導電型例えばn型のGaAsによる電流ブロック5と、第2導電型例えばp型のGaAsが形成されて成る。
【0038】
そして、上述の各高抵抗分離領域22、22Dは、半導体基板21の主面21a側から活性層3を横切る深さに形成される。
この高抵抗分離領域22および22Dは、例えば半導体基板21の主面21a側から活性層3を横切る深さに分離溝23が形成され、その内面にSiO2 、SiN等の絶縁層24が形成され、更に誘電率が比較的小さい絶縁性材料の、樹脂材料による分離溝23による窪みを埋込んで他部とできるだけ均一の平坦面とする平坦化材料25が埋め込まれた構成とすることができる。
また、各高抵抗分離領域22、22Dは、図示しないが、イオン注入による結晶ダメージによる高抵抗化した領域によって構成することもできる。
【0039】
〔半導体発光装置の製造方法〕
次に、上述した本発明による半導体発光装置の製造方法を説明する。また、この製造方法を説明することによって、本発明による半導体発光装置の構造をより明確化する。
【0040】
図1および図2に示した本発明による半導体発光装置の製造方法を、図5〜図8を参照して説明する。これら図5〜図8において、各A図は、各工程における要部の概略平面図で、各B図は各A図のB−B線上の概略断面図である。
【0041】
図5AおよびBに示すように、半導体基板21を構成し、その一主面21aに第1〜第4電極A1 〜A4 を被着形成する。
この半導体基板21および電極A1 〜A4 の形成は、図10A〜Cおよび図11AおよびBで説明したと同様の手順によることができる。例えばn型のGaAsより成る半導体基体1上に、n型の例えばAl0.45Ga0.55Asよりなる第1のクラッド層2と、真性例えばノンドープの例えばAl0.14Ga0.86Asによる活性層3と、p型のAl0.45Ga0.55Asよりなる第2のクラッド層4とを順次MOCVD(Metalorganic Chemical Vapor Deposition: 有機金属気相成長)法によってエピタキシャル成長する。
【0042】
そして、第2クラッド層4上の、各半導体発光部の形成部にそれぞれストライプ状開口5Wが平行に形成された電流ブロック層5を形成する。
この電流ブロック層5の形成は、図10Bで説明したように、電流ブロック層5を選択的に形成する部分、この例では、各半導体発光部の形成部間にストライプ状に、また、最外側に形成される半導体発光部の形成部より外側の例えば全域に、それぞれ溝6を、例えばRIE(反応性イオンエッチング)によって形成する。その後、これら溝6内を埋込むように、全体的に第2のクラッド層4と異なる導電型のn型のGaAs半導体層をエピタキシャル成長し、その表面から全面的にエッチングして溝6内にのみn型のGaAs半導体層が残されて成る電流ブロック層5を形成する。
更に、図11Aで説明したように、電流ブロック層5上を覆って全面的にp型のGaAsによるキャップ層7を、例えばMOCVDによってエピタキシャル成長する。
このようにして、半導体基板21を構成する。
【0043】
この半導体基板21に形成された活性層3の形成位置は、半導体基板21のキャップ層7の表面による主面21aからの深さが1.5〜2.5μm程度であり、活性層3の厚さは、例えば0.1μm程度とすることができる。
【0044】
そして、この半導体基板21の主面21aに臨むキャップ層7上に、図5に示すように、電流ブロック層5のストライプ状開口5W上に対向して、これら開口5Wに沿ってそれぞれストライプ状の第1〜第4の電極A1 〜A4 を平行に、オーミックに被着形成する。
【0045】
次に、図6AおよびBに示すように、各電極A1 〜A4 間と、両外側の電極A1 およびA4 の外側とにそれぞれ、各電極A1 〜A4 と平行に、分離溝23を形成すると共に、更にその外側に、それぞれT字状パターンの区分分離溝23Dを形成する。各分離溝23Dは、ストライプ状の分離溝23と平行する第1部分23DA とこれと直交する第2部分23DB とにより構成されて、これらT字状分離溝23Dによって、それぞれ2つの区分域S1 およびS2 、S3 およびS4 を区分する。
【0046】
これら分離溝23および23Dは、RIE等によって形成することができる。また、これら分離溝23および23Dの深さは、活性層3を横切る深さ例えば、3.5〜5.0μm程度とし、このとき、分離溝23および23Dの幅は、後述する分離溝の内面への絶縁層の形成および平坦化材料の充填を良好に行うことができる程度のアスペクト比となるように、例えば2〜5μm程度の幅に選定する。
【0047】
次に、図7AおよびBに示すように、SiNあるいはSiO2 等の絶縁層24を、図示しないが、一旦全面的に例えば厚さ300nm程度に、CVD(Chemical Vapor Deposition) 法、あるいはスパッタリング等の、各分離溝23および23Dの内面にカバレージ良く被着する方法によって成膜し、その後、ストライプ状の各電極A1 〜A4 上に、それぞれ第1〜第4開口24W1 〜24W4 を周知のパターンエッチングによって穿設する。
この場合、各開口24W1 〜24W4 は、それぞれ区分域S1 〜S4 に対向する位置に配置することが好ましい。
【0048】
次に、図8AおよびBに示すように、各分離溝23および23D内を埋込むように、誘電率が小さく絶縁性を有する平坦化材料25を形成する。この平坦材料25の形成は、一旦全面的に、例えばポリイミド樹脂等を回転塗布によって表面が平坦化する程度の厚さに形成し、その後、例えば化学的機械的研磨等によって各第1〜第4開口24W1 〜24W4 を再び開口してこれら開口24W1 〜24W4 を通じて各第1〜第4電極A1 〜A4 がそれぞれ外部に露呈する位置まで、この平坦化材料25をその表面側から平面的にエッチバックする。
この構成による場合、絶縁層24と平坦化材料25とによって層間絶縁層9が構成されることになる。
