JP5521411B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
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Description
1.第1の実施の形態
SDH構造を有するマルチビームレーザ装置の例
2.変形例1
窓領域のパターンの変形例
3.変形例2
配線層のパターンの変形例
4.第2の実施の形態
他のマルチビームレーザ装置の例
5.変形例3
図1は本発明の第1の実施の形態に係る半導体レーザ装置1の平面構成の一例を表したものである。この半導体レーザ装置1はSDH構造を有する端面発光型のマルチビーム半導体レーザ装置である。
窓領域19のパターンの位置や大きさ,形状などは上記実施の形態のものに限定されるものではなく、窓領域19による放熱機能がレーザビーム毎に段階的に変化する態様であれば任意である。図5はその一例を表したものである。
図6は配線層18のパターンの変形例を示したもので、上部電極13との接触部分において配線層18に翼片18aを設けて十字型としたものである。これにより配線層18と上部電極13との接触面積をより確保することが可能になる。
[第2の実施の形態]
Claims (6)
- 帯状に3つ以上並列配置されると共に延在方向の端面からビームを発生する発光部と、
前記発光部各々の上面に沿って設けられた複数の第1電極と、
前記複数の第1電極の全面を覆うと共に、前記第1電極毎に対応してコンタクト用開口を有する絶縁膜と、
前記複数の発光部とは異なる部位に前記第1電極に対応付けて設けられた複数の第2電極と、
前記絶縁膜上に設けられると共に、前記コンタクト用開口を介して前記第2電極各々と前記対応する第1電極とを電気的に接続する配線層と、
前記絶縁膜に対して前記発光部毎に設けられると共に、前記第1電極を露出させる複数の窓領域とを備え、
前記窓領域の面積は、前記複数の発光部のうち中央の発光部では相対的に狭く、両端側の発光部では相対的に広くなっている
半導体レーザ装置。 - 前記両端側と中央側の発光部は、その活性層の幅・高さが異なる
請求項1記載の半導体レーザ装置。 - 前記発光部は分離溝を間にして帯状に並列配置された複数のリッジ部にそれぞれ設けられている
請求項1記載の半導体レーザ装置。 - 前記配線層は前記分離溝上に架橋されている
請求項3記載の半導体レーザ装置。 - 前記複数の第2電極は、前記リッジ部および前記分離溝を両脇から挟み込む2つの領域に2分割して配置されている
請求項4記載の半導体レーザ装置。 - 前記複数の第2電極は全て、前記リッジ部および前記分離溝を両脇から挟み込む2つの領域のうち一方の領域に配置されている
請求項4記載の半導体レーザ装置。
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