【0049】
そして、図1および図2に示すように、各第1〜第4開口24W1 〜24W4 を通じて、それぞれ第1〜第4電極A1 〜A4 にそれぞれオーミックにコンタクトさせた導電層L1 〜L4 を、絶縁層24と平坦化材料25による層間絶縁層9上に跨がって、上述した各第1〜第4区分域S1 〜S2 上に延在させて形成する。導電層L1 〜L4 は、各第1〜第4区分域S1 〜S2 上の延在部において、例えば幅広に構成して、それぞれ第1〜第4ボンディングパッド部PD1 〜PD4 を構成する。
また、半導体基体1の裏面に、共通の対向電極、この例ではカソード電極Kを例えば全面的にオーミックに被着する。
【0050】
そして、各半導体発光部M1 〜M4 の各ストライプ部の端面は、劈開面によって構成することによって鏡面とされる。
【0051】
上述の方法によって、図1および図2で説明した半導体発光装置が構成され、この構成によれば、前述したように、各アノード電極A1 〜A4 と、共通のカソード電極Kとの間に所要の電圧を印加することによって、これら電極A1 〜A4 およびKとの間の、電流ブロック層5によって挟み込まれたストライプ部下において、限定的に活性層3に電流が注入され、ストライプ部の長手方向を共振器長方向とする光共振器が構成されて成る半導体発光部M1 〜M4 、この例では半導体レーザー素子がそれぞれ構成され、各光共振器の両端面から、それぞれ前方および後方レーザー光の発光がなされる。
【0052】
そして、これらレーザー素子、すなわち半導体発光部M1 〜M4 は、分離溝23と、この分離溝23内に形成された絶縁層24と平坦化材料25によって構成された高抵抗分離領域22によって相互に電気的に分離され、それぞれアノード電極A1 〜A4 が電気的に独立して構成されていることから、それぞれ独立に駆動することができる。
【0053】
そして、この構造による半導体発光装置は、全半導体発光部M1 〜M2 に関して、すなわち各半導体発光部間のみならず、両外側に配置された半導体発光部M1 およびM4 の外側にも高抵抗分離領域22を設けたことによって、それぞれ半導体発光部を他と電気的に分離し、また、この高抵抗分離領域22は、誘電率が小さい構成とすることができることよって、各半導体発光部間のみならず、両外側に配置された半導体発光部に対しても、他の半導体発光部に係わる導電層L3およびL4 の、特にボンディングパッド部との間に発生する寄生容量の低減化を図ることができ、この寄生容量に因る半導体発光部間に発生するクロストークを減ずることができるものである。
【0054】
更に、両外側の半導体発光部M1 およびM4 において、その外側に延在する活性層が分離されたことによって、これらの外側に延在する活性層の接合容量を排除できる。
【0055】
また、上述したように、導電層の、隣り合って配置されるボンディングパッド部間を区分高抵抗分離領域22Dによって区分する構成としたことによって、例えば外部リードのボンディングパッド部へのボンディング等に際して層間絶縁層9に破損が生じた場合においても、半導体発光部相互を短絡する事故を回避することができるものである。
【0056】
また、本発明による半導体発光装置の製造方法は、複数の半導体発光部の両外側に位置する半導体発光部の外側にも高抵抗分離領域22や区分高抵抗分離領域22Dを形成するものであるが、これら高抵抗分離領域は、隣り合う発光部間を分離する分離領域と同時に形成することができることから、工程数の増加を回避できることができる。
【0057】
上述した本発明製造方法によっては、図1および図2を得る場合について説明したが、図3および図4の構成による半導体発光装置を得る場合においても、高抵抗分離領域22の外側の半導体発光部の外側に配置する高抵抗分離領域を、ボンディングパッド部間を区分する高抵抗分離領域22Dと一体化したパターンとする以外は、上述した図5〜図8と同様の手順によって製造することができる。
【0058】
また、上述した高抵抗分離領域22や、区分高抵抗分離領域22D等の高抵抗分離領域は、その全部もしくは一部を、イオン注入によって結晶のダメージ化を行うことによって高抵抗化することによって形成することもできる。
【0059】
尚、上述した各例においては、1つのマルチビーム半導体発光装置についてのみ説明したが、実際の製造においては、1枚の半導体基板21に対して、多数のマルチ半導体発光装置を形成し、これを各1つのマルチビーム半導体発光装置に分断して同時に多数の半導体発光装置を同時に製造することができる。
【0060】
また、上述した各例では、4本の半導体発光部M1 〜M4 が配列された構成とした場合であり、対の区分高抵抗分離領域22Dによって、4つの区分域S1 〜S4 に区分するT字型パターンとした場合であるが、任意の本数の半導体発光部が配列された構成とすることができ、この場合、区分高抵抗分離領域22Dは、各ボンディングパッド部を囲むように区分する各種形状のパターンとすることができる。
【0061】
また、上述した例では、半導体発光部が、半導体レーザー素子である場合であるが、半導体発光ダイオード素子によって構成することもできる。
また、上述した例では、AlGaAs系のIII-V族半導体構成とした場合であるが、その他のAlGaInAs、AlGaInP等の各種III-V族半導体、あるいはZnMgSSe系等のII−VI族半導体構成とすることもできるし、活性層に隣接してガイド層が配置されたいわゆるSCH(Separate Confinement Heterostructure)等の構成とすることもできるなど種々の構成とすることができる。
【0062】
【発明の効果】
本発明による半導体発光装置によれば、上述したように、各発光部間と、発光部とリード部となる導電層との間を、高抵抗分離領域すなわち誘電率の低い領域によって分離したことから、両外側の半導体発光部に関する活性層の両外側に延在部に起因する容量の低減化が図られ、この半導体発光装置において、半導体発光部の高密度集積化が高められた場合においても、相互のクロストークを有効に回避できると共に、応答性の向上が図られる。
そして、クロストークの改善によって、例えば冒頭に述べたような隣り合う一方の発光部を連続発振駆動を行った状態で、他方を点滅駆動させる場合においても、連続発振駆動がなされるレーザー素子側出力に大きなスパイクノイズが発生するなどの相互の干渉を回避でき、安定した動作を行うことができる。
【0063】
また、上述したように発光部とリード部となる導電層との間を、高抵抗分離領域によって分離したことから、半導体発光装置の組み立て作業時、例えば半導体発光部の電極から導出したリード部の導電層のボンディングパッド部に金線等のリードワイヤを熱圧着によってボンディングする作業に際して、このボンディングパッド部下の層間絶縁層に損傷を来した場合においても、短絡事故を発生することを回避できる。したがって、歩留りの向上、信頼性の向上を図ることができる。
【0064】
また、本発明による半導体発光装置の製造方法は、上述したように、半導体発光部間のみならず、これらを他部と分離した構造とする半導体発光装置を得るにも係わらず、この他部との分離を行う高抵抗分離領域は、従前における分離作業と同時に行うことができることから、何ら工程数の増加を来すことがなく、生産性の低下や、製造コストを高めるなどの不都合が回避できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による半導体発光装置の一例の概略平面図である。
【図2】図1のII−II線上の概略断面図である。
【図3】本発明による半導体発光装置の他の例の概略平面図である。
【図4】図1のIV−IV線上の概略断面図である。
【図5】AおよびBは、本発明による半導体発光装置の一例の一製造工程における概略平面図およびそのB−B線上の概略断面図である。
【図6】AおよびBは、本発明による半導体発光装置の一例の一製造工程における概略平面図およびそのB−B線上の概略断面図である。
【図7】AおよびBは、本発明による半導体発光装置の一例の一製造工程における概略平面図およびそのB−B線上の概略断面図である。
【図8】AおよびBは、本発明による半導体発光装置の一例の一製造工程における概略平面図およびそのB−B線上の概略断面図である。
【図9】従来の半導体発光装置の概略斜視図である。
【図10】A〜Cは、従来の半導体発光装置の製造方法の各工程における概略断面図である。
【図11】A〜Cは、従来の半導体発光装置の製造方法の各工程における概略断面図である。
【図12】A〜Cは、従来の半導体発光装置の製造方法の各工程における概略断面図である。
【図13】従来の半導体発光装置の製造方法の一工程における概略断面図である。
【図14】図10Cの概略平面図である。
【図15】図11Cの概略平面図である。
【図16】図12Bの概略平面図である。
【図17】従来の半導体発光装置の他の例の概略斜視図である。
【符号の説明】
1・・・半導体基体、2・・・第1クラッド層、3・・・活性層、4・・・第2クラッド層、5・・・電極ブロック層、6・・・溝、7・・・キャップ層、8・・・分離溝、9・・・絶縁層、9W1 〜9W4 ・・・第1〜第4開口、10・・・平坦化絶縁材、21・・・半導体基板、22・・・高抵抗分離領域、22D・・・区分高抵抗分離領域、22DA ・・・第1部分、22DB ・・・第2部分、23,23D・・・分離溝、24・・・絶縁層、24W1 〜24W4 ・・・第1〜第4開口、25・・・平坦化材料、M1 〜M4 ・・・第1〜第4半導体発光部、A1 〜A4 ・・・第1〜第4電極、L1 〜L4 ・・・導電層、PD1 〜PD4 ・・・第1〜第4ボンディングパッド、S1 〜S4 ・・・区分域
Claims (16)
- 半導体基体と、
上記半導体基体上に並置配列された複数の半導体発光部と、
上記各半導体発光部上に形成され、該半導体発光部の配列方向に沿って形成される複数の電極と、
上記各半導体発光部上の各電極の上部からそれぞれ電気的に導出され、上記半導体発光部の配列方向を横切る方向に沿って形成され、少なくとも一部が層間絶縁層を介して前記複数の電極のうち一部の電極上に積層され、前記半導体発光部の外側に延在される複数の導電層と、
上記導電層の上記電極側とは反対側の端部に設けられるボンディングパッド部と、
上記各半導体発光部の間と、上記半導体発光部と上記ボンディングパッド部の間、及び隣り合う前記ボンディングパッド部の間に形成された分離領域と、を有する
半導体発光装置。 - 前記ボンディングパッド部が、前記導電層より幅広に形成される請求項1に記載の半導体発光装置。
- 上記半導体発光部が、半導体レーザ素子である請求項1又は2に記載の半導体発光装置。
- 上記半導体発光部が、少なくとも第1のクラッド層と、活性層と、第2のクラッド層とを有して成り、
上記半導体発光部上から上記活性層を横切る深さに上記分離領域が形成されて成る請求項1〜3のいずれかに記載の半導体発光装置。 - 上記分離領域が、上記半導体発光部に形成された分離溝を有して成る請求項1〜4のいずれかに記載の半導体発光装置。
- 上記分離領域が、上記半導体発光部に形成された分離溝と、該分離溝に充填された平坦化材料を有して成る請求項1〜4のいずれかに記載の半導体発光装置。
- 上記平坦化材料は、上記分離溝内に形成される絶縁層を覆って埋め込まれ、且つ、上記絶縁層の誘電率より小さい誘電率の材料である請求項6に記載の半導体発光装置。
- 上記分離領域が、上記半導体基板に形成されたイオン注入高抵抗領域を有して成る請求項1〜4のいずれかに記載の半導体発光装置。
- 半導体基体上に、複数の半導体発光部を並置配列して形成する工程と、
上記半導体発光部上に、該半導体発光部の配列方向に沿って延長する電極を形成する工程と、
上記半導体発光部の配列方向に沿って、上記各半導体発光部の形成部間と、該複数の半導体発光部のうち最も外側の半導体発光部の両外側とに、上記各半導体発光部を分離する分離領域を形成する工程と、
上記半導体発光部及び上記分離領域を覆う層間絶縁層を形成する工程と、
上記半導体発光部上に設けた上記各電極からそれぞれ電気的に導出され、該電極の配列方向を横切る方向に延在する導電層を上記層間絶縁層上に形成する工程と、
上記導電層の上記電極側とは反対側の端部にボンディングパッド部を形成する工程と、
を有し、
上記分離領域の形成工程において、上記導電層の端部に形成されたボンディングパッド部の間に、更に分離領域を形成する
半導体発光装置の製造方法。 - 上記ボンディングパッド部を上記導電層より幅広に形成する請求項9に記載の半導体発光装置の製造方法。
- 上記半導体発光部が、半導体レーザ素子である請求項9又は10に記載の半導体発光装置の製造方法。
- 上記半導体発光部が、少なくとも第1のクラッド層と、活性層と、第2のクラッド層とを有し、
上記分離領域を、上記半導体発光部上から上記活性層を横切る深さに形成する請求項9〜11のいずれかに記載の半導体発光装置の製造方法。 - 上記分離領域の形成工程が、上記半導体発光部に分離溝を形成する工程を有する請求項9〜12のいずれかに記載の半導体発光装置の製造方法。
- 上記高抵抗分離領域の形成工程が、上記半導体発光部に分離溝を形成する工程と、該分離溝内に平坦化材料を充填する工程とを有する請求項9〜12のいずれかに記載の半導体発光装置の製造方法。
- 上記平坦化材料を、上記分離溝内に形成される絶縁層を覆って充填し、且つ、上記平坦化材料は、上記絶縁層の誘電率より小さい誘電率の材料とする請求項14に記載の半導体発光装置の製造方法。
- 上記分離領域の形成工程が、イオン注入工程を有する請求項9〜12のいずれかに記載の半導体発光装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07391899A JP4457427B2 (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | 半導体発光装置とその製造方法 |
US09/515,917 US6444998B1 (en) | 1999-03-18 | 2000-03-01 | Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof |
US09/909,254 US6630366B2 (en) | 1999-03-18 | 2001-07-19 | Manufacturing method for light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07391899A JP4457427B2 (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | 半導体発光装置とその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009148091A Division JP2009212538A (ja) | 2009-06-22 | 2009-06-22 | 半導体発光装置とその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000269601A JP2000269601A (ja) | 2000-09-29 |
JP4457427B2 true JP4457427B2 (ja) | 2010-04-28 |
Family
ID=13532037
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP07391899A Expired - Lifetime JP4457427B2 (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | 半導体発光装置とその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6444998B1 (ja) |
JP (1) | JP4457427B2 (ja) |
Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4457427B2 (ja) * | 1999-03-18 | 2010-04-28 | ソニー株式会社 | 半導体発光装置とその製造方法 |
JP2002033552A (ja) * | 2000-05-11 | 2002-01-31 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ素子、半導体エッチング液および半導体レーザ素子の製造方法 |
TWI276230B (en) * | 2001-12-04 | 2007-03-11 | Epitech Corp Ltd | Structure and manufacturing method of light emitting diode |
TW544953B (en) * | 2002-06-03 | 2003-08-01 | Opto Tech Corp | Light emitting diode capable of increasing the light emitting efficiency |
JP2004014943A (ja) * | 2002-06-10 | 2004-01-15 | Sony Corp | マルチビーム型半導体レーザ、半導体発光素子および半導体装置 |
US20040119080A1 (en) * | 2002-08-12 | 2004-06-24 | Hashimoto Jun-Ichi | Semiconductor optical device |
US7714345B2 (en) * | 2003-04-30 | 2010-05-11 | Cree, Inc. | Light-emitting devices having coplanar electrical contacts adjacent to a substrate surface opposite an active region and methods of forming the same |
US6885034B1 (en) * | 2003-05-09 | 2005-04-26 | Winston Vaughan Schoenfeld | Light emitting diode having multiple pits |
DE102004025684A1 (de) * | 2004-04-29 | 2005-11-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zum Ausbilden einer Kontaktstruktur zur elektrischen Kontaktierung eines optoelektronischen Halbleiterchips |
JP4704703B2 (ja) * | 2004-07-07 | 2011-06-22 | 株式会社リコー | アレイ型半導体レーザ装置 |
KR100754407B1 (ko) | 2006-06-08 | 2007-08-31 | 삼성전자주식회사 | 서브마운트 및 이를 구비하는 멀티 빔 레이저 다이오드모듈 |
JP4967565B2 (ja) * | 2006-09-25 | 2012-07-04 | 富士通株式会社 | 光半導体素子及びその製造方法 |
JP4535053B2 (ja) * | 2006-10-12 | 2010-09-01 | ソニー株式会社 | 発光ダイオードの配線の形成方法、発光ダイオード実装基板、ディスプレイ、バックライト、照明装置および電子機器 |
JP5118875B2 (ja) * | 2007-04-24 | 2013-01-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子製造方法 |
KR101469972B1 (ko) * | 2007-10-17 | 2014-12-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
EP2221854B1 (en) * | 2007-11-27 | 2016-02-24 | Sophia School Corporation | Iii nitride structure and method for manufacturing iii nitride structure |
JP2009238989A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Sony Corp | マルチビーム半導体レーザ |
JP4697488B2 (ja) * | 2008-08-22 | 2011-06-08 | ソニー株式会社 | マルチビーム半導体レーザ |
JP5439953B2 (ja) * | 2008-10-30 | 2014-03-12 | ソニー株式会社 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
JP2009212538A (ja) * | 2009-06-22 | 2009-09-17 | Sony Corp | 半導体発光装置とその製造方法 |
JP2011009610A (ja) * | 2009-06-29 | 2011-01-13 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ素子及びウェハ |
JP2011014632A (ja) | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Sony Corp | 半導体レーザ |
JP5521411B2 (ja) * | 2009-07-03 | 2014-06-11 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JP2011077339A (ja) | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Sony Corp | 半導体レーザ |
KR101007137B1 (ko) * | 2010-03-08 | 2011-01-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
DE102010047451B4 (de) * | 2010-10-04 | 2017-05-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Kantenemittierender Halbleiterlaser |
TWI488331B (zh) * | 2011-03-23 | 2015-06-11 | Epistar Corp | 發光二極體陣列 |
JP5890104B2 (ja) * | 2011-03-23 | 2016-03-22 | ローム株式会社 | マルチビーム半導体レーザ装置 |
CN103548162B (zh) | 2011-05-24 | 2016-11-09 | 皇家飞利浦有限公司 | 用于倒装芯片led的p-n分离金属填充物 |
JP2012252078A (ja) | 2011-06-01 | 2012-12-20 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子およびストロボ装置 |
JP5803457B2 (ja) * | 2011-09-08 | 2015-11-04 | 三菱電機株式会社 | レーザダイオード素子の製造方法 |
TWI447414B (zh) * | 2012-06-07 | 2014-08-01 | 矽品精密工業股份有限公司 | 測試裝置及測試方法 |
US8716740B1 (en) * | 2012-12-21 | 2014-05-06 | Highpower Opto. Inc. | Electrode structure for an LED |
JP1599551S (ja) * | 2017-08-23 | 2018-03-12 | ||
DE102017129226A1 (de) * | 2017-12-08 | 2019-06-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement und anzeigevorrichtung |
CN108039400B (zh) * | 2017-12-20 | 2022-08-09 | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 | 一种双色led芯片的制备方法及结构 |
CN108054249B (zh) * | 2017-12-20 | 2022-07-29 | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 | 蓝光和紫外光led芯片的制备方法 |
JP7114292B2 (ja) * | 2018-03-23 | 2022-08-08 | ローム株式会社 | 半導体レーザ装置 |
US10270221B1 (en) * | 2018-04-27 | 2019-04-23 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Optical device and system having an array of addressable apertures |
WO2019228426A1 (en) * | 2018-05-30 | 2019-12-05 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Laser chip design |
CN109742255B (zh) * | 2018-12-29 | 2021-04-30 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板以及显示装置 |
JP7326006B2 (ja) * | 2019-04-12 | 2023-08-15 | 日本ルメンタム株式会社 | 光半導体素子、光サブアセンブリ、及び光モジュール |
JP7371552B2 (ja) * | 2020-03-24 | 2023-10-31 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケードレーザ |
CN113422291B (zh) * | 2021-06-21 | 2022-06-07 | 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 | 一种激光器及其制造方法与应用 |
US20230361249A1 (en) * | 2022-05-05 | 2023-11-09 | Creeled, Inc. | Light-emitting diode chip structures with electrically insulating substrates and related methods |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4594471A (en) * | 1983-07-13 | 1986-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
US5294815A (en) * | 1991-07-29 | 1994-03-15 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light emitting device with terraced structure |
US5262658A (en) * | 1991-12-24 | 1993-11-16 | Xerox Corporation | Thermally stabilized light emitting diode structure |
KR950010253A (ko) * | 1993-09-07 | 1995-04-26 | 오가 노리오 | 반도체발광장치 |
EP0772247B1 (en) * | 1994-07-21 | 2004-09-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and production method thereof |
JPH10284760A (ja) * | 1997-04-11 | 1998-10-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | 受発光ダイオードアレイチップの製造方法 |
JP4457427B2 (ja) * | 1999-03-18 | 2010-04-28 | ソニー株式会社 | 半導体発光装置とその製造方法 |
-
1999
- 1999-03-18 JP JP07391899A patent/JP4457427B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-03-01 US US09/515,917 patent/US6444998B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-07-19 US US09/909,254 patent/US6630366B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20020005523A1 (en) | 2002-01-17 |
JP2000269601A (ja) | 2000-09-29 |
US6444998B1 (en) | 2002-09-03 |
US6630366B2 (en) | 2003-10-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4457427B2 (ja) | 半導体発光装置とその製造方法 | |
JP2780981B2 (ja) | 多点発光型半導体レーザ及びその製造方法 | |
US6798807B2 (en) | Semiconductor laser and semiconductor laser module | |
US7058104B2 (en) | Surface emitting semiconductor laser and method of fabricating the same | |
JP2869279B2 (ja) | 半導体レーザダイオード及びその製造方法並びに半導体レーザダイオードアレイ | |
US20100111129A1 (en) | Laser diode and method of manufacturing the same | |
KR100644954B1 (ko) | 발광 다이오드 어레이 | |
US5373174A (en) | Semiconductor light-emitting device | |
US8619826B2 (en) | Laser diode | |
US7463662B2 (en) | Optical semiconductor device, manufacturing method therefor, and optical semiconductor apparatus | |
JP4189610B2 (ja) | 光電変換素子およびその製造方法 | |
JPH0846279A (ja) | アレイ型半導体レーザ装置 | |
JP2000196189A (ja) | 面発光型半導体レーザ | |
US4977570A (en) | Semiconductor laser array with stripe electrodes having pads for wire bonding | |
JP2009212538A (ja) | 半導体発光装置とその製造方法 | |
JP3200094B2 (ja) | プリンター光源 | |
JP4001956B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP3695812B2 (ja) | プレーナ電極型半導体光素子及びその製造方法 | |
US20080247439A1 (en) | Semiconductor Laser Device and Method for Fabrication Thereof | |
JP2002124734A (ja) | 半導体発光装置とその製造方法 | |
JP3891833B2 (ja) | 半導体装置及びledアレイ | |
JP3685285B2 (ja) | 半導体レーザー装置 | |
JP4081897B2 (ja) | 積層型半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
JP3819353B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH0637388A (ja) | 半導体レーザ素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051207 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090409 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090421 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090622 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090915 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091029 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20091221 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100119 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100201 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130219 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130219 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140219 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